AT-A1-3【神奈川】パワー半導体アプリケーションエンジニア（SiC・GaN・MOSFET・IGBT領域）
神奈川県
年収700万～1000万円
当ポジションでは、Si MOSFET、IGBT、SiC、GaNなどのパワー半導体を活用し、AIデータセンター、産業機器...
半導体業界の求人一覧
814 件が見つかりました
求人一覧
【名古屋】車載／産機メーカーに対する半導体 FAE業務◆在宅／フルフレックス／定着率95%以上
愛知県
その他
【名古屋】車載／産機メーカーに対する半導体 FAE業務◆在宅／フルフレックス／定着率95%以上
26-38 半導体事業部 生産部資材物流課 ＜ミツミ電機 滋賀工場＞
その他
年収500万～700万円
半導体事業部にて資材調達として、資材発注・検収業務を携わって頂きます。
≪具体的な業務...
26-30 半導体事業部 企画部 生産企画課 ＜ミツミ電機 滋賀工場＞
その他
年収500万～700万円
当社半導体事業部・企画部生産企画課にて、MES(POSEIDON)の保守管理者に携わって頂きます。
26-37 半導体事業部 生産部 施設管理 ＜ミツミ電機 滋賀工場＞
その他
年収500万～700万円
半導体製造の工場にて施設設備の管理および用力工事を携わって頂きます。
＜具体的な業務...
26-27 半導体事業部 設計開発（センサ用ICのデジタル設計） ＜ミツミ電機 滋賀工場＞
その他
年収500万～700万円
当社の半導体事業部にて、センサ用ICのデジタル設計に携わっていただきます。
≪半導体事業...
26-7 (2) 半導体事業部 アプリケーション開発 ＜ミツミ電機 岐阜事業所＞
福岡県
年収500万～700万円
当社の岐阜事務所にて、半導体関連のアプリケーション開発に携わっていただきます。ミネベアミツミでは...
26-16 半導体事業部 ウエファ製造部 ＜ミツミ電機 千歳事業所＞
北海道
年収500万～700万円
当社主力製品である電池保護ICやIGBTなどの前工程生産設備における、新規導入、保全、改善（生産性向上...
【相模原】組み込みソフト開発（車載～パワーデバイス検査装置）◆業界トップ級シェアの電子部品メーカー
神奈川県
その他
【相模原】組み込みソフト開発（車載～パワーデバイス検査装置）◆業界トップ級シェアの電子部品メーカー...
【東京/日野市】研究開発◇次世代半導体/SiC, GaNの研究開発／東証プライム上場のグローバルメーカー
東京都
その他
車載向けや産業用向け等で世界的に需要が高まると見込まれている、注目のパワー半導体事業の研究開発（...
Staff Product Marketing Specialist
東京都
年収500万～700万円
Job Description
【Job Summary】
We are seeking a motivate...
【奈良／橿原】半導体装置の組立て◆日勤のみ／年休129日／土日祝休◆東証上場／半導体製造装置メーカー
奈良県
その他
【奈良／橿原】半導体装置の組立て◆日勤のみ／年休129日／土日祝休◆東証上場／半導体製造装置メーカー
【茨城／在宅可】GaN基板の前工程プロセス開発エンジニア※同意のない転勤無／引越費用負担／土日祝休み
その他
その他
【茨城／在宅可】GaN基板の前工程プロセス開発エンジニア※同意のない転勤無／引越費用負担／土日祝休み<...
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発＜セミコン＞●
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発＜セミコン＞●
■...
【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆
神奈川県
年収700万～1000万円
【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆
【石川】半導体の製品開発エンジニア（パワーデバイス）就業環境◎年休127日
福井県、石川県
年収700万～1000万円
【石川】半導体の製品開発エンジニア（パワーデバイス）就業環境◎年休127日
【カーボンニ...
【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア（年休130日/事業拡大に伴う組織強化）
福岡県
その他
【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア（年休130日/事業拡大に伴う組織強化）
■仕事内容...
【品川】＜回路×熱設計で製品を創る＞電動工具R&Dエンジニア◇年休129日／シェア世界トップクラス
神奈川県、東京都
年収700万～1000万円
【品川】＜回路×熱設計で製品を創る＞電動工具R&Dエンジニア◇年休129日／シェア世界トップクラス
...
【岐阜県土岐市】SiCヒーターの設計技術｜セラミック部材※東証プライム上場／トップシェア製品有
福島県
その他
【岐阜県土岐市】SiCヒーターの設計技術｜セラミック部材※東証プライム上場／トップシェア製品有
...
【奈良／転勤無】半導体製造装置の製造（組立）※日勤／年休129日
奈良県
その他
【奈良／転勤無】半導体製造装置の製造（組立）※日勤／年休129日
～東証スタンダード上場...
【兵庫／在宅勤務可】パワー半導体のデバイス開発※IGBT・ダイオード／成長領域への積極投資
その他
その他
【兵庫／在宅勤務可】パワー半導体のデバイス開発※IGBT・ダイオード／成長領域への積極投資
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
【神奈川／大船】GaNエピ工程の生産管理業務◆住友電工G◆フレックスタイム制◆
神奈川県
年収700万～1000万円
【神奈川／大船】GaNエピ工程の生産管理業務◆住友電工G◆フレックスタイム制◆
■ポジション...
