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半導体業界の求人一覧


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814 件が見つかりました

求人一覧

株式会社デンソー
182日前

電動車向けパワー半導体素子の企画/拡販戦略立案

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
愛知県 年収700万~1000万円

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...

株式会社デンソー
182日前

電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
愛知県 年収700万~1000万円

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...

株式会社デンソー
182日前

電動車向けSiパワー半導体素子の開発

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収700万~1000万円

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...

株式会社デンソー
182日前

電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収500万~700万円

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...

株式会社デンソー
182日前

電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発

  • ASIC/SoC設計
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
愛知県 年収500万~700万円

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...

株式会社デンソー
182日前

電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
愛知県 年収500万~700万円

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...

株式会社デンソー
182日前

電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発

  • ASIC/SoC設計
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
愛知県 年収500万~700万円

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
183日前

Product Engineer

  • テスト開発エンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
青森県 年収500万~700万円

Job Description



【Background】

This team supports SPS FET...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
186日前

Sr Staff, Mask Design Engineer

  • CAD/EDAエンジニア
  • その他
  • パワーデバイス
東京都 年収500万~700万円

Job Description



Job Purpose: 
•    Lay out GaN power device acco...

Anjet Research Lab株式会社
186日前

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
その他 年収500万~700万円

仕事内容


化合物半導体...

Anjet Research Lab株式会社
187日前

即戦力採用!パワー半導体デバイスの【設計開発】年休124

  • ASIC/SoC設計
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
京都府 年収700万~1000万円

仕事内容


化合物半導体を...

Anjet Research Lab株式会社
187日前

ポテンシャル採用!パワー半導体デバイスの【設計開発】年休124

  • ASIC/SoC設計
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
京都府 その他

仕事内容


化合物半導体...

ローム株式会社
189日前

【福岡】SiCデバイス開発エンジニア

  • ASIC/SoC設計
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収500万~700万円

≪ローム公式HPへようこそ!≫
弊社求人にご興味をお持ちいただきありがとうございます。
SiC...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
189日前

シニア スタッフ デバイスエンジニア(パワーMOSFET)

  • テスト開発エンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収500万~700万円

Job Description



【Background】

This team supports SPS FET...

Astemo株式会社
196日前

【オシロスコープ経験者歓迎!パワーデバイス開発・評価】成長領域◎急速な技術進化◆WEB面接#1271

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
その他 年収700万~1000万円

【オシロスコープ経験者歓迎!パワーデバイス開発・評価】成長領域◎急速な技術進化◆WEB面接#1271
...

株式会社デンソー
196日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(SiC)<セミコン>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(SiC)<セミコン>

株式会社デンソー
196日前

<UIターン歓迎>【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<セミコン>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 生産技術エンジニア
鹿児島県、宮崎県、大分県ほか 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<セミコン>

■業...

株式会社デンソー
196日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発(GaN)<セミコン>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発(GaN)<セミコン>

株式会社デンソー
196日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発(SiC)<セミコン>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発(SiC)<セミコン>

株式会社デンソー
196日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<セミコン>

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<セミコン>

■業...

株式会社デンソー
196日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発<セミコン>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収700万~1000万円

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発<セミコン>

■...

株式会社デンソー
196日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(GaN)<セミコン>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(GaN)<セミコン>

東芝デバイス&ストレージ株式会社
196日前

【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア◆高い技術力で社会貢献/フレックス有

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
兵庫県 年収700万~1000万円

【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア◆高い技術力で社会貢献/フレックス有

住友電工デバイス・イノベーション株式会社
196日前

【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
神奈川県 その他

【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆

株式会社レゾナック
197日前

【山形/山形事業所】SiC増産に伴う製造技術開発者(エピ工程)_25072DS

  • ウェハ材料
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
千葉県、福島県、山形県ほか その他

<組織のビジョン・ミッション/活動方針>
「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素...

株式会社MARUWA
200日前

【岐阜県土岐市】SiCヒーターの設計技術|セラミック部材※東証プライム上場/トップシェア製品有

  • ウェハ材料
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収1000万円以上

【岐阜県土岐市】SiCヒーターの設計技術|セラミック部材※東証プライム上場/トップシェア製品有
...

ローム株式会社
200日前

【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア(年休130日/事業拡大に伴う組織強化)

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
福岡県 年収700万~1000万円

【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア(年休130日/事業拡大に伴う組織強化)

■仕事内容...

フェニテックセミコンダクター株式会社
200日前

【鹿児島/湧水】半導体プロセス・デバイスエンジニア(前工程)◆年間休日126日/残業15H/転勤無し

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
北海道 その他

【鹿児島/湧水】半導体プロセス・デバイスエンジニア(前工程)◆年間休日126日/残業15H/転勤無し
...

東芝デバイス&ストレージ株式会社
200日前

【兵庫/揖保郡】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア(SiC)※就業環境◎年休127日

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
その他 年収700万~1000万円

【兵庫/揖保郡】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア(SiC)※就業環境◎年休127日

ルネサス エレクトロニクス株式会社
200日前

Post Silicon Staff Validation Engineer

  • テスト開発エンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収500万~700万円

Job Description



【Background of the Recruitment】

The Pow...

日本テキサス・インスツルメンツ合同会社
200日前

【会津】プロセスエンジニア◇アナログ半導体世界シェアトップクラス/年間休日125日

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
福岡県 年収1000万円以上

【会津】プロセスエンジニア◇アナログ半導体世界シェアトップクラス/年間休日125日

【職...

東芝デバイス&ストレージ
201日前

【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア(パワーデバイスのユニットプロセス)

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
兵庫県 年収700万~1000万円

当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...

株式会社シバソク
203日前

【所沢】電源システム/DC-DCコンバータの設計・開発・評価◆開発費に企業規模以上の投資◆年126休

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
神奈川県、東京都、埼玉県ほか その他

【所沢】電源システム/DC-DCコンバータの設計・開発・評価◆開発費に企業規模以上の投資◆年126休
...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
204日前

Post Silicon Staff Validation Engineer

  • テスト開発エンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
長野県 年収500万~700万円

Job Description



【Background of the Recruitment】

The Pow...

ミツミ電機株式会社
204日前

【滋賀】MEMS製品の量産検査工程構築※東証プライム上場グループ◆年間休日125日・フレックス

  • センサーデバイス
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収700万~1000万円

【滋賀】MEMS製品の量産検査工程構築※東証プライム上場グループ◆年間休日125日・フレックス

ミネベアミツミ株式会社
207日前

【神奈川県厚木市】アナログ回路設計◆プライム上場/総合電機メーカー

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
神奈川県 年収700万~1000万円

【神奈川県厚木市】アナログ回路設計◆プライム上場/総合電機メーカー

◆◇アナログ回路設計...

ミネベアミツミ株式会社
207日前

【北海道千歳市】プロセス・デバイス設計開発◆プライム上場/総合電機メーカー/年収~1000万円

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
北海道 年収700万~1000万円

【北海道千歳市】プロセス・デバイス設計開発◆プライム上場/総合電機メーカー/年収~1000万円
<...

ミツミ電機株式会社
207日前

【滋賀】半導体の生産技術・生産設備(インテグレータ)業務※東証プライム上場グループ◆年間休日125日

  • ASIC/SoC設計
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収700万~1000万円

【滋賀】半導体の生産技術・生産設備(インテグレータ)業務※東証プライム上場グループ◆年間休日125日

ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社
207日前

【京都/長岡京】商品開発<MOSFET>◆新規技術開発・新商品設計など/在宅可/年127日休

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
大阪府、京都府 年収1000万円以上

【京都/長岡京】商品開発<MOSFET>◆新規技術開発・新商品設計など/在宅可/年127日休

□...

ミツミ電機株式会社
207日前

【滋賀】生産技術・生産設備(検査工程構築)※東証プライム上場グループ◆年間休日125日・フレックス

  • センサーデバイス
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
長崎県、佐賀県、福岡県ほか 年収700万~1000万円

【滋賀】生産技術・生産設備(検査工程構築)※東証プライム上場グループ◆年間休日125日・フレックス

ルネサス エレクトロニクス株式会社
209日前

Senior Staff Device Engineer

  • テスト開発エンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
石川県、富山県、新潟県ほか 年収500万~700万円

Job Description



【Background】

This team support SPS FET ...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
209日前

シニア スタッフ デバイスエンジニア(パワーMOSFET)

  • CAD/EDAエンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収500万~700万円

Job Description



【募集背景】

本チームは、PCP向けSPS(Smar...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
209日前

Staff Modeling and Characterization Engineer

  • テスト開発エンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収500万~700万円

Job Description



【Background】

This team supports SPS FET...

株式会社レゾナック
210日前

【山形/東根】プロセス開発(パワー半導体向けSiCエピウェハー)◇プライム◇注力事業に携わる

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
愛知県、新潟県、神奈川県ほか その他

【山形/東根】プロセス開発(パワー半導体向けSiCエピウェハー)◇プライム◇注力事業に携わる

株式会社デンソー
210日前

【愛知/豊田】<全世界のクルマを変える>シミュレーションモデル開発(自動車用半導体)<セミコン>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収1000万円以上

【愛知/豊田】<全世界のクルマを変える>シミュレーションモデル開発(自動車用半導体)<セミコン>

株式会社デンソー
210日前

【愛知/豊田】<全世界のクルマを変える>企画/戦略立案(電動車向けパワー半導体素子)<セミコン>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 技術営業・FAE
愛知県 年収700万~1000万円

【愛知/豊田】<全世界のクルマを変える>企画/戦略立案(電動車向けパワー半導体素子)<セミコン>

ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社
210日前

【京都/長岡京】<MOSFET製品>アプリケーション開発・顧客技術サポート◆在宅可/年127日休

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • フィールドアプリケーションエンジニア(FAE)
大阪府、京都府、滋賀県 年収1000万円以上

【京都/長岡京】<MOSFET製品>アプリケーション開発・顧客技術サポート◆在宅可/年127日休

ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社
210日前

【京都/長岡京】FE要素技術開発<MOSFET>◆在宅可/年127日休/業界トップクラスの技術力◎

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
大阪府、京都府、滋賀県 年収1000万円以上

【京都/長岡京】FE要素技術開発<MOSFET>◆在宅可/年127日休/業界トップクラスの技術力◎

株式会社BREXA Technology
210日前

【茨城・日立市エリア】パワー半導体/製品開発業務【機電】※定年65歳/業界トップの案件数

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 製品評価エンジニア
埼玉県 その他

【茨城・日立市エリア】パワー半導体/製品開発業務【機電】※定年65歳/業界トップの案件数

...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
210日前

Staff Modeling and Characterization Engineer

  • テスト開発エンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収500万~700万円

Job Description



【Background】

This team supports SPS FET...