電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
半導体業界の求人一覧
1,002 件が見つかりました
求人一覧
電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けSiパワー半導体素子の開発
愛知県
年収700万～1000万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収700万～1000万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けパワー半導体素子の企画/拡販戦略立案
愛知県
年収700万～1000万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
Principal Medium Voltage Power MOSFET Design Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
Job Summary:
We are looking for a highly motivat...
【滋賀】半導体プロセスエンジニア、インテグレーター※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
その他
年収700万～1000万円
【滋賀】半導体プロセスエンジニア、インテグレーター※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
【滋賀】生産技術・生産設備(プロセス）※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
愛知県
年収700万～1000万円
【滋賀】生産技術・生産設備(プロセス）※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
※...
電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOSFET）の企画/開発/設計業務具...
電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
その他
年収500万～700万円
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）のプロセス開発業務具体的には、...
電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOSFET）の企画/設計/プロセス開...
電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発
その他
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT,SiC-MOSFET,GaN）の企画/設計...
電動車向けSiパワー半導体素子の開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT）の企画/開発/設計業務具体的...
電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発
その他
年収500万～700万円
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）の企画/開発/設計業務具体的には...
電動車向けパワー半導体素子の企画/拡販戦略立案
その他
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS,Si-IGBT,GaN）の企画／戦略立...
Validation Engineer
埼玉県
年収500万～700万円
Job Description
【Background of the Recruitment】
The Pow...
その他
年収500万～700万円
仕事内容
化合物半導体...
Sr Staff, Mask Design Engineer
東京都
年収500万～700万円
Job Description
Job Purpose:
• Lay out GaN power device acco...
Product Engineer
青森県
年収500万～700万円
Job Description
【Background】
This team supports SPS FET...
【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆
神奈川県
その他
【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆
【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア◆高い技術力で社会貢献/フレックス有
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア◆高い技術力で社会貢献/フレックス有
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（GaN）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（GaN）＜セミコン＞
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発＜セミコン＞
愛知県
年収700万～1000万円
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発＜セミコン＞
■...
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞
■業...
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（SiC）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（SiC）＜セミコン＞
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（GaN）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（GaN）＜セミコン＞
＜UIターン歓迎＞【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞
鹿児島県、宮崎県、大分県ほか
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞
■業...
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（SiC）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（SiC）＜セミコン＞
【オシロスコープ経験者歓迎！パワーデバイス開発・評価】成長領域◎急速な技術進化◆WEB面接＃1271
その他
年収700万～1000万円
【オシロスコープ経験者歓迎！パワーデバイス開発・評価】成長領域◎急速な技術進化◆WEB面接＃1271
...
シニア スタッフ デバイスエンジニア（パワーMOSFET）
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background】
This team supports SPS FET...
【福岡】SiCデバイス開発エンジニア
その他
年収500万～700万円
≪ローム公式HPへようこそ！≫
弊社求人にご興味をお持ちいただきありがとうございます。
SiC...
ポテンシャル採用！パワー半導体デバイスの【設計開発】年休124
京都府
その他
仕事内容
化合物半導体...
即戦力採用！パワー半導体デバイスの【設計開発】年休124
京都府
年収700万～1000万円
仕事内容
化合物半導体を...
【会津】プロセスエンジニア◇アナログ半導体世界シェアトップクラス／年間休日125日
福岡県
年収1000万円以上
【会津】プロセスエンジニア◇アナログ半導体世界シェアトップクラス／年間休日125日
【職...
ポストシリコン・バリデーション・スタッフエンジニア
福島県
年収500万～700万円
Job Description
【募集背景】
ルネサス エレクトロニクスの...
Post Silicon Staff Validation Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background of the Recruitment】
The Pow...
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
その他
年収700万～1000万円
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
【鹿児島/湧水】半導体プロセス・デバイスエンジニア（前工程）◆年間休日126日/残業15H/転勤無し
北海道
その他
【鹿児島/湧水】半導体プロセス・デバイスエンジニア（前工程）◆年間休日126日/残業15H/転勤無し
...
【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア（年休130日/事業拡大に伴う組織強化）
福岡県
年収700万～1000万円
【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア（年休130日/事業拡大に伴う組織強化）
■仕事内容...
【岐阜県土岐市】SiCヒーターの設計技術｜セラミック部材※東証プライム上場／トップシェア製品有
その他
年収1000万円以上
【岐阜県土岐市】SiCヒーターの設計技術｜セラミック部材※東証プライム上場／トップシェア製品有
...
【山形／山形事業所】SiC増産に伴う製造技術開発者（エピ工程）_25072DS
千葉県、福島県、山形県ほか
その他
＜組織のビジョン・ミッション／活動方針＞
「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素...
半導体前工程プロセスエンジニア_プロセスインテグレーション
その他
年収500万～700万円
Job Description
【募集背景】
当社は車載・民生・産業用途の...
【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア（パワーデバイスのユニットプロセス）
兵庫県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
【所沢】電源システム／DC-DCコンバータの設計・開発・評価◆開発費に企業規模以上の投資◆年126休
神奈川県、東京都、埼玉県ほか
その他
【所沢】電源システム／DC-DCコンバータの設計・開発・評価◆開発費に企業規模以上の投資◆年126休
...
【滋賀】MEMS製品の量産検査工程構築※東証プライム上場グループ◆年間休日125日・フレックス
その他
年収700万～1000万円
【滋賀】MEMS製品の量産検査工程構築※東証プライム上場グループ◆年間休日125日・フレックス
Post Silicon Staff Validation Engineer
長野県
年収500万～700万円
Job Description
【Background of the Recruitment】
The Pow...
【滋賀】生産技術・生産設備（検査工程構築）※東証プライム上場グループ◆年間休日125日・フレックス
長崎県、佐賀県、福岡県ほか
年収700万～1000万円
【滋賀】生産技術・生産設備（検査工程構築）※東証プライム上場グループ◆年間休日125日・フレックス
【京都／長岡京】商品開発＜MOSFET＞◆新規技術開発・新商品設計など／在宅可／年127日休
大阪府、京都府
年収1000万円以上
【京都／長岡京】商品開発＜MOSFET＞◆新規技術開発・新商品設計など／在宅可／年127日休
□...
【滋賀】半導体の生産技術・生産設備（インテグレータ）業務※東証プライム上場グループ◆年間休日125日
その他
年収700万～1000万円
【滋賀】半導体の生産技術・生産設備（インテグレータ）業務※東証プライム上場グループ◆年間休日125日
【北海道千歳市】プロセス・デバイス設計開発◆プライム上場／総合電機メーカー／年収～1000万円
北海道
年収700万～1000万円
【北海道千歳市】プロセス・デバイス設計開発◆プライム上場／総合電機メーカー／年収～1000万円
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