【神奈川／大船】GaNエピ工程の品質管理業務◆住友電工G◆フレックスタイム制◆
神奈川県
年収700万～1000万円
【神奈川／大船】GaNエピ工程の品質管理業務◆住友電工G◆フレックスタイム制◆
■ポジション...
【山梨】高周波パッケージ開発エンジニア（GaN HEMT×5G領域）◆東証プライム上場住友電工G
山梨県
年収700万～1000万円
【山梨】高周波パッケージ開発エンジニア（GaN HEMT×5G領域）◆東証プライム上場住友電工G
...
GaN Technology Development Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
We are seeking GaN Technology Development Engineer to ...
Sr Staff Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
1. Package Development & NPI Support
- Support...
Sr Staff Analog Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background】
Drive technical excellence in the...
Mid-end and backend process technology (WET/Integration/Metal deposition/Lithography engineer)
福岡県
年収500万～700万円
Job Description
SPS (Smart Power Stage) products are expected to see s...
GaN Technology Development Engineer
その他
年収700万～1000万円
Job Description
We are seeking GaN Device Technology Engineer to drive...
【愛知/豊田】＜全世界のクルマを変える＞企画／戦略立案（電動車向けパワー半導体素子）＜セミコン＞
愛知県
年収700万～1000万円
【愛知/豊田】＜全世界のクルマを変える＞企画／戦略立案（電動車向けパワー半導体素子）＜セミコン＞
Staff Application Engineer, Power Management
その他
年収500万～700万円
Job Description
• Develop necessary hardware and software to enable...
【京都市】パワー半導体の生産・在庫管理／世界のスペシャリストと協業！量産化の成長フェーズに関われる◎
京都府
年収700万～1000万円
【京都市】パワー半導体の生産・在庫管理／世界のスペシャリストと協業！量産化の成長フェーズに関われ...
【京都／転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞最先端技術の開発！新進気鋭のベンチャー企業
京都府
その他
【京都／転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞最先端技術の開発！新進気鋭のベンチャー...
【日進】電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体材料・デバイス・プロセス研究＜ミライズ＞
愛知県
年収1000万円以上
【日進】電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体材料・デバイス・プロセス研究＜ミライ...
【岐阜／土岐市】SiCの設計技術（セラミック部材）東証プライム上場／トップクラスシェア製品有
茨城県、福島県
年収1000万円以上
【岐阜／土岐市】SiCの設計技術（セラミック部材）東証プライム上場／トップクラスシェア製品有
<...
GaN Technology Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
We are seeking GaN Device Staff Engineer to drive next...
【茨城・日立市エリア】パワー半導体/製品開発業務【機電】【ご経験を活かせる！】
秋田県
その他
【茨城・日立市エリア】パワー半導体/製品開発業務【機電】【ご経験を活かせる！】
~ご経...
Staff Engineer, GaN Technology
その他
年収500万～700万円
Job Description
We are seeking GaN Device Staff Engineer to drive next...
【愛知/豊田】＜半導体の研究機関＞研究開発(デバイス・プロセス/パワー半導体）／在宅可＜ミライズ＞
愛知県
年収700万～1000万円
【愛知/豊田】＜半導体の研究機関＞研究開発(デバイス・プロセス/パワー半導体）／在宅可＜ミライズ＞
【茨城】パワーモジュール設計◆インバータ開発／SiC・電気熱構造解析／最先端×裁量大／フルフレックス
その他
年収700万～1000万円
【茨城】パワーモジュール設計◆インバータ開発／SiC・電気熱構造解析／最先端×裁量大／フルフレックス
【山形】＼UIターン支援あり／半導体材料（SiC）のプロセス開発／新拠点でプロセス設計へ挑戦
山形県
その他
【山形】＼UIターン支援あり／半導体材料（SiC）のプロセス開発／新拠点でプロセス設計へ挑戦
【新潟／長岡市】プロセスエンジニア（次世代半導体）※GaN・SiC基板／ワークライフバランス◎
新潟県
その他
【新潟／長岡市】プロセスエンジニア（次世代半導体）※GaN・SiC基板／ワークライフバランス◎
【北海道千歳市】SiCパワー半導体開発／デバイス設計・製品開発◆専門スキルUP／教育、福利厚生◎
北海道
その他
【北海道千歳市】SiCパワー半導体開発／デバイス設計・製品開発◆専門スキルUP／教育、福利厚生◎
<...
FAE（フィールドアプリケーションエンジニア）◆SiC・GaN半導体技術支援／フレックス
東京都
年収1000万円以上
FAE（フィールドアプリケーションエンジニア）◆SiC・GaN半導体技術支援／フレックス
■業務...
Staff Analog Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
・Work within the analog design team for new product d...
Sr Staff Analog Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background】
This team support SPS FET ...
Sr. Layout Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
We are looking for a new engineer for mask layout desi...
＜UIターン歓迎＞【刈谷市／豊田市】次世代パワー半導体素子のデバイス開発／フレックス＜セミコン＞●
愛知県
年収700万～1000万円
＜UIターン歓迎＞【刈谷市／豊田市】次世代パワー半導体素子のデバイス開発／フレックス＜セミコン＞●
＜UIターン歓迎＞【桑名市】次世代パワー半導体素子のプロセス開発／フレックス＜セミコン＞●
三重県、福島県
年収700万～1000万円
＜UIターン歓迎＞【桑名市】次世代パワー半導体素子のプロセス開発／フレックス＜セミコン＞●