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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年5月26日

東芝デバイス&ストレージ

AT-D1-4【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア

その他デバイス開発エンジニアパワーデバイス
想定年収 年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地 福岡県

Smart Overview

半導体業界の小型MOSFETの開発・設計に携わるチャンスです。このポジションでは、低消費電力技術の革新を推進し、環境に優しい製品の提供に貢献します。高度な技術を駆使して新しいソリューションを創出し、業界の発展に寄与することが求められます。挑戦的なプロジェクトに関与し、自分のスキルを最大限に発揮できる環境でキャリアを築きませんか?

【おすすめポイント】
・小型MOSFETの最前線での開発に携われる
・環境配慮型技術の革新を推進
・挑戦的なプロジェクトへの参加での成長機会

募集職種

その他

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

仕事内容

当部門では車載向け小型MOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通して、省エネ・環境に一緒に貢献していきましょう。

求めている人材

・デバイス設計、シミュレーション(TCAD)
・試作、性能評価、解析
・関連会社と連携した量産立上業務
・ISO9001/IATF16949認証審査対応

勤務地

822-0033  福岡県直方市大字上新入1891-1 東芝デバイス&ストレージ株式会社 豊前分室直方地区

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

8:00~16:45(休憩1時間、所定労働時間7時間45分)
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日126日(2024年度)、週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス&ストレージ