＜UIターン歓迎＞【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞●
その他
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞●
■業...
半導体業界の求人一覧
814 件が見つかりました
求人一覧
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞●
愛知県
その他
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞●
■業...
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（SiC）＜セミコン＞●
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（SiC）＜セミコン＞●
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＜UIターン歓迎＞【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（SiC）＜セミコン＞●
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（SiC）＜セミコン＞●
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＜UIターン歓迎＞【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（GaN）＜セミコン＞●
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（GaN）＜セミコン＞●
...
＜UIターン歓迎＞【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（GaN）＜セミコン＞●
愛知県
その他
＜UIターン歓迎＞【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（GaN）＜セミコン＞●
...
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発＜セミコン＞●
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発＜セミコン＞●
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【京都】デバイス開発設計（次世代SiC・GaNパワー半導体）ポテンシャル採用｜年休124日
京都府
年収700万～1000万円
【京都】デバイス開発設計（次世代SiC・GaNパワー半導体）ポテンシャル採用｜年休124日
～...
【京都】デバイスの品質保証(評価・信頼性）次世代SiC・GaNパワー半導体｜年休124日
京都府
年収1000万円以上
【京都】デバイスの品質保証(評価・信頼性）次世代SiC・GaNパワー半導体｜年休124日
～次...
ポストシリコン・バリデーション・スタッフエンジニア
その他
年収500万～700万円
Job Description
【募集背景】
ルネサス エレクトロニクスの...
【京都】オープンポジション／電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会社
京都府
年収1000万円以上
【京都】オープンポジション／電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会...
モータ開発（パワエレ技術者）◆年休126日◆東証プライム上場／老舗電機機器メーカー
愛知県
年収700万～1000万円
モータ開発（パワエレ技術者）◆年休126日◆東証プライム上場／老舗電機機器メーカー
～パワ...
【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア（年休130日/事業拡大に伴う組織強化）
福岡県
その他
【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア（年休130日/事業拡大に伴う組織強化）
■仕事内容...
【滋賀】デジタル回路設計※東証プライム上場のミネベアミツミグループ／業績好調の半導体事業部
愛知県、静岡県、長野県ほか
年収700万～1000万円
【滋賀】デジタル回路設計※東証プライム上場のミネベアミツミグループ／業績好調の半導体事業部
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【滋賀】設計開発（MEMSデバイス）※東証プライム上場グループ◆年間休日125日・フレックス
その他
年収700万～1000万円
【滋賀】設計開発（MEMSデバイス）※東証プライム上場グループ◆年間休日125日・フレックス
...
【神奈川県厚木市】アナログ回路設計◆プライム上場／総合電機メーカー
神奈川県
年収700万～1000万円
【神奈川県厚木市】アナログ回路設計◆プライム上場／総合電機メーカー
◆◇アナログ回路設計...
【北海道千歳市】プロセス・デバイス設計開発◆プライム上場／総合電機メーカー／年収～1000万円
北海道
年収700万～1000万円
【北海道千歳市】プロセス・デバイス設計開発◆プライム上場／総合電機メーカー／年収～1000万円
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【京都／長岡京】商品開発＜MOSFET＞◆新規技術開発・新商品設計など／在宅可／年127日休
京都府、滋賀県、愛知県ほか
年収1000万円以上
【京都／長岡京】商品開発＜MOSFET＞◆新規技術開発・新商品設計など／在宅可／年127日休
□...
【京都】オープンポジション／電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会社
京都府、東京都
年収1000万円以上
【京都】オープンポジション／電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会...
【所沢】電源システム／DC-DCコンバータの設計・開発・評価◆開発費に企業規模以上の投資◆年126休
神奈川県、東京都、福島県
その他
【所沢】電源システム／DC-DCコンバータの設計・開発・評価◆開発費に企業規模以上の投資◆年126休
...
【京都】商品開発＜パワーデバイスを適用したシステム設計＞◆年休130日/パワエレの開発経験歓迎
京都府
その他
【京都】商品開発＜パワーデバイスを適用したシステム設計＞◆年休130日/パワエレの開発経験歓迎
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【茨城・日立市エリア】パワー半導体/製品開発業務【機電】※定年65歳／業界トップの案件数
茨城県
その他
【茨城・日立市エリア】パワー半導体/製品開発業務【機電】※定年65歳／業界トップの案件数
...
【京都／長岡京】FE要素技術開発＜MOSFET＞◆在宅可／年127日休／業界トップクラスの技術力◎
京都府、滋賀県
年収1000万円以上
【京都／長岡京】FE要素技術開発＜MOSFET＞◆在宅可／年127日休／業界トップクラスの技術力◎
【京都／長岡京】＜MOSFET製品＞アプリケーション開発・顧客技術サポート◆在宅可／年127日休
大阪府、京都府、滋賀県
年収1000万円以上
【京都／長岡京】＜MOSFET製品＞アプリケーション開発・顧客技術サポート◆在宅可／年127日休
【愛知/豊田】＜全世界のクルマを変える＞企画／戦略立案（電動車向けパワー半導体素子）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
【愛知/豊田】＜全世界のクルマを変える＞企画／戦略立案（電動車向けパワー半導体素子）＜セミコン＞
【愛知/豊田】＜全世界のクルマを変える＞シミュレーションモデル開発（自動車用半導体）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
【愛知/豊田】＜全世界のクルマを変える＞シミュレーションモデル開発（自動車用半導体）＜セミコン＞
【京都】パワーエレクトロニクス技術開発（第二新卒・未経験歓迎）◆パワエレ研究開発拠点立ち上げメンバー
京都府
年収700万～1000万円
【京都】パワーエレクトロニクス技術開発（第二新卒・未経験歓迎）◆パワエレ研究開発拠点立ち上げメンバ...
