【京都】次世代SiC・GaNパワー半導体の評価・解析｜年休124日・転勤なし・転居費用負担制度あり

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パワーデバイス

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【京都】次世代SiC・GaNパワー半導体の評価・解析｜年休124日・転勤なし・転居費用負担制度あり

～次世代SiC・GaNパワー半導体｜研究開発から量産化に向けた品質基準の構築まで｜転居費用負担制度あり～

＼次世代パワー半導体を研究から量産へ／
当社は、電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる次世代パワー半導体を開発する“ファブレス半導体企業”です。
現在は、これまで培ってきた技術を製品として世の中へ届けるため、研究開発フェーズから量産フェーズへ移行を進めています。
世界のエネルギー効率向上に貢献する技術を、一緒に形にしていただける方を募集します。

▼職務内容
SiC/GaNパワーデバイスの信頼性評価・品質保証業務をご担当いただきます。
【具体的には】
・各種信頼性試験（高温動作試験、温度サイクル試験、寿命試験等）の計画・実施
・AEC-Q101、JEDEC等の規格に基づく評価・解析
・故障解析（FA）および不良メカニズムの究明
・評価データの分析および品質改善活動
・ファウンドリーや外部機関との技術連携
・品質レポート作成、顧客対応
・量産立上げに向けた品質基準の構築・運用

▼開発製品
Wide Band Gap Power Devices
･SiC
･GaN など
当社の技術は海外自動車メーカーのEVやEV充電設備にも採用されています。
今後はさらなる量産化とグローバル展開を進めていきます。

▼教育体制
大手半導体メーカー出身のスペシャリストが多数在籍しています。
・TI
・ON Semiconductor
・日立
・三菱電機
・ルネサス
・ローム
第一線で活躍してきた技術者と共に開発できます。

▼その他
・年間休日数：124日
・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み
・従業員専用駐車場あり（会社負担）
・転居費用負担制度あり
・2026年内に京都リサーチパーク（京都市下京区中堂寺粟田町93）へ移転予定

▼企業説明
SiC・GaNをはじめとする次世代パワー半導体の設計・開発を行うファブレス半導体メーカーです。
日本・台湾・米国のファウンドリーや研究機関と連携し、高性能・高信頼性なパワーデバイスの早期市場投入を目指しています。

変更の範囲：会社の定める業務