プロセスエンジニア 【山梨】化合物半導体電子デバイスウェハプロセス開発者及び技術者

Smart Overview

半導体業界において、次世代の製品開発を支える役割が求められています。GaN HEMT技術の開発に関わることで、高効率な電力増幅器や高性能な電子機器の実現に貢献できます。多層配線技術を通じて、電気特性を最適化した材料開発も手がけ、さらには放熱と実装に関する新技術の実用化にも寄与。今後の市場を牽引する勢いを持つこの分野で、自身の技術を進化させるチャンスがあります。業界の最前線で成長を加速させる仕事に挑戦しませんか？

【おすすめポイント】
・GaN HEMT技術を活用し、高性能機器の開発に貢献
・多層配線技術や新材料開発で電気特性を向上
・放熱技術などの新しい実装方法を習得できるチャンス

募集職種

RF（高周波）IC設計

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

仕事内容

①GaN HEMTのウエハプロセス開発
②多層配線（電極材料、層間絶縁膜、平坦化）技術開発
③放熱・実装に関するプロセス開発（基板研削、ビアやチップ分離加工、裏面金属形成等の加工技術）
④受動素子（キャパシタ、インダクタ、抵抗）形成プロセス開発

求めている人材

＜必須要件＞
以下のいずれかの経験をお持ちの方
　 ・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者
　 ・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
　 ・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者
　 ・高周波増幅器(GHzオーダ)のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル

＜語学力＞
　TOEIC 500点以上または同等の英会話能力を保有。

勤務地

山梨事業所

給与

■給与：経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。
　想定年収：550万円～800万円
　月給　　：28万円～40万円

勤務時間

■勤務時間
　8：30～17：15
　（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
　※コアタイムは11:00から14:00

休日休暇

■休日・休暇
　年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
　年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
　積立休暇
　リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
　計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
　※初年度は入社月により異なります。

福利厚生

■福利厚生
　企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)

会社概要

住友電工デバイス・イノベーション