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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年5月26日

東芝デバイス&ストレージ

AT-D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

その他デバイス開発エンジニアパワーデバイス
想定年収 年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地 福岡県

Smart Overview

半導体業界の技術者向け求人情報です。デバイス設計、TCADを用いたシミュレーション、特性評価などの業務に携わるチャンスがあります。特にIGBTやパワーMOSFETの開発、そして小信号デバイスの設計に興味がある方に最適です。最先端の半導体製品に関する知識を深め、実践的な経験を積むことができます。業界の未来を担う技術者として活躍できる場が待っています!

【おすすめポイント】
・技術者としてのスキルを活かせる多様なプロジェクト
・最先端の半導体技術に直接関与できる機会
・キャリアアップにつながる実践的な経験が得られる

募集職種

その他

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

仕事内容

ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
 対象デバイスは次のとおり
  ①IGBT、ダイオード、パワーモジュール(兵庫県揖保郡太子町/石川県能美市)
  ②アイソレーションデバイス・半導体リレー(福岡県豊前市)
  ③パワーMOSFET(石川県能美市)
  ④小信号デバイス。特にMOSFET(兵庫県揖保郡太子町) 
  ⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC(神奈川県川崎市) ※()内は想定勤務地

求めている人材

【尚可】
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・半導体デバイスに関する知識をお持ちの方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。

勤務地

828-0023  福岡県豊前市沓川760番地 東芝デバイス&ストレージ株式会社 豊前分室

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

8:00~16:45(休憩1時間、所定労働時間7時間45分)
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日(2023年度)、週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス&ストレージ