AT-P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア

Smart Overview

半導体業界における新たなキャリアチャンスが到来しました！当社では、200mmウエハーに対応した製造ラインの生産能力を増強し、低電圧MOSFETおよびIGBTの生産に注力しています。最新鋭の装置を使用し、最先端の技術に携わることができる環境が整っています。業界の発展に貢献しながら、自身のスキルを磨き成長できるチームの一員として、あなたの力を必要としています。新しい挑戦を共にしませんか？

【おすすめポイント】
・200mmウエハー生産ラインの増強に伴うポジション
・低電圧MOSFETとIGBTの最先端技術に携われる機会
・業界の成長に貢献し、スキル向上が期待できる環境

募集職種

その他

パワーデバイス

前工程プロセス開発

仕事内容

当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。

求めている人材

MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発を進めていただきます。
各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。
各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。

勤務地

923-1293  石川県能美市岩内町１－１ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　加賀分室

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：１５～１７：００（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