【山形/東根】プロセス開発（パワー半導体向けSiCエピウェハー）◇プライム◇注力事業に携わる
千葉県、山形県
その他
【山形/東根】プロセス開発（パワー半導体向けSiCエピウェハー）◇プライム◇注力事業に携わる
半導体業界の求人一覧
1,074 件が見つかりました
求人一覧
Senior Staff Device Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background】
This team support SPS FET ...
シニア スタッフ デバイスエンジニア（パワーMOSFET）
その他
年収500万～700万円
Job Description
【募集背景】
本チームは、PCP向けSPS（Smar...
【2026/7/29(水) 19:00開催】パワー半導体事業説明会
その他
年収700万～1000万円
◆車載用パワー半導体素子の製品企画／仕様検討（Si-IGBT、SiC-MOSFET、GaN-HEMT）・技術ニーズ調査・技...
電動車両に搭載されるセンサーの企画・開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS,Si-IGBT,GaN）の企画／戦略立...
半導体製品（ウエハ工程、パッケージ工程）の品質保証
愛知県、岐阜県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS,Si-IGBT,GaN）の企画／戦略立...
【日進】電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体材料・デバイス・プロセス研究＜ミライズ＞
愛知県
年収1000万円以上
【日進】電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体材料・デバイス・プロセス研究＜ミライ...
【京都／転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞最先端技術の開発！新進気鋭のベンチャー企業
大阪府、京都府、東京都
その他
【京都／転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞最先端技術の開発！新進気鋭のベンチャー...
【京都／転勤無】パワー半導体デバイスの設計開発 ＜量産化フェーズ＞世界中のスペシャリストと協業◎
京都府
年収500万～700万円
【京都／転勤無】パワー半導体デバイスの設計開発 ＜量産化フェーズ＞世界中のスペシャリストと協業◎
【富山市】設計開発◆東証プライム上場／標準電源の国内シェアトップクラス
高知県、愛媛県、香川県ほか
その他
【富山市】設計開発◆東証プライム上場／標準電源の国内シェアトップクラス
【標準電源の国...
Principal System Engineer
福島県
年収500万～700万円
Job Description
Systems (80% - 90% is the range of the job responsibil...
【山形（千葉）】＼UIターン支援あり／半導体材料（SiC）のプロセス開発／新拠点でプロセス設計へ挑戦
新潟県、千葉県、山形県
年収1000万円以上
【山形（千葉）】＼UIターン支援あり／半導体材料（SiC）のプロセス開発／新拠点でプロセス設計へ挑戦
【茨城・日立市エリア】パワー半導体/製品開発業務【機電】【ご経験を活かせる！】
その他
年収700万～1000万円
【茨城・日立市エリア】パワー半導体/製品開発業務【機電】【ご経験を活かせる！】
~ご経...
Principal System Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
Systems (80% - 90%):
- Leverage strong technical...
Principal Analog Engineer
福島県
年収500万～700万円
Job Description
[Hiring Background]
Reneas has set a goal of ach...
Principal Analog Engineer
埼玉県
年収500万～700万円
Job Description
[Hiring Background]
Reneas has set a goal of ach...
【インターンシップ】パワーデバイス(MOSFET)のテスト設計と評価実習
その他
年収500万～700万円
Job Description
AIの急速な普及に伴い、データセンターおよびAIサーバーの...
【インターンシップ】 低/中電圧 MOSFET素子開発
長野県、新潟県、神奈川県ほか
年収500万～700万円
Job Description
AIの急速な普及に伴い、データセンターおよびAIサーバーの...
【インターンシップ】パワーデバイス（PowerMOSFET）の電気的特性評価と応用検証
福島県
年収700万～1000万円
Job Description
AIの急速な普及に伴い、データセンターおよびAIサーバーの...
電動車向けインバータ及び電源機器用パワー半導体を使った回路・制御研究
愛知県
年収500万～700万円
パワーエレクトロニクス回路、及び制御技術の研究開発・インバータ、コンバータ、半導体リレー等の回路...
SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
愛知県
年収500万～700万円
SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のデバイスおよびプロセスに関する研...
