AT-D1【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

Smart Overview

半導体業界の先端技術に携わるチャンス！業務内容は、デバイス設計やシミュレーションを通じて、最新の半導体デバイス（パワーMOSFETやIGBTなど）の研究開発を行います。品質評価や性能解析を行い、実用化に向けたプロセス改善も担当。経験豊富なチームと共に成長できる環境が整っており、実績ある製品開発に貢献することができます。最先端の技術と共に、未来のエネルギーソリューションに挑戦し、あなたのキャリアを次のステージへ進めましょう。

【おすすめポイント】
・最新の半導体デバイスに関する研究開発に携わる
・プロセス改善や性能解析を通じて実用化に貢献
・経験豊富なチームと共に成長できる環境

募集職種

その他

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

仕事内容

ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
　対象デバイスは次のとおり
　　①IGBT、ダイオード、パワーモジュール（兵庫県揖保郡太子町／石川県能美市）
　　②アイソレーションデバイス・半導体リレー（福岡県豊前市）
　　③パワーMOSFET（石川県能美市）
　　④小信号デバイス。特にMOSFET（兵庫県揖保郡太子町）　
　　⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC（神奈川県川崎市）　※（）内は想定勤務地

求めている人材

【尚可】
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。

勤務地

923-1293  石川県能美市岩内町１－１ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　加賀分室

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：１５～１７：００（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