掲載中
応募受付中
掲載日:
2026年5月26日
東芝デバイス&ストレージ
AT-P2【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア(パワーデバイスのユニットプロセス)
想定年収
年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地
兵庫県
Smart Overview
【おすすめポイント】
・200mmウエハー対応の新製造ラインでスキルアップが可能
・低消費電力MOSFET、IGBTに特化した技術力の向上
・成長を実感できる先端技術の現場で働けるチャンス
募集職種
その他
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
仕事内容
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。
求めている人材
・パワーデバイスのプロセス開発、装置開発
勤務地
給与
勤務時間
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり