【熊本/WEB面接可】パワー半導体（主にSiC）製造エンジニア【パワーデバイス製作所】NEW
熊本県
年収700万～1000万円
●採用背景
パワーデバイス市場は、脱炭素社会に向けた環境規制の強化などにより、中・長期的に拡...
半導体業界の求人一覧
1,074 件が見つかりました
求人一覧
【熊本/WEB面接可】パワー半導体（IGBT/Diode/IC）製造エンジニア【パワーデバイス製作所】NEW
熊本県
年収700万～1000万円
●採用背景
パワーデバイス市場は、脱炭素社会に向けた環境規制の強化などにより、中・長期的に拡...
【熊本/WEB面接可】SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発【パワーデバイス製作所】NEW
熊本県
年収700万～1000万円
●採用背景
カーボンニュートラル社会の実現に向け、電力損失を大幅に低減できる8インチSiCウエハ...
【厚木】GaNエピウェハの製造・検査・評価◆NTTグループ技術中核企業/転勤無/平均残業時間15h◆
神奈川県
その他
【厚木】GaNエピウェハの製造・検査・評価◆NTTグループ技術中核企業/転勤無/平均残業時間15h◆
【京都】次世代SiC・GaNパワー半導体の評価・解析｜年休124日・転勤なし・転居費用負担制度あり
京都府
その他
【京都】次世代SiC・GaNパワー半導体の評価・解析｜年休124日・転勤なし・転居費用負担制度あり
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【福岡】SiCデバイス開発エンジニア
その他
年収500万～700万円
≪ローム公式HPへようこそ！≫
弊社求人にご興味をお持ちいただきありがとうございます。
SiC...
【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆
神奈川県
その他
【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆
【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア◆高い技術力で社会貢献/フレックス有
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア◆高い技術力で社会貢献/フレックス有
Principal Medium Voltage (MV) Power MOSFET Process Integration Engineer
山形県
年収500万～700万円
Job Description
We are looking for a highly motivated and skilled engi...
Principal Medium Voltage (MV) Power MOSFET Process Integration Engineer
大分県
年収500万～700万円
Job Description
We are looking for a highly motivated and skilled engi...
Principal Engineer, IPD Process Technology
福島県
年収500万～700万円
Job Description
[Hiring Background]
Reneas has set a goal of ach...
【鹿児島/湧水】半導体プロセス・デバイスエンジニア（前工程）◆年間休日126日/残業15H/転勤無し
北海道
その他
【鹿児島/湧水】半導体プロセス・デバイスエンジニア（前工程）◆年間休日126日/残業15H/転勤無し
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＜UIターン歓迎＞【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞●
その他
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞●
■業...
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞●
愛知県
その他
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞●
■業...
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（SiC）＜セミコン＞●
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（SiC）＜セミコン＞●
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＜UIターン歓迎＞【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（SiC）＜セミコン＞●
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（SiC）＜セミコン＞●
...
＜UIターン歓迎＞【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（GaN）＜セミコン＞●
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（GaN）＜セミコン＞●
...
＜UIターン歓迎＞【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（GaN）＜セミコン＞●
愛知県
その他
＜UIターン歓迎＞【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（GaN）＜セミコン＞●
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＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発＜セミコン＞●
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発＜セミコン＞●
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【京都】デバイス開発設計（次世代SiC・GaNパワー半導体）ポテンシャル採用｜年休124日
京都府
年収700万～1000万円
【京都】デバイス開発設計（次世代SiC・GaNパワー半導体）ポテンシャル採用｜年休124日
～...
【京都】デバイスの品質保証(評価・信頼性）次世代SiC・GaNパワー半導体｜年休124日
京都府
年収1000万円以上
【京都】デバイスの品質保証(評価・信頼性）次世代SiC・GaNパワー半導体｜年休124日
～次...
ポストシリコン・バリデーション・スタッフエンジニア
その他
年収500万～700万円
Job Description
【募集背景】
ルネサス エレクトロニクスの...
【京都】オープンポジション／電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会社
京都府
年収1000万円以上
【京都】オープンポジション／電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会...
モータ開発（パワエレ技術者）◆年休126日◆東証プライム上場／老舗電機機器メーカー
愛知県
年収700万～1000万円
モータ開発（パワエレ技術者）◆年休126日◆東証プライム上場／老舗電機機器メーカー
～パワ...
【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア（年休130日/事業拡大に伴う組織強化）
福岡県
その他
【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア（年休130日/事業拡大に伴う組織強化）
■仕事内容...
【滋賀】デジタル回路設計※東証プライム上場のミネベアミツミグループ／業績好調の半導体事業部
愛知県、静岡県、長野県ほか
年収700万～1000万円
【滋賀】デジタル回路設計※東証プライム上場のミネベアミツミグループ／業績好調の半導体事業部
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【滋賀】設計開発（MEMSデバイス）※東証プライム上場グループ◆年間休日125日・フレックス
その他
年収700万～1000万円
【滋賀】設計開発（MEMSデバイス）※東証プライム上場グループ◆年間休日125日・フレックス
...
【神奈川県厚木市】アナログ回路設計◆プライム上場／総合電機メーカー
神奈川県
年収700万～1000万円
【神奈川県厚木市】アナログ回路設計◆プライム上場／総合電機メーカー
◆◇アナログ回路設計...
【北海道千歳市】プロセス・デバイス設計開発◆プライム上場／総合電機メーカー／年収～1000万円
北海道
年収700万～1000万円
【北海道千歳市】プロセス・デバイス設計開発◆プライム上場／総合電機メーカー／年収～1000万円
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【京都／長岡京】商品開発＜MOSFET＞◆新規技術開発・新商品設計など／在宅可／年127日休
京都府、滋賀県、愛知県ほか
年収1000万円以上
【京都／長岡京】商品開発＜MOSFET＞◆新規技術開発・新商品設計など／在宅可／年127日休
□...
【京都】オープンポジション／電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会社
京都府、東京都
年収1000万円以上
【京都】オープンポジション／電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会...
【所沢】電源システム／DC-DCコンバータの設計・開発・評価◆開発費に企業規模以上の投資◆年126休
神奈川県、東京都、福島県
その他
【所沢】電源システム／DC-DCコンバータの設計・開発・評価◆開発費に企業規模以上の投資◆年126休
...
【京都】商品開発＜パワーデバイスを適用したシステム設計＞◆年休130日/パワエレの開発経験歓迎
京都府
その他
【京都】商品開発＜パワーデバイスを適用したシステム設計＞◆年休130日/パワエレの開発経験歓迎
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【茨城・日立市エリア】パワー半導体/製品開発業務【機電】※定年65歳／業界トップの案件数
茨城県
その他
【茨城・日立市エリア】パワー半導体/製品開発業務【機電】※定年65歳／業界トップの案件数
...
【京都／長岡京】FE要素技術開発＜MOSFET＞◆在宅可／年127日休／業界トップクラスの技術力◎
京都府、滋賀県
年収1000万円以上
【京都／長岡京】FE要素技術開発＜MOSFET＞◆在宅可／年127日休／業界トップクラスの技術力◎
【京都／長岡京】＜MOSFET製品＞アプリケーション開発・顧客技術サポート◆在宅可／年127日休
大阪府、京都府、滋賀県
年収1000万円以上
【京都／長岡京】＜MOSFET製品＞アプリケーション開発・顧客技術サポート◆在宅可／年127日休
【愛知/豊田】＜全世界のクルマを変える＞企画／戦略立案（電動車向けパワー半導体素子）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
【愛知/豊田】＜全世界のクルマを変える＞企画／戦略立案（電動車向けパワー半導体素子）＜セミコン＞
【愛知/豊田】＜全世界のクルマを変える＞シミュレーションモデル開発（自動車用半導体）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
【愛知/豊田】＜全世界のクルマを変える＞シミュレーションモデル開発（自動車用半導体）＜セミコン＞
【京都】パワーエレクトロニクス技術開発（第二新卒・未経験歓迎）◆パワエレ研究開発拠点立ち上げメンバー
京都府
年収700万～1000万円
【京都】パワーエレクトロニクス技術開発（第二新卒・未経験歓迎）◆パワエレ研究開発拠点立ち上げメンバ...
【つくば】ダイヤモンド半導体のプロセス開発／国家プロジェクトにも採択◆世界初の技術◆土日祝休
その他
年収1000万円以上
【つくば】ダイヤモンド半導体のプロセス開発／国家プロジェクトにも採択◆世界初の技術◆土日祝休
...
【横浜市】商品開発＜パワーデバイスを適用したシステム設計＞◆年休130日/パワエレの開発経験歓迎
神奈川県
年収700万～1000万円
【横浜市】商品開発＜パワーデバイスを適用したシステム設計＞◆年休130日/パワエレの開発経験歓迎
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【栃木】パワーモジュール設計◆インバータ開発／SiC・電気熱構造解析／最先端×裁量大／フルフレックス
その他、北海道
年収1000万円以上
【栃木】パワーモジュール設計◆インバータ開発／SiC・電気熱構造解析／最先端×裁量大／フルフレックス
【高崎】 ディスクリートパワーデバイスのテスト開発担当者
東京都、福島県
年収500万～700万円
求人内容
・ディスクリートパワーデバイス(MOSFET)の新製品テスト開発
【山梨】高周波パッケージ開発エンジニア（GaN HEMT×5G領域）◆東証プライム上場住友電工G
山梨県
年収700万～1000万円
【山梨】高周波パッケージ開発エンジニア（GaN HEMT×5G領域）◆東証プライム上場住友電工G
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【山梨】高周波増幅器設計エンジニア◆ドハティ回路設計×グローバル案件◆東証プライム上場住友電工G
山梨県
年収700万～1000万円
【山梨】高周波増幅器設計エンジニア◆ドハティ回路設計×グローバル案件◆東証プライム上場住友電工G
【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア（中核候補）◆住友電工グループ◆残業月平均20h程度
山形県
年収700万～1000万円
【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア（中核候補）◆住友電工グループ◆残業月平均20h程度
【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト◆東証プライム上場住友電工G◆残業月平均20h程度
山形県
年収700万～1000万円
【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト◆東証プライム上場住友電工G◆残業月平均20h程度
Mid-end and backend process technology (WET/Integration/Metal deposition/Lithography engineer)
茨城県
年収500万～700万円
Job Description
SPS (Smart Power Stage) products are expected to see s...
【Takasaki/Toyosu】Principle Package Engineer
群馬県、栃木県、茨城県ほか
年収500万～700万円
Job Description
1. Package Development & NPI Support
- Support...
【京都／新横浜】GaNを活用したシステム設計
兵庫県、大阪府、京都府
年収500万～700万円
≪ローム公式HPへようこそ！≫
弊社求人にご興味をお持ちいただきありがとうございます。
シ...