電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究
愛知県
年収500万～700万円
パワーデバイス材料研究、デバイス開発・ウェハガス成長法の研究開発・横型GaN-HEMTのデバイス開発・α酸...
【愛知/豊田】＜半導体の研究機関＞研究開発(デバイス・プロセス/パワー半導体）／在宅可＜ミライズ＞
愛知県
その他
【愛知/豊田】＜半導体の研究機関＞研究開発(デバイス・プロセス/パワー半導体）／在宅可＜ミライズ＞
Principal Analog Engineer
福島県
年収500万～700万円
Job Description
[Hiring Background]
Reneas has set a goal of ach...
Sr Principal Engineer
福島県
年収500万～700万円
Job Description
We are seeking a highly motivated GaN Technology Devel...
【新潟／長岡市】プロセスエンジニア（次世代半導体）※GaN・SiC基板／ワークライフバランス◎
新潟県
その他
【新潟／長岡市】プロセスエンジニア（次世代半導体）※GaN・SiC基板／ワークライフバランス◎
Principal, Mask Design Engineer
東京都
年収500万～700万円
Job Description
Job Purpose:
Lay out GaN power device ac...
Senior Foundry Tape-Out Engineer
埼玉県
年収500万～700万円
Job Description
Position Overview
The GaN Tape-Out Suppor...
電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発
その他
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
【多摩】組込みFW設計(1kW～100kW級デジタル制御電源開発)◆多角化経営の安定基盤◎
東京都
その他
【多摩】組込みFW設計(1kW～100kW級デジタル制御電源開発)◆多角化経営の安定基盤◎
～デー...
Principal Analog Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
Background ot the Recruitment
当社は、203...
【インターンシップ】IPD(Intelligent Power Device)の設計・評価業務
福島県
年収500万～700万円
求人内容
自動車業界は電動化・自動運転・コネクテッド化が同時に進行し、...
Sr. Layout Engineer
福島県
年収500万～700万円
Job Description
We are looking for a new engineer for mask layout desi...
プロセスエンジニア 【山梨】化合物半導体電子デバイスウェハプロセス開発者及び技術者
その他
その他
①GaN HEMTのウエハプロセス開発
②多層配線（電極材料、層間絶縁膜、平坦化）技術開発
...
電子デバイスエンジニア 【山梨】高周波デバイス、増幅器開発、および高周波パッケージ開発
その他
年収1000万円以上
①携帯電話基地局向けGaN－HEMTを用いたデバイス、増幅器設計開発
②顧客向けドハティ増幅器の設...
Staff Validation Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background of the Recruitment】
The Pow...
【京都／転勤無】パワー半導体の設計開発 ＜量産化の成長フェーズ＞国内外のスペシャリストと協業
京都府
その他
【京都／転勤無】パワー半導体の設計開発 ＜量産化の成長フェーズ＞国内外のスペシャリストと協業
...
【京都市※転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞量産化に向けた成長フェーズに携われる◎
京都府
その他
【京都市※転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞量産化に向けた成長フェーズに携われる◎<...
【京都／長岡京】MOSFET製品の検査技術開発（デバイス・プロセス経験者歓迎）◆フレックスタイム制
京都府
年収1000万円以上
【京都／長岡京】MOSFET製品の検査技術開発（デバイス・プロセス経験者歓迎）◆フレックスタイム制
...
【山形／山形事業所】SiC増産に伴う製造技術開発者（エピ工程）_26047DS
大分県、岡山県、石川県ほか
年収700万～1000万円
＜組織のビジョン・ミッション／活動方針＞
「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素...
鹿児島／転勤無【プロセス・デバイスエンジニア】★年休126日
鹿児島県
年収700万～1000万円
仕事内容
【あなたの製造...
【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET／中電圧トレンチ／次世代技術の設計開発
群馬県
その他
【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET／中電圧トレンチ／次世代技術の設計開発
AT-D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
福岡県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
AT-D1【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア
兵庫県
年収700万～1000万円
当部門では産業、車載向けMOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通し...
AT-P1【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
兵庫県
年収700万～1000万円
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引す...
AT-P1【第二新卒/石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-D1-4【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア
福岡県
年収700万～1000万円
当部門では車載向け小型MOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通して...