電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究

Smart Overview

半導体業界の最前線で活躍するチャンス！当社では、次世代の電力デバイス開発に向けた新しいプロジェクトを進行中です。特に、GaN-HEMT技術を駆使したデバイス開発や、革新的な化学プロセスに基づく研究開発チームに参加し、電力変換効率の向上を目指します。業界をリードする環境での実務経験を通じて、スキルを磨き新しいキャリアを手に入れませんか？積極的な研究開発に取り組む仲間をお待ちしています。

【おすすめポイント】
・最先端のGaN-HEMT技術に関与できるチャンス
・成長性の高い半導体業界でのキャリアアップ
・革新的な研究環境でのチームとのコラボレーション

募集職種

その他

パワーデバイス

材料開発エンジニア

仕事内容

パワーデバイス材料研究、デバイス開発・ウェハガス成長法の研究開発・横型GaN-HEMTのデバイス開発・α酸化ガリウム半導体研究開発・β酸化ガリウム半導体研究開発・ダイヤモンド半導体研究開発

求めている人材

・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること・第一原理計算、T-CADシミュレーション経験・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上）・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上）

勤務地

愛知 ＞株式会社ミライズテクノロジーズ（愛知県日進市）

会社概要

株式会社デンソー