AT-P2【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア（パワーデバイスのユニットプロセス）
兵庫県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
半導体業界の求人一覧
1,074 件が見つかりました
求人一覧
AT-D1【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
AT-D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）
神奈川県
年収700万～1000万円
弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究...
【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
■募集背景：
カ...
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
【脱炭素...
【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）／就業環境◎福利厚生充実
神奈川県
年収700万～1000万円
【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）／就業環境◎福利厚生充実
【脱炭...
【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
福岡県
年収700万～1000万円
【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
■募集背景：
カ...
【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーション◆福利厚生充実／年休127日
石川県
年収700万～1000万円
【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーション◆福利厚生充実／年休127日
【石川】未経験・第二新卒歓迎｜パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生◎
石川県
その他
【石川】未経験・第二新卒歓迎｜パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生...
【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発◆研修・福利厚生充実／年休127日
石川県
年収700万～1000万円
【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発◆研修・福利厚生充実／年休127日
【脱炭素・...
【滋賀】設備技術※東証プライム上場グループ／業績好調の半導体事業部◎フルフレックス
石川県、富山県、新潟県ほか
年収700万～1000万円
【滋賀】設備技術※東証プライム上場グループ／業績好調の半導体事業部◎フルフレックス
～...
【築地】半導体FAE／アプリケーションエンジニア※設計・評価経験歓迎／SiC・GaN／プライム上場G
東京都
その他
【築地】半導体FAE／アプリケーションエンジニア※設計・評価経験歓迎／SiC・GaN／プライム上場G
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Layout Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
We are looking for a new engineer for mask layout desi...
【関東圏】パワー半導体の製品開発業務/月残業20H/社内公募で自立したキャリア形成
長野県、山梨県、神奈川県ほか
その他
【関東圏】パワー半導体の製品開発業務/月残業20H/社内公募で自立したキャリア形成
◎幅広...
Post Silicon Staff, Validation Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background of the Recruitment】
The Pow...
Sr Staff Analog Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
To drive technical excellence in Analog design of powe...
【相模原】組み込みソフト開発（車載～パワーデバイス検査装置）◆業界トップ級シェアの電子部品メーカー
神奈川県
その他
【相模原】組み込みソフト開発（車載～パワーデバイス検査装置）◆業界トップ級シェアの電子部品メーカー...
【愛知/豊田】＜世界の拠点と協力＞DENSOの品質保証（電駆動製品）＜エレフィ＞
愛知県
年収1000万円以上
【愛知/豊田】＜世界の拠点と協力＞DENSOの品質保証（電駆動製品）＜エレフィ＞
■概要：
【山形／山形事業所】SiC増産に伴う製造技術開発者（エピ工程）_25072DS
千葉県、山形県
年収700万～1000万円
＜組織のビジョン・ミッション／活動方針＞
「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素...
Validation Engineer
埼玉県
年収500万～700万円
Job Description
【Background of the Recruitment】
The Pow...
電動車向けパワー半導体素子の企画/拡販戦略立案
その他
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS,Si-IGBT,GaN）の企画／戦略立...
電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発
その他
年収500万～700万円
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）の企画/開発/設計業務具体的には...
電動車向けSiパワー半導体素子の開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT）の企画/開発/設計業務具体的...
電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発
その他
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT,SiC-MOSFET,GaN）の企画/設計...
電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOSFET）の企画/設計/プロセス開...
電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
その他
年収500万～700万円
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）のプロセス開発業務具体的には、...
電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOSFET）の企画/開発/設計業務具...
【滋賀】生産技術・生産設備(プロセス）※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
愛知県
年収700万～1000万円
【滋賀】生産技術・生産設備(プロセス）※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
※...
【滋賀】半導体プロセスエンジニア、インテグレーター※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
その他
年収700万～1000万円
【滋賀】半導体プロセスエンジニア、インテグレーター※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
Principal Medium Voltage Power MOSFET Design Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
Job Summary:
We are looking for a highly motivat...
電動車向けパワー半導体素子の企画/拡販戦略立案
愛知県
年収700万～1000万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収700万～1000万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けSiパワー半導体素子の開発
愛知県
年収700万～1000万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
車載用半導体の素子-システム一貫シミュレーションモデル開発
愛知県
年収500万～700万円
車載用半導体(SiC、GaN)における素子の設計技術開発(TCAD,SPICE)、及びパワエレ設計環境開発に従事いた...
Product Engineer
青森県
年収500万～700万円
Job Description
【Background】
This team supports SPS FET...
Sr Staff, Mask Design Engineer
東京都
年収500万～700万円
Job Description
Job Purpose:
• Lay out GaN power device acco...
その他
年収500万～700万円
仕事内容
化合物半導体...
即戦力採用！パワー半導体デバイスの【設計開発】年休124
京都府
年収700万～1000万円
仕事内容
化合物半導体を...
ポテンシャル採用！パワー半導体デバイスの【設計開発】年休124
京都府
その他
仕事内容
化合物半導体...
【福岡】SiCデバイス開発エンジニア
その他
年収500万～700万円
≪ローム公式HPへようこそ！≫
弊社求人にご興味をお持ちいただきありがとうございます。
SiC...
シニア スタッフ デバイスエンジニア（パワーMOSFET）
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background】
This team supports SPS FET...
【オシロスコープ経験者歓迎！パワーデバイス開発・評価】成長領域◎急速な技術進化◆WEB面接＃1271
その他
年収700万～1000万円
【オシロスコープ経験者歓迎！パワーデバイス開発・評価】成長領域◎急速な技術進化◆WEB面接＃1271
...
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（SiC）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（SiC）＜セミコン＞
＜UIターン歓迎＞【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞
鹿児島県、宮崎県、大分県ほか
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞
■業...
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（GaN）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（GaN）＜セミコン＞
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（SiC）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（SiC）＜セミコン＞