掲載中
応募受付中
掲載日:
2026年5月26日
東芝デバイス&ストレージ
AT-D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
想定年収
年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地
福岡県
Smart Overview
【おすすめポイント】
・技術者としてのスキルを活かせる多様なプロジェクト
・最先端の半導体技術に直接関与できる機会
・キャリアアップにつながる実践的な経験が得られる
募集職種
その他
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
仕事内容
ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
対象デバイスは次のとおり
①IGBT、ダイオード、パワーモジュール(兵庫県揖保郡太子町/石川県能美市)
②アイソレーションデバイス・半導体リレー(福岡県豊前市)
③パワーMOSFET(石川県能美市)
④小信号デバイス。特にMOSFET(兵庫県揖保郡太子町)
⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC(神奈川県川崎市) ※()内は想定勤務地
求めている人材
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・半導体デバイスに関する知識をお持ちの方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。
勤務地
給与
勤務時間
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり