【北海道千歳市】SiCパワー半導体開発／デバイス設計・製品開発◆専門スキルUP／教育、福利厚生◎
北海道
その他
【北海道千歳市】SiCパワー半導体開発／デバイス設計・製品開発◆専門スキルUP／教育、福利厚生◎
<...
半導体業界の求人一覧
1,031 件が見つかりました
求人一覧
FAE（フィールドアプリケーションエンジニア）◆SiC・GaN半導体技術支援／フレックス
東京都
年収1000万円以上
FAE（フィールドアプリケーションエンジニア）◆SiC・GaN半導体技術支援／フレックス
■業務...
Staff Analog Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
・Work within the analog design team for new product d...
Sr Staff Analog Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background】
This team support SPS FET ...
Sr. Layout Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
We are looking for a new engineer for mask layout desi...
＜UIターン歓迎＞【刈谷市／豊田市】次世代パワー半導体素子のデバイス開発／フレックス＜セミコン＞●
愛知県
年収700万～1000万円
＜UIターン歓迎＞【刈谷市／豊田市】次世代パワー半導体素子のデバイス開発／フレックス＜セミコン＞●
＜UIターン歓迎＞【桑名市】次世代パワー半導体素子のプロセス開発／フレックス＜セミコン＞●
三重県、福島県
年収700万～1000万円
＜UIターン歓迎＞【桑名市】次世代パワー半導体素子のプロセス開発／フレックス＜セミコン＞●
＜UIターン歓迎＞【豊田市・日進市】次世代パワー半導体素子のプロセス開発／フレックス＜セミコン＞●
福岡県、愛知県
年収700万～1000万円
＜UIターン歓迎＞【豊田市・日進市】次世代パワー半導体素子のプロセス開発／フレックス＜セミコン＞●
【兵庫/伊丹】高周波デバイスの開発設計・製品化 ◆残業月平均20h程度／リモート・フレックス制度有
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫/伊丹】高周波デバイスの開発設計・製品化 ◆残業月平均20h程度／リモート・フレックス制度有
【京都／長岡京】MOSFET製品の検査技術開発（デバイス・プロセス経験者歓迎）◆フレックスタイム制
兵庫県、大阪府、京都府ほか
年収1000万円以上
【京都／長岡京】MOSFET製品の検査技術開発（デバイス・プロセス経験者歓迎）◆フレックスタイム制
...
【山形／山形事業所】SiC増産に伴う製造技術開発者（エピ工程）_26047DS
長野県、福井県、新潟県ほか
年収700万～1000万円
＜組織のビジョン・ミッション／活動方針＞
「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素...
【兵庫/伊丹】高周波デバイスの開発・プロジェクトマネジメント ◆成長分野／リモート・フレックス
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫/伊丹】高周波デバイスの開発・プロジェクトマネジメント ◆成長分野／リモート・フレックス
...
【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET／中電圧トレンチ／次世代技術の設計開発
東京都、群馬県
その他
【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET／中電圧トレンチ／次世代技術の設計開発
【SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発】◆在宅勤務可◆三菱電機G＃熊本
北海道
年収700万～1000万円
【SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発】◆在宅勤務可◆三菱電機G＃熊本
【SiCパワーデバ...
AT-D1【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア
兵庫県
年収700万～1000万円
当部門では産業、車載向けMOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通し...
AT-P1【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
福岡県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
AT-D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
兵庫県
年収700万～1000万円
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引す...
AT-P1【第二新卒/石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-P2【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア（パワーデバイスのユニットプロセス）
兵庫県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-D1【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
AT-D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）
神奈川県
年収700万～1000万円
弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究...
Product Development Engineer for Discrete Power
その他
年収700万～1000万円
Job Description
AIデータセンタの需要拡大に伴い、タイムリーに製品リリー...
【京都／転勤無】パワー半導体の設計開発 ＜量産化の成長フェーズ＞国内外のスペシャリストと協業
京都府
その他
【京都／転勤無】パワー半導体の設計開発 ＜量産化の成長フェーズ＞国内外のスペシャリストと協業
...
