AT-D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）

Smart Overview

半導体業界で急成長中のGaNに関するプロジェクトで、時代の最前線を担うチャンスです。高頻度な立ち上げや、品質を重視した製品および材料の開発に携わる方を求めています。次世代SiCデバイス（トレンチMOSFET、SJ-MOS等）の設計や、技術革新を支えるプロセス開発にも取り組むことができ、業界をリードするエキスパートとして成長する環境が整っています。あなたの専門知識を活かし、新たな挑戦に応じてみませんか？

【おすすめポイント】
・GaN/SiCに特化した先進的なプロジェクトに携われる
・次世代SiCデバイス設計やプロセス開発に関与
・業界のリーダーとしての成長の機会が豊富

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

材料開発エンジニア

仕事内容

その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。

求めている人材

【必須】
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方

勤務地

671-1595  兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　姫路半導体工場

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