AT-D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）

Smart Overview

半導体業界の最前線で、GaNパワー半導体の研究開発を推進するチャンスです。先進的な技術に携わることで、自らの専門性を高められるだけでなく、業界の発展にも寄与できます。チームでは、Si半導体に代わるGaN技術の新たな可能性を探求し、プロジェクトを通じて巻き起こる変革に貢献できる仲間を求めています。専門的な知識を活かしつつ、革新を追求するやりがいのある職場です。

【おすすめポイント】
・GaNパワー半導体の研究開発に直接参加
・業界の先端技術に触れ、専門性を高める機会
・チームで革新を追求し、業界の発展に貢献できる環境

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

材料開発エンジニア

仕事内容

弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。
川崎：デバイス開発とプロセスインテグレーション
姫路：エピタキシャルプロセス、プロセス開発

求めている人材

【尚可】
・GaNに関する知見

勤務地

212-8583  神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：３０～１７：１５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