プリント配線板のパターン【設計】大阪勤務★年間休日120日
兵庫県、大阪府
年収700万～1000万円
仕事内容
プリント配線板...
半導体業界の求人一覧
4,999 件が見つかりました
求人一覧
経験者募集【組込ソフト開発職】転勤無／UIターン歓迎／土日休み
神奈川県
年収700万～1000万円
仕事内容
《残業時間月平...
経験者募集【組込ソフト開発職】転勤無／UIターン歓迎／土日休み
神奈川県
その他
仕事内容
《残業時間月平...
【新潟】FC-BGAサブストレート（半導体パッケージ基板）の生産技術
新潟県
年収700万～1000万円
好調な半導体市場を背景に、LSIチップの高速化・多機能化に欠かすことができない部材として、サーバー、...
Validation Engineer
埼玉県
年収500万～700万円
Job Description
【Background of the Recruitment】
The Pow...
電動車向けパワー半導体素子の企画/拡販戦略立案
その他
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS,Si-IGBT,GaN）の企画／戦略立...
電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発
その他
年収500万～700万円
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）の企画/開発/設計業務具体的には...
電動車向けSiパワー半導体素子の開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT）の企画/開発/設計業務具体的...
電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発
その他
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT,SiC-MOSFET,GaN）の企画/設計...
電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOSFET）の企画/設計/プロセス開...
電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
その他
年収500万～700万円
電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）のプロセス開発業務具体的には、...
電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOSFET）の企画/開発/設計業務具...
【滋賀】生産技術・生産設備(プロセス）※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
愛知県
年収700万～1000万円
【滋賀】生産技術・生産設備(プロセス）※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
※...
【滋賀】半導体プロセスエンジニア、インテグレーター※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
その他
年収700万～1000万円
【滋賀】半導体プロセスエンジニア、インテグレーター※東証プライム上場G◆世界トップ級シェア製品多数
【刈谷】ソフト開発（先進安全の前方・周辺監視レーダ、LIDAR）/賞与6.1か月分＜モビエレ＞*
愛知県
年収1000万円以上
【刈谷】ソフト開発（先進安全の前方・周辺監視レーダ、LIDAR）/賞与6.1か月分＜モビエレ＞*
【愛知／刈谷市・安城市・額田郡】先端半導体・電子部品の品質保証◆賞与6.1ヶ月分＜モビエレ＞
和歌山県、奈良県、兵庫県ほか
年収700万～1000万円
【愛知／刈谷市・安城市・額田郡】先端半導体・電子部品の品質保証◆賞与6.1ヶ月分＜モビエレ＞
Principal Medium Voltage Power MOSFET Design Engineer
その他
年収500万～700万円
Job Description
Job Summary:
We are looking for a highly motivat...
R-Car SoC向け 基盤ソフトウェア／フレームワーク開発エンジニア
その他
年収500万～700万円
Job Description
【募集背景】
自動車業界は、ハードウェア中心から...
電動車向けパワー半導体素子の企画/拡販戦略立案
愛知県
年収700万～1000万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収700万～1000万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けSiパワー半導体素子の開発
愛知県
年収700万～1000万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
車載用半導体の素子-システム一貫シミュレーションモデル開発
愛知県
年収500万～700万円
車載用半導体(SiC、GaN)における素子の設計技術開発(TCAD,SPICE)、及びパワエレ設計環境開発に従事いた...
【横浜】SSD製品の電子部品の企画・選定及び戦略策定（設計・評価経験者歓迎）／グローバル活躍
神奈川県
年収1000万円以上
【横浜】SSD製品の電子部品の企画・選定及び戦略策定（設計・評価経験者歓迎）／グローバル活躍
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JASM Open Position (6108)
熊本県
年収500万～700万円
Japan Advanced Semiconductor Manufacturing, Inc. (JASM) is a subsidiary established in Kumamoto P...
Product Engineer
青森県
年収500万～700万円
Job Description
【Background】
This team supports SPS FET...
Sr Staff, Mask Design Engineer
東京都
年収500万～700万円
Job Description
Job Purpose:
• Lay out GaN power device acco...
その他
年収500万～700万円
仕事内容
化合物半導体...
