AT-P1【第二新卒/石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア

Smart Overview

半導体業界において、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を向上させるため、300mmウエハー対応の製造ラインの設計を新たに行います。このプロジェクトには、低損失MOSFETやIGBTの生産能力を増強するためのプロフェッショナルな技術者を募集しています。あなたの技術力を活かし、最先端の半導体製造に携わるチャンスです。挑戦を求めるエンジニアの応募をお待ちしております。

【おすすめポイント】
・最先端の半導体製造プロジェクトに参加できるチャンス
・低損失MOSFETやIGBTの生産能力向上に貢献
・技術者としての成長とキャリアアップが期待できる環境

募集職種

その他

パワーデバイス

前工程プロセス開発

仕事内容

当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するに伴いプロセスインテグレーション技術者を募集します。

求めている人材

1プロダクト2～3年ベースで開発を行っており、週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。
パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発～量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。

勤務地

923-1293  石川県能美市岩内町１－１ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　加賀分室

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：１５～１７：００（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：３０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