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半導体業界の求人一覧


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3,678 件が見つかりました

求人一覧

株式会社デンソー
85日前

電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 技術営業・FAE
愛知県 年収500万~700万円

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/開発/設計業務具...

株式会社デンソー
85日前

電動車向けパワー半導体素子の企画/拡販戦略立案

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 技術営業・FAE
その他 年収500万~700万円

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOS,Si-IGBT,GaN)の企画/戦略立...

株式会社デンソー
85日前

電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収500万~700万円

電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子(GaNーHEMT)の企画/開発/設計業務具体的には...

株式会社デンソー
85日前

電動車向けSiパワー半導体素子の開発

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
その他 年収500万~700万円

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(Si-IGBT)の企画/開発/設計業務具体的...

株式会社デンソー
85日前

電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • プロセス技術研究者
その他 年収500万~700万円

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(Si-IGBT,SiC-MOSFET,GaN)の企画/設計...

株式会社デンソー
85日前

電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収500万~700万円

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/設計/プロセス開...

ミツミ電機株式会社
85日前

【滋賀】半導体プロセスエンジニア、インテグレーター※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数

  • センサーデバイス
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収700万~1000万円

【滋賀】半導体プロセスエンジニア、インテグレーター※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数

ミツミ電機株式会社
85日前

【滋賀】生産技術・生産設備(プロセス)※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収700万~1000万円

【滋賀】生産技術・生産設備(プロセス)※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数

※...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
85日前

Principal System Engineer

  • その他
  • パワーデバイス
  • ミックスドシグナルIC設計
福島県 年収500万~700万円

Job Description



Systems (80% - 90% is the range of the job responsibil...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
85日前

Sr Staff Project/Program Design

  • パワーデバイス
  • プログラムマネージャー
  • プロジェクトマネージャー
その他 年収500万~700万円

Job Description



About the Role

 

Renesas is ...

株式会社デンソー
85日前

車載用半導体の素子-システム一貫シミュレーションモデル開発

  • CAD/EDAエンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収500万~700万円

車載用半導体(SiC、GaN)における素子の設計技術開発(TCAD,SPICE)、及びパワエレ設計環境開発に従事いた...

関東スターワークス株式会社 群馬テクニカルセンター
90日前

組込みソフト開発

  • テスト開発エンジニア
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
長野県、新潟県、神奈川県ほか 年収1000万円以上

C/C++経験を活かして長期プロジェクトへ参画可能!!
半導体装置向け制御ソフト開発業務をご担当...

デクセリアルズ フォトニクス ソリューションズ
90日前

フォトニクス/R&D ポリマー光導波路デバイス開発/栃木(世界シェアNo.1/プライム上場メーカー)

  • その他
  • 光電子デバイス
  • 材料開発エンジニア
栃木県 年収700万~1000万円

1.ポリマー光導波路材料の開発
・低損失・高耐熱・高信頼性を実現するポリマー材料の分子設計お...

三菱電機
92日前

【熊本/WEB面接可】パワー半導体(主にSiC)製造エンジニア【パワーデバイス製作所】NEW

  • ウェハ材料
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
熊本県 年収700万~1000万円

●採用背景
パワーデバイス市場は、脱炭素社会に向けた環境規制の強化などにより、中・長期的に拡...

三菱電機
92日前

【熊本/WEB面接可】パワー半導体(IGBT/Diode/IC)製造エンジニア【パワーデバイス製作所】NEW

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 生産技術エンジニア
熊本県 年収700万~1000万円

●採用背景
パワーデバイス市場は、脱炭素社会に向けた環境規制の強化などにより、中・長期的に拡...

三菱電機
92日前

【熊本/WEB面接可】SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発【パワーデバイス製作所】NEW

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
熊本県 年収700万~1000万円

●採用背景
カーボンニュートラル社会の実現に向け、電力損失を大幅に低減できる8インチSiCウエハ...

NTTアドバンステクノロジ株式会社
95日前

【厚木】GaNエピウェハの製造・検査・評価◆NTTグループ技術中核企業/転勤無/平均残業時間15h◆

  • ウェハ材料
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
神奈川県 その他

【厚木】GaNエピウェハの製造・検査・評価◆NTTグループ技術中核企業/転勤無/平均残業時間15h◆

ハギワラソリューションズ株式会社
95日前

【静岡/浜松※ハイクラス】プロダクトマネージャー(自社開発) BtoB向けの用途が急拡大中

  • デバイス開発エンジニア
  • メモリデバイス
  • 生産技術エンジニア
静岡県 その他

【静岡/浜松※ハイクラス】プロダクトマネージャー(自社開発) BtoB向けの用途が急拡大中

...

