Sr Principal Engineer
福島県
年収500万～700万円
Job Description
We are seeking a highly motivated GaN Technology Devel...
半導体業界の求人一覧
1,002 件が見つかりました
求人一覧
Principal Analog Engineer
福島県
年収500万～700万円
Job Description
[Hiring Background]
Reneas has set a goal of ach...
【愛知/豊田】＜半導体の研究機関＞研究開発(デバイス・プロセス/パワー半導体）／在宅可＜ミライズ＞
愛知県
その他
【愛知/豊田】＜半導体の研究機関＞研究開発(デバイス・プロセス/パワー半導体）／在宅可＜ミライズ＞
【新潟／長岡市】プロセスエンジニア（次世代半導体）※GaN・SiC基板／ワークライフバランス◎
新潟県
その他
【新潟／長岡市】プロセスエンジニア（次世代半導体）※GaN・SiC基板／ワークライフバランス◎
電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発
その他
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
Senior Foundry Tape-Out Engineer
埼玉県
年収500万～700万円
Job Description
Position Overview
The GaN Tape-Out Suppor...
Principal, Mask Design Engineer
東京都
年収500万～700万円
Job Description
Job Purpose:
Lay out GaN power device ac...
Principal Analog Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
Background ot the Recruitment
当社は、203...
【多摩】組込みFW設計(1kW～100kW級デジタル制御電源開発)◆多角化経営の安定基盤◎
東京都
その他
【多摩】組込みFW設計(1kW～100kW級デジタル制御電源開発)◆多角化経営の安定基盤◎
～デー...
Sr. Layout Engineer
福島県
年収500万～700万円
Job Description
We are looking for a new engineer for mask layout desi...
【インターンシップ】IPD(Intelligent Power Device)の設計・評価業務
福島県
年収500万～700万円
求人内容
自動車業界は電動化・自動運転・コネクテッド化が同時に進行し、...
電子デバイスエンジニア 【山梨】高周波デバイス、増幅器開発、および高周波パッケージ開発
その他
年収1000万円以上
①携帯電話基地局向けGaN－HEMTを用いたデバイス、増幅器設計開発
②顧客向けドハティ増幅器の設...
プロセスエンジニア 【山梨】化合物半導体電子デバイスウェハプロセス開発者及び技術者
その他
その他
①GaN HEMTのウエハプロセス開発
②多層配線（電極材料、層間絶縁膜、平坦化）技術開発
...
Staff Validation Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background of the Recruitment】
The Pow...
鹿児島／転勤無【プロセス・デバイスエンジニア】★年休126日
鹿児島県
年収700万～1000万円
仕事内容
【あなたの製造...
【山形／山形事業所】SiC増産に伴う製造技術開発者（エピ工程）_26047DS
大分県、岡山県、石川県ほか
年収700万～1000万円
＜組織のビジョン・ミッション／活動方針＞
「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素...
【京都／長岡京】MOSFET製品の検査技術開発（デバイス・プロセス経験者歓迎）◆フレックスタイム制
京都府
年収1000万円以上
【京都／長岡京】MOSFET製品の検査技術開発（デバイス・プロセス経験者歓迎）◆フレックスタイム制
...
【京都市※転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞量産化に向けた成長フェーズに携われる◎
京都府
その他
【京都市※転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞量産化に向けた成長フェーズに携われる◎<...
【京都／転勤無】パワー半導体の設計開発 ＜量産化の成長フェーズ＞国内外のスペシャリストと協業
京都府
その他
【京都／転勤無】パワー半導体の設計開発 ＜量産化の成長フェーズ＞国内外のスペシャリストと協業
...
AT-D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）
神奈川県
年収700万～1000万円
弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究...
AT-D1【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
AT-P2【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア（パワーデバイスのユニットプロセス）
兵庫県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-D1-4【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア
福岡県
年収700万～1000万円
当部門では車載向け小型MOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通して...
AT-P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-P1【第二新卒/石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
兵庫県
年収700万～1000万円
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引す...
AT-P1【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-D1【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア
兵庫県
年収700万～1000万円
当部門では産業、車載向けMOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通し...
AT-D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
福岡県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET／中電圧トレンチ／次世代技術の設計開発
群馬県
その他
【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET／中電圧トレンチ／次世代技術の設計開発
【築地】半導体FAE／アプリケーションエンジニア※設計・評価経験歓迎／SiC・GaN／プライム上場G
東京都
その他
【築地】半導体FAE／アプリケーションエンジニア※設計・評価経験歓迎／SiC・GaN／プライム上場G
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【滋賀】設備技術※東証プライム上場グループ／業績好調の半導体事業部◎フルフレックス
石川県、富山県、新潟県ほか
年収700万～1000万円
【滋賀】設備技術※東証プライム上場グループ／業績好調の半導体事業部◎フルフレックス
～...
【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発◆研修・福利厚生充実／年休127日
石川県
年収700万～1000万円
【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発◆研修・福利厚生充実／年休127日
【脱炭素・...
【石川】未経験・第二新卒歓迎｜パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生◎
石川県
その他
【石川】未経験・第二新卒歓迎｜パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生...
【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーション◆福利厚生充実／年休127日
石川県
年収700万～1000万円
【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーション◆福利厚生充実／年休127日
【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
福岡県
年収700万～1000万円
【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
■募集背景：
カ...
【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）／就業環境◎福利厚生充実
神奈川県
年収700万～1000万円
【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）／就業環境◎福利厚生充実
【脱炭...
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
【脱炭素...
【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
■募集背景：
カ...
Sr Staff Analog Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
To drive technical excellence in Analog design of powe...
Post Silicon Staff, Validation Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background of the Recruitment】
The Pow...
【関東圏】パワー半導体の製品開発業務/月残業20H/社内公募で自立したキャリア形成
長野県、山梨県、神奈川県ほか
その他
【関東圏】パワー半導体の製品開発業務/月残業20H/社内公募で自立したキャリア形成
◎幅広...
Layout Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
We are looking for a new engineer for mask layout desi...
【山形／山形事業所】SiC増産に伴う製造技術開発者（エピ工程）_25072DS
千葉県、山形県
年収700万～1000万円
＜組織のビジョン・ミッション／活動方針＞
「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素...
【愛知/豊田】＜世界の拠点と協力＞DENSOの品質保証（電駆動製品）＜エレフィ＞
愛知県
年収1000万円以上
【愛知/豊田】＜世界の拠点と協力＞DENSOの品質保証（電駆動製品）＜エレフィ＞
■概要：
【相模原】組み込みソフト開発（車載～パワーデバイス検査装置）◆業界トップ級シェアの電子部品メーカー
神奈川県
その他
【相模原】組み込みソフト開発（車載～パワーデバイス検査装置）◆業界トップ級シェアの電子部品メーカー...
車載用半導体の素子-システム一貫シミュレーションモデル開発
愛知県
年収500万～700万円
車載用半導体(SiC、GaN)における素子の設計技術開発(TCAD,SPICE)、及びパワエレ設計環境開発に従事いた...
電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...