【つくば】ダイヤモンド半導体のプロセス開発／国家プロジェクトにも採択◆世界初の技術◆土日祝休
その他
年収1000万円以上
【つくば】ダイヤモンド半導体のプロセス開発／国家プロジェクトにも採択◆世界初の技術◆土日祝休
...
【横浜市】商品開発＜パワーデバイスを適用したシステム設計＞◆年休130日/パワエレの開発経験歓迎
神奈川県
年収700万～1000万円
【横浜市】商品開発＜パワーデバイスを適用したシステム設計＞◆年休130日/パワエレの開発経験歓迎
...
【栃木】パワーモジュール設計◆インバータ開発／SiC・電気熱構造解析／最先端×裁量大／フルフレックス
その他、北海道
年収1000万円以上
【栃木】パワーモジュール設計◆インバータ開発／SiC・電気熱構造解析／最先端×裁量大／フルフレックス
【高崎】 ディスクリートパワーデバイスのテスト開発担当者
東京都、福島県
年収500万～700万円
求人内容
・ディスクリートパワーデバイス(MOSFET)の新製品テスト開発
【山梨】高周波パッケージ開発エンジニア（GaN HEMT×5G領域）◆東証プライム上場住友電工G
山梨県
年収700万～1000万円
【山梨】高周波パッケージ開発エンジニア（GaN HEMT×5G領域）◆東証プライム上場住友電工G
...
【山梨】高周波増幅器設計エンジニア◆ドハティ回路設計×グローバル案件◆東証プライム上場住友電工G
山梨県
年収700万～1000万円
【山梨】高周波増幅器設計エンジニア◆ドハティ回路設計×グローバル案件◆東証プライム上場住友電工G
【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア（中核候補）◆住友電工グループ◆残業月平均20h程度
山形県
年収700万～1000万円
【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア（中核候補）◆住友電工グループ◆残業月平均20h程度
【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト◆東証プライム上場住友電工G◆残業月平均20h程度
山形県
年収700万～1000万円
【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト◆東証プライム上場住友電工G◆残業月平均20h程度
Mid-end and backend process technology (WET/Integration/Metal deposition/Lithography engineer)
茨城県
年収500万～700万円
Job Description
SPS (Smart Power Stage) products are expected to see s...
【Takasaki/Toyosu】Principle Package Engineer
群馬県、栃木県、茨城県ほか
年収500万～700万円
Job Description
1. Package Development & NPI Support
- Support...
【京都／新横浜】GaNを活用したシステム設計
兵庫県、大阪府、京都府
年収500万～700万円
≪ローム公式HPへようこそ！≫
弊社求人にご興味をお持ちいただきありがとうございます。
シ...
【山形/東根】プロセス開発（パワー半導体向けSiCエピウェハー）◇プライム◇注力事業に携わる
千葉県、山形県
その他
【山形/東根】プロセス開発（パワー半導体向けSiCエピウェハー）◇プライム◇注力事業に携わる
Senior Staff Device Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background】
This team support SPS FET ...
シニア スタッフ デバイスエンジニア（パワーMOSFET）
その他
年収500万～700万円
Job Description
【募集背景】
本チームは、PCP向けSPS（Smar...
【2026/7/29(水) 19:00開催】パワー半導体事業説明会
その他
年収700万～1000万円
◆車載用パワー半導体素子の製品企画／仕様検討（Si-IGBT、SiC-MOSFET、GaN-HEMT）・技術ニーズ調査・技...
電動車両に搭載されるセンサーの企画・開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS,Si-IGBT,GaN）の企画／戦略立...
半導体製品（ウエハ工程、パッケージ工程）の品質保証
愛知県、岐阜県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS,Si-IGBT,GaN）の企画／戦略立...
【日進】電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体材料・デバイス・プロセス研究＜ミライズ＞
愛知県
年収1000万円以上
【日進】電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体材料・デバイス・プロセス研究＜ミライ...
【京都／転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞最先端技術の開発！新進気鋭のベンチャー企業
大阪府、京都府、東京都
その他
【京都／転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞最先端技術の開発！新進気鋭のベンチャー...
【京都／転勤無】パワー半導体デバイスの設計開発 ＜量産化フェーズ＞世界中のスペシャリストと協業◎
京都府
年収500万～700万円
【京都／転勤無】パワー半導体デバイスの設計開発 ＜量産化フェーズ＞世界中のスペシャリストと協業◎
【富山市】設計開発◆東証プライム上場／標準電源の国内シェアトップクラス
高知県、愛媛県、香川県ほか
その他
【富山市】設計開発◆東証プライム上場／標準電源の国内シェアトップクラス
【標準電源の国...
Principal System Engineer
福島県
年収500万～700万円
Job Description
Systems (80% - 90% is the range of the job responsibil...
【山形（千葉）】＼UIターン支援あり／半導体材料（SiC）のプロセス開発／新拠点でプロセス設計へ挑戦
新潟県、千葉県、山形県
年収1000万円以上
【山形（千葉）】＼UIターン支援あり／半導体材料（SiC）のプロセス開発／新拠点でプロセス設計へ挑戦