即戦力採用！パワー半導体デバイスの【設計開発】年休124
京都府
年収700万～1000万円
仕事内容
化合物半導体を...
ポテンシャル採用！パワー半導体デバイスの【設計開発】年休124
京都府
その他
仕事内容
化合物半導体...
【募集職種⑥】SiGe・Siphoデバイス開発エンジニア
福島県
年収700万～1000万円
RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）並びにSi Photonicsのデバイス開発、もしくは、それら開発ウエーハの作製...
【東京／西府】衛星・ロケットに関する電気回路設計◇スキルアップできる環境／福利厚生◎／プライム上場G
東京都
年収700万～1000万円
【東京／西府】衛星・ロケットに関する電気回路設計◇スキルアップできる環境／福利厚生◎／プライム上場G...
【横浜】可視光VCSELのデバイスプロセス、評価解析◇国内トップシェア製品 #LS
神奈川県
その他
【横浜】可視光VCSELのデバイスプロセス、評価解析◇国内トップシェア製品 #LS
【半導体デ...
【東京／麹町】FA用画像機器の営業技術◆プライム上場／エレクトロニクス商社／土日祝休／年休126日
東京都
その他
【東京／麹町】FA用画像機器の営業技術◆プライム上場／エレクトロニクス商社／土日祝休／年休126日
【秦野】製品開発・設計（光学ユニット、高精細ADBユニット）◆プライム上場・独立系サプライヤー
神奈川県、東京都
年収700万～1000万円
【秦野】製品開発・設計（光学ユニット、高精細ADBユニット）◆プライム上場・独立系サプライヤー
...
【福岡】SiCデバイス開発エンジニア
その他
年収500万～700万円
≪ローム公式HPへようこそ！≫
弊社求人にご興味をお持ちいただきありがとうございます。
SiC...
【福岡】MEMSプロセスエンジニア（第二新卒可）※世界初技術保有／独立系ファウンドリ／福利厚生◎
福岡県
その他
【福岡】MEMSプロセスエンジニア（第二新卒可）※世界初技術保有／独立系ファウンドリ／福利厚生◎
...
Sr Staff Engineer, Test Jig Core Technology Development
その他
年収500万～700万円
Job Description
【募集背景】
車載半導体の高機能化・複雑化...
シニア スタッフ デバイスエンジニア（パワーMOSFET）
その他
年収500万～700万円
Job Description
【Background】
This team supports SPS FET...
【広島】DRAMプロセスインテグレーション・開発支援エンジニア＃JR93638
その他、福岡県
年収700万～1000万円
【広島】DRAMプロセスインテグレーション・開発支援エンジニア＃JR93638
■業務内容：
【愛知／刈谷市】SDV向け大規模システムに対応した機能安全技術開発◆賞与6.1か月分＜モビエレ＞
愛知県
年収1000万円以上
【愛知／刈谷市】SDV向け大規模システムに対応した機能安全技術開発◆賞与6.1か月分＜モビエレ＞
<...
【愛知／刈谷】SoC周辺部品の企画開発（SDV向け大規模システム）・リファレンス回路開発＜モビエレ＞
その他
年収1000万円以上
【愛知／刈谷】SoC周辺部品の企画開発（SDV向け大規模システム）・リファレンス回路開発＜モビエレ＞
【文系歓迎！】計測機器のサービスエンジニア(海象G)/社会の安心安全を守る／官公庁から安定受注
東京都
その他
【文系歓迎！】計測機器のサービスエンジニア(海象G)/社会の安心安全を守る／官公庁から安定受注
...
【オシロスコープ経験者歓迎！パワーデバイス開発・評価】成長領域◎急速な技術進化◆WEB面接＃1271
その他
年収700万～1000万円
【オシロスコープ経験者歓迎！パワーデバイス開発・評価】成長領域◎急速な技術進化◆WEB面接＃1271
...
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（SiC）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発（SiC）＜セミコン＞
＜UIターン歓迎＞【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞
鹿児島県、宮崎県、大分県ほか
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発（Si）＜セミコン＞
■業...
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（GaN）＜セミコン＞
愛知県
年収1000万円以上
＜UIターン歓迎＞【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発（GaN）＜セミコン＞