【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
■募集背景：
カ...
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
【脱炭素...
【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発◆研修・福利厚生充実／年休127日
石川県
年収700万～1000万円
【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発◆研修・福利厚生充実／年休127日
【脱炭素・...
【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）／就業環境◎福利厚生充実
福島県
年収700万～1000万円
【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）／就業環境◎福利厚生充実
【脱炭...
【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーション◆福利厚生充実／年休127日
石川県
年収700万～1000万円
【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーション◆福利厚生充実／年休127日
【石川】未経験・第二新卒歓迎｜パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生◎
石川県
その他
【石川】未経験・第二新卒歓迎｜パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生...
【パワー半導体（IGBT／Diode／IC）製造エンジニア】◆年間休日131日◆三菱電機G＃熊本
熊本県
年収700万～1000万円
【パワー半導体（IGBT／Diode／IC）製造エンジニア】◆年間休日131日◆三菱電機G＃熊本
【パ...
【築地】FAE（半導体）※最先端技術に携われる／年休125日／平均残業20H程度【プライム上場G】
東京都
その他
【築地】FAE（半導体）※最先端技術に携われる／年休125日／平均残業20H程度【プライム上場G】
電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）のプロセス開発業務具体的には、...
電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOSFET）の企画/開発/設計業務具...
電動車向けパワー半導体素子の企画/拡販戦略立案
その他
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS,Si-IGBT,GaN）の企画／戦略立...
電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発
その他
年収500万～700万円
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）の企画/開発/設計業務具体的には...
電動車向けSiパワー半導体素子の開発
その他
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT）の企画/開発/設計業務具体的...
電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発
その他
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT,SiC-MOSFET,GaN）の企画/設計...
電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOSFET）の企画/設計/プロセス開...
【滋賀】半導体プロセスエンジニア、インテグレーター※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
その他
年収700万～1000万円
【滋賀】半導体プロセスエンジニア、インテグレーター※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
【滋賀】生産技術・生産設備(プロセス）※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
その他
年収700万～1000万円
【滋賀】生産技術・生産設備(プロセス）※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
※...
Principal System Engineer
福島県
年収500万～700万円
Job Description
Systems (80% - 90% is the range of the job responsibil...
Sr Staff Project/Program Design
その他
年収500万～700万円
Job Description
About the Role
Renesas is ...
車載用半導体の素子-システム一貫シミュレーションモデル開発
その他
年収500万～700万円
車載用半導体(SiC、GaN)における素子の設計技術開発(TCAD,SPICE)、及びパワエレ設計環境開発に従事いた...
【熊本/WEB面接可】パワー半導体（主にSiC）製造エンジニア【パワーデバイス製作所】NEW
熊本県
年収700万～1000万円
●採用背景
パワーデバイス市場は、脱炭素社会に向けた環境規制の強化などにより、中・長期的に拡...
【熊本/WEB面接可】パワー半導体（IGBT/Diode/IC）製造エンジニア【パワーデバイス製作所】NEW
熊本県
年収700万～1000万円
●採用背景
パワーデバイス市場は、脱炭素社会に向けた環境規制の強化などにより、中・長期的に拡...
【熊本/WEB面接可】SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発【パワーデバイス製作所】NEW
熊本県
年収700万～1000万円
●採用背景
カーボンニュートラル社会の実現に向け、電力損失を大幅に低減できる8インチSiCウエハ...
【厚木】GaNエピウェハの製造・検査・評価◆NTTグループ技術中核企業/転勤無/平均残業時間15h◆
神奈川県
その他
【厚木】GaNエピウェハの製造・検査・評価◆NTTグループ技術中核企業/転勤無/平均残業時間15h◆
【京都】次世代SiC・GaNパワー半導体の評価・解析｜年休124日・転勤なし・転居費用負担制度あり
京都府
その他
【京都】次世代SiC・GaNパワー半導体の評価・解析｜年休124日・転勤なし・転居費用負担制度あり
<...