電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発

デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発

想定年収年収500万～700万円、年収300万～500万円、年収300万円未満

勤務地愛知県

Smart Overview

次世代の半導体技術を支える企業で、SiCパワー半導体のプロフェッショナルを求めています。私たちのチームでは、世界的なニーズに応える高品質な製品の開発・設計を行い、初めての挑戦を通じて新しい価値を生み出しています。業務内容は、SiC-MOSFETの設計から製品開発、技術調査まで多岐にわたり、若手から中堅まで活躍しています。技術的な成長を追求し、グローバルな舞台で視野を広げるチャンスも待っています。

【おすすめポイント】
・最先端技術を用いたSiCパワー半導体の開発業務。
・多様な業務内容に関わることでスキルアップを実現。
・グローバルな市場での経験を積む機会が豊富。

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

仕事内容

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。【】電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOSFET）の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用SiC-MOSFETの製品企画／仕様検討　・技術ニーズ調査　・技術動向調査　・目標仕様調整および設計◆車載用SiC-MOSFETデバイス開発・設計　・デバイスシミュレーション　・構造検討およびレイアウト設計　・素子試作評価、分析解析、良品率改善　・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック【業務のやりがい・魅力】・SiCパワー半導体デバイス開発に関するスキルアップができます。特に、最先端の研究機関との連携や、試作ラインを用いて、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。・素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ開発部署と密接に連携しながら開発を進めるため、様々な専門知識を持つ方たちと一気通貫で多岐にわたる業務を経験できます。・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。【関連リンク】半導体｜特集記事｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソークルマの「電動化」を支える、次世代SiCパワー半導体チップの開発｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソーパワー半導体で未来を創る──その挑戦を支える「自分らしさ」を尊重したキャリアと働き方｜DRIVEN BASE（ドリブンベース）- デンソー

求めている人材

＜MUST要件＞半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方　※パワー半導体の経験有無は問いません＜WANT要件＞以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方　・半導体素子の設計および開発経験（目安：3年以上）をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知＞広瀬製作所（愛知県豊田市）

会社概要

株式会社デンソー