＜UIターン歓迎＞【豊田市・日進市】次世代パワー半導体素子のプロセス開発／フレックス＜セミコン＞●
福岡県、愛知県
年収700万～1000万円
＜UIターン歓迎＞【豊田市・日進市】次世代パワー半導体素子のプロセス開発／フレックス＜セミコン＞●
半導体業界の求人一覧
814 件が見つかりました
求人一覧
【兵庫/伊丹】高周波デバイスの開発設計・製品化 ◆残業月平均20h程度／リモート・フレックス制度有
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫/伊丹】高周波デバイスの開発設計・製品化 ◆残業月平均20h程度／リモート・フレックス制度有
【京都／長岡京】MOSFET製品の検査技術開発（デバイス・プロセス経験者歓迎）◆フレックスタイム制
兵庫県、大阪府、京都府ほか
年収1000万円以上
【京都／長岡京】MOSFET製品の検査技術開発（デバイス・プロセス経験者歓迎）◆フレックスタイム制
...
【山形／山形事業所】SiC増産に伴う製造技術開発者（エピ工程）_26047DS
長野県、福井県、新潟県ほか
年収700万～1000万円
＜組織のビジョン・ミッション／活動方針＞
「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素...
【兵庫/伊丹】高周波デバイスの開発・プロジェクトマネジメント ◆成長分野／リモート・フレックス
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫/伊丹】高周波デバイスの開発・プロジェクトマネジメント ◆成長分野／リモート・フレックス
...
【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET／中電圧トレンチ／次世代技術の設計開発
東京都、群馬県
その他
【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET／中電圧トレンチ／次世代技術の設計開発
【SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発】◆在宅勤務可◆三菱電機G＃熊本
北海道
年収700万～1000万円
【SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発】◆在宅勤務可◆三菱電機G＃熊本
【SiCパワーデバ...
AT-D1【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア
兵庫県
年収700万～1000万円
当部門では産業、車載向けMOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通し...
AT-P1【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
福岡県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
AT-D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
兵庫県
年収700万～1000万円
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引す...
AT-P1【第二新卒/石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-P2【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア（パワーデバイスのユニットプロセス）
兵庫県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-D1【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
AT-D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）
神奈川県
年収700万～1000万円
弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究...
Product Development Engineer for Discrete Power
その他
年収700万～1000万円
Job Description
AIデータセンタの需要拡大に伴い、タイムリーに製品リリー...
【京都／転勤無】パワー半導体の設計開発 ＜量産化の成長フェーズ＞国内外のスペシャリストと協業
京都府
その他
【京都／転勤無】パワー半導体の設計開発 ＜量産化の成長フェーズ＞国内外のスペシャリストと協業
...
【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
■募集背景：
カ...
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
【脱炭素...
【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発◆研修・福利厚生充実／年休127日
石川県
年収700万～1000万円
【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発◆研修・福利厚生充実／年休127日
【脱炭素・...
【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）／就業環境◎福利厚生充実
福島県
年収700万～1000万円
【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）／就業環境◎福利厚生充実
【脱炭...
【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーション◆福利厚生充実／年休127日
石川県
年収700万～1000万円
【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーション◆福利厚生充実／年休127日
【石川】未経験・第二新卒歓迎｜パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生◎
石川県
その他
【石川】未経験・第二新卒歓迎｜パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生...
【パワー半導体（IGBT／Diode／IC）製造エンジニア】◆年間休日131日◆三菱電機G＃熊本
熊本県
年収700万～1000万円
【パワー半導体（IGBT／Diode／IC）製造エンジニア】◆年間休日131日◆三菱電機G＃熊本
【パ...
【築地】FAE（半導体）※最先端技術に携われる／年休125日／平均残業20H程度【プライム上場G】
東京都
その他
【築地】FAE（半導体）※最先端技術に携われる／年休125日／平均残業20H程度【プライム上場G】
電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）のプロセス開発業務具体的には、...
電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOSFET）の企画/開発/設計業務具...
電動車向けパワー半導体素子の企画/拡販戦略立案
その他
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS,Si-IGBT,GaN）の企画／戦略立...
電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発
その他
年収500万～700万円
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）の企画/開発/設計業務具体的には...
電動車向けSiパワー半導体素子の開発
その他
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT）の企画/開発/設計業務具体的...
電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発
その他
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT,SiC-MOSFET,GaN）の企画/設計...
電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOSFET）の企画/設計/プロセス開...
【滋賀】半導体プロセスエンジニア、インテグレーター※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
その他
年収700万～1000万円
【滋賀】半導体プロセスエンジニア、インテグレーター※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
【滋賀】生産技術・生産設備(プロセス）※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
その他
年収700万～1000万円
【滋賀】生産技術・生産設備(プロセス）※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
※...
Principal System Engineer
福島県
年収500万～700万円
Job Description
Systems (80% - 90% is the range of the job responsibil...
Sr Staff Project/Program Design
その他
年収500万～700万円
Job Description
About the Role
Renesas is ...
車載用半導体の素子-システム一貫シミュレーションモデル開発
その他
年収500万～700万円
車載用半導体(SiC、GaN)における素子の設計技術開発(TCAD,SPICE)、及びパワエレ設計環境開発に従事いた...
【熊本/WEB面接可】パワー半導体（主にSiC）製造エンジニア【パワーデバイス製作所】NEW
熊本県
年収700万～1000万円
●採用背景
パワーデバイス市場は、脱炭素社会に向けた環境規制の強化などにより、中・長期的に拡...
【熊本/WEB面接可】パワー半導体（IGBT/Diode/IC）製造エンジニア【パワーデバイス製作所】NEW
熊本県
年収700万～1000万円
●採用背景
パワーデバイス市場は、脱炭素社会に向けた環境規制の強化などにより、中・長期的に拡...
【熊本/WEB面接可】SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発【パワーデバイス製作所】NEW
熊本県
年収700万～1000万円
●採用背景
カーボンニュートラル社会の実現に向け、電力損失を大幅に低減できる8インチSiCウエハ...
【厚木】GaNエピウェハの製造・検査・評価◆NTTグループ技術中核企業/転勤無/平均残業時間15h◆
神奈川県
その他
【厚木】GaNエピウェハの製造・検査・評価◆NTTグループ技術中核企業/転勤無/平均残業時間15h◆
【京都】次世代SiC・GaNパワー半導体の評価・解析｜年休124日・転勤なし・転居費用負担制度あり
京都府
その他
【京都】次世代SiC・GaNパワー半導体の評価・解析｜年休124日・転勤なし・転居費用負担制度あり
<...
【福岡】SiCデバイス開発エンジニア
その他
年収500万～700万円
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弊社求人にご興味をお持ちいただきありがとうございます。
SiC...
【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆
神奈川県
その他
【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆
【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア◆高い技術力で社会貢献/フレックス有
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア◆高い技術力で社会貢献/フレックス有
Principal Medium Voltage (MV) Power MOSFET Process Integration Engineer
山形県
年収500万～700万円
Job Description
We are looking for a highly motivated and skilled engi...
Principal Medium Voltage (MV) Power MOSFET Process Integration Engineer
大分県
年収500万～700万円
Job Description
We are looking for a highly motivated and skilled engi...
Principal Engineer, IPD Process Technology
福島県
年収500万～700万円
Job Description
[Hiring Background]
Reneas has set a goal of ach...
【鹿児島/湧水】半導体プロセス・デバイスエンジニア（前工程）◆年間休日126日/残業15H/転勤無し
北海道
その他
【鹿児島/湧水】半導体プロセス・デバイスエンジニア（前工程）◆年間休日126日/残業15H/転勤無し
...