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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年8月17日

株式会社デンソー

電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発

その他デバイス開発エンジニアパワーデバイス
想定年収 年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地 その他

Smart Overview

半導体業界でのキャリアを目指す皆さんにオススメの求人です!電動車向けのGaN-HEMTパワー半導体の開発に携わり、最新の技術を駆使して高効率・低損失の製品を設計・評価します。あなたには、製品仕様の検討や技術のリサーチ、さらに装置設計や評価分析における実践的な経験を積むチャンスがあります。このポジションでは、業界トップの専門知識を持ったチームで働きながら、自身のスキルとキャリアを大いに成長させられます。

【おすすめポイント】
・最先端のGaN-HEMT技術を学べる環境
・幅広い業務に携わり、豊富な経験を積むことが可能
・業界のリーダーたちと共に成長できるチャンス

募集職種

その他

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

仕事内容

電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子(GaNーHEMT)の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用GaN-HEMTの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計◆車載用GaN-HEMTデバイス設計 ・デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・素子試作評価、分析解析 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック

求めている人材

<MUST要件>半導体素子の設計および開発経験または構造、動作原理、特性、評価技術に関する知識をお持ちの方 ※パワー半導体の経験有無は問いません<WANT要件>以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 ・半導体素子の設計および開発経験(目安:3年以上)をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 >広瀬製作所(愛知県豊田市)

会社概要

株式会社デンソー