東芝デバイス&ストレージ
95日前

BT-Q5-2【神奈川】サプライヤ品質管理エンジニア(ヘッド製品)_HDD

  • メモリデバイス
  • 品質管理エンジニア
  • 製品評価エンジニア
神奈川県 年収700万~1000万円

HDDに使用されるヘッド関連部品において、サプライヤー品質の管理・改善業務を担っていただきます。ヘッ...

Anjet Research Lab株式会社
95日前

【京都】次世代SiC・GaNパワー半導体の評価・解析|年休124日・転勤なし・転居費用負担制度あり

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
京都府 その他

【京都】次世代SiC・GaNパワー半導体の評価・解析|年休124日・転勤なし・転居費用負担制度あり
<...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
97日前

HPC SoC Document Workflow Development Engineer / Leader class

  • ASIC/SoC設計
  • デジタルIC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
秋田県 年収500万~700万円

Job Description



【募集背景】

自動車の電動化・知能化が進む...

ハギワラソリューションズ株式会社
97日前

【横浜/※ハイクラス】プロダクトマネージャー(自社開発) BtoB向けの用途が急拡大中

  • デバイス開発エンジニア
  • メモリデバイス
  • 生産技術エンジニア
神奈川県 その他

【横浜/※ハイクラス】プロダクトマネージャー(自社開発) BtoB向けの用途が急拡大中

~エ...

キオクシア株式会社
98日前

横浜◆設計開発(SSDアーキテクチャ)在宅勤務可/世界で活躍する国内半導体メーカー/異業種歓迎

  • ASIC/SoC設計
  • その他
  • メモリデバイス
神奈川県 年収1000万円以上

横浜◆設計開発(SSDアーキテクチャ)在宅勤務可/世界で活躍する国内半導体メーカー/異業種歓迎
...

ローム株式会社
99日前

【福岡】SiCデバイス開発エンジニア

  • CAD/EDAエンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収500万~700万円

≪ローム公式HPへようこそ!≫
弊社求人にご興味をお持ちいただきありがとうございます。
SiC...

住友電工デバイス・イノベーション株式会社
102日前

【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
神奈川県 その他

【横浜】高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発および高周波回路の設計開発◆

東芝デバイス&ストレージ株式会社
102日前

【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア◆高い技術力で社会貢献/フレックス有

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 生産技術エンジニア
兵庫県 年収700万~1000万円

【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア◆高い技術力で社会貢献/フレックス有

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
102日前

【神奈川】アナログ回路設計/モバイル機器向け次世代CMOSイメージセンサー※在宅可#DS_A2005

  • センサーデバイス
  • デバイス開発エンジニア
  • 光電子デバイス
神奈川県 その他

【神奈川】アナログ回路設計/モバイル機器向け次世代CMOSイメージセンサー※在宅可#DS_A2005

ルネサス エレクトロニクス株式会社
102日前

SoC Test Engineer

  • ASIC/SoC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
その他 年収500万~700万円

Job Description



【募集背景】

ルネサスの車載MCU製品は超低...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
102日前

Quality Assurance Engineer

  • デバイス開発エンジニア
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
その他 年収500万~700万円

Job Description



当社のチームに加わっていただける、経験豊富なバリデーシ...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
102日前

Principal Medium Voltage (MV) Power MOSFET Process Integration Engineer

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
山形県 年収500万~700万円

Job Description



We are looking for a highly motivated and skilled engi...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
102日前

Principal Medium Voltage (MV) Power MOSFET Process Integration Engineer

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
大分県 年収500万~700万円

Job Description



We are looking for a highly motivated and skilled engi...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
102日前

Principal Engineer, IPD Process Technology

  • パワーデバイス
  • プロセス技術研究者
  • 前工程プロセス開発
福島県 年収500万~700万円

Job Description



[Hiring Background]
Reneas has set a goal of ach...

I‐PEX Piezo Solutions株式会社
102日前

【福岡】MEMSプロセスエンジニア(第二新卒可)※世界初技術保有/独立系ファウンドリ/福利厚生◎

  • センサーデバイス
  • デバイス開発エンジニア
  • 前工程プロセス開発
山梨県、神奈川県、東京都ほか その他

【福岡】MEMSプロセスエンジニア(第二新卒可)※世界初技術保有/独立系ファウンドリ/福利厚生◎
...

