【京都】デバイス開発設計（次世代SiC・GaNパワー半導体）ポテンシャル採用｜年休124日

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【京都】デバイス開発設計（次世代SiC・GaNパワー半導体）ポテンシャル採用｜年休124日

～次世代SiC・GaNパワー半導体｜研究開発から量産化へ｜大手半導体メーカー出身者が集うプロ集団～

＼次世代パワー半導体を研究から量産へ／
当社は、電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる次世代パワー半導体を開発する“ファブレス半導体企業”です。
国内外の企業からの出資を受けながら、世界市場を見据えた事業を展開しています。
現在は、これまで培ってきた技術を製品として世の中へ届けるため、研究開発フェーズから量産フェーズへ移行を進めています。
世界のエネルギー効率向上に貢献する技術を、一緒に形にしていただける方を募集します。

▼仕事内容
トランジスタやダイオードなどのパワー半導体デバイスの設計・解析をお任せいたします。
【具体的には】
・デバイス構造の設計
・シミュレーション解析
・特性改善の検討
・試作評価
・ファウンドリとの技術連携
・量産化に向けた開発
※研究だけではなく、設計から量産立上げまで一貫して関われます。

▼開発製品
Wide Band Gap Power Devices
･SiC
･GaN など
当社の技術は海外自動車メーカーのEVやEV充電設備にも採用されています。
今後はさらなる量産化とグローバル展開を進めていきます。

▼教育体制
大手半導体メーカー出身のスペシャリストが多数在籍しています。
・TI
・ON Semiconductor
・日立
・三菱電機
・ルネサス
・ローム
第一線で活躍してきた技術者と共に開発できます。

▼その他
・年間休日数：124日
・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み
・従業員専用駐車場あり（会社負担）
・転居費用負担制度あり
・2026年内に京都リサーチパーク（京都市下京区中堂寺粟田町93）へ移転予定

▼当社について
◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。


変更の範囲：会社の定める業務