SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発

Smart Overview

半導体業界での新たなキャリアチャンス！SiCおよびGaN技術に特化したデバイス開発に携わり、最先端のパワーエレクトロニクスの進化を支える役割を担います。あなたの専門知識を活かし、SiC-MOSFETやGaN-MOSFET、HEMTの設計・解析・試作を行うことで、業界の革新をリードできる素晴らしい機会です。最新技術に触れながら、実践的なスキルを養える環境が整っています。エンジニアとしての成長を目指す方に最適な職場です。

【おすすめポイント】
・最先端のSiCおよびGaN技術に触れる機会
・デバイス設計や試作を実施し、実践的な経験が得られる
・業界の革新をリードする貴重な役割を担える

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

材料開発エンジニア

仕事内容

SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のデバイスおよびプロセスに関する研究開発。SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発。・パワーデバイスの企画、技術動向調査・パワーデバイスのデバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計・パワーデバイスのプロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発・パワーデバイスのプロセスインテグレーション、工程設計・パワーデバイス試作品のテスト、分析、評価解析・パワーデバイス用ウェハ（GaN基板、SiCエピ成長）の技術開発・パワーデバイス用加工装置の導入および改造

求めている人材

・半導体に関する知識を有すること　・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（研究開発、量産経験は問いません）・パワー半導体に関する知識を有すること　・半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上）・半導体加工設備の導入および改造経験・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者

勤務地

愛知 ＞株式会社ミライズテクノロジーズ（愛知県豊田市）

会社概要

株式会社デンソー