株式会社ニコン【プライム市場】
102日前

技術系総合職/スーパーフレックス/在宅勤務可/年休128日

  • 光電子デバイス
  • 生産技術エンジニア
  • 設備エンジニア
熊本県、福岡県、滋賀県ほか 年収1000万円以上

【経験に応じたポジションで活躍】機械設計・電気設計・生産技術・光学設計・研究開発など

...

株式会社日立ハイテク
104日前

電子光学システム設計エンジニア/茨城勤務NEW

  • プロセス技術研究者
  • 光電子デバイス
  • 計測・解析エンジニア
神奈川県、東京都、千葉県ほか その他

【業務内容】
評価システム製品本部マルチビームシステム設計部において次世代半導体検査・計測装...

フェニテックセミコンダクター株式会社
104日前

【鹿児島/湧水】半導体プロセス・デバイスエンジニア(前工程)◆年間休日126日/残業15H/転勤無し

  • ASIC/SoC設計
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
北海道 その他

【鹿児島/湧水】半導体プロセス・デバイスエンジニア(前工程)◆年間休日126日/残業15H/転勤無し
...

株式会社 本田技術研究所
104日前

【大阪】四輪電子プラットフォーム研究開発(E&Eアーキテクチャ)◆事故ゼロ社会へ貢献

  • ASIC/SoC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
その他 年収1000万円以上

【大阪】四輪電子プラットフォーム研究開発(E&Eアーキテクチャ)◆事故ゼロ社会へ貢献

~...

株式会社ソニック
105日前

【西多摩】海象向け計測機器のサービスエンジニア◆社会の安心安全を守る/官公庁から安定受注

  • センサーデバイス
  • 技術営業・FAE
  • 計測・解析エンジニア
東京都 その他

【西多摩】海象向け計測機器のサービスエンジニア◆社会の安心安全を守る/官公庁から安定受注

ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社
105日前

【京都】IC開発・設計(ARMベースCPUの周辺回路設計)◆土日祝休み/在宅勤務制度あり

  • ASIC/SoC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
その他 その他

【京都】IC開発・設計(ARMベースCPUの周辺回路設計)◆土日祝休み/在宅勤務制度あり

□■空...

ハイデンハイン株式会社
105日前

【町田】内勤メイン◎フィールドサービスエンジニア◇英語力を活かす/ドイツに本社を置く光学機器メーカー

  • その他
  • 光電子デバイス
  • 計測・解析エンジニア
東京都 年収500万~700万円

【町田】内勤メイン◎フィールドサービスエンジニア◇英語力を活かす/ドイツに本社を置く光学機器メーカ...

ミラクシア エッジテクノロジー株式会社
105日前

【京都】SoC/LSI/マイコン向け BSP技術及びSecureBSP技術※グローバル半導体グループ

  • ASIC/SoC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
京都府 年収700万~1000万円

【京都】SoC/LSI/マイコン向け BSP技術及びSecureBSP技術※グローバル半導体グループ

【半...

株式会社デンソー
105日前

<UIターン歓迎>【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<セミコン>●

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 品質保証エンジニア
その他 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<セミコン>●

■業...

株式会社デンソー
105日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<セミコン>●

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 その他

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<セミコン>●

■業...

株式会社デンソー
105日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(SiC)<セミコン>●

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(SiC)<セミコン>●
<...

株式会社デンソー
105日前

<UIターン歓迎>【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発(SiC)<セミコン>●

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発(SiC)<セミコン>●
...

株式会社デンソー
105日前

<UIターン歓迎>【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(GaN)<セミコン>●

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(GaN)<セミコン>●
...

株式会社デンソー
105日前

<UIターン歓迎>【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発(GaN)<セミコン>●

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 その他

<UIターン歓迎>【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発(GaN)<セミコン>●
...

株式会社デンソー
105日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発<セミコン>●

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発<セミコン>●

■...

Anjet Research Lab株式会社
105日前

【京都】デバイス開発設計(次世代SiC・GaNパワー半導体)ポテンシャル採用|年休124日

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
京都府 年収700万~1000万円

【京都】デバイス開発設計(次世代SiC・GaNパワー半導体)ポテンシャル採用|年休124日

~...

Anjet Research Lab株式会社
105日前

【京都】デバイスの品質保証(評価・信頼性)次世代SiC・GaNパワー半導体|年休124日

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
京都府 年収1000万円以上

【京都】デバイスの品質保証(評価・信頼性)次世代SiC・GaNパワー半導体|年休124日

~次...