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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年8月17日

株式会社デンソー

電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発

デバイス開発エンジニアパワーデバイス技術営業・FAE
想定年収 年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地 愛知県

Smart Overview

半導体業界での次世代電動車向けSiCパワー半導体の開発に携わるチャンス!このポジションでは、SiC-MOSFET技術を利用した高電流パワー半導体の設計、解析、評価を行います。具体的には、デバイス特性の向上、電気的性能の解析、製品開発のためのテスト計画の立案などを担当します。最新技術を駆使した環境でのプロジェクトに参加し、業界の最前線で活躍することで、確かなキャリアを築いていくことができます。

【おすすめポイント】
・次世代の電動車向け技術でのデザイン・開発に携わる
・製品の性能向上やテスト計画の立案を通じてスキル向上
・業界最前線のプロジェクトに参加し、キャリアを形成できるチャンス

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

技術営業・FAE

仕事内容

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用SiC-MOSFETの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計◆車載用SiC-MOSFETデバイス開発・設計 ・デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・素子試作評価、分析解析、良品率改善 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック

求めている人材

<MUST要件>半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方 ※パワー半導体の経験有無は問いません<WANT要件>以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 ・半導体素子の設計および開発経験(目安:3年以上)をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 >広瀬製作所(愛知県豊田市)

会社概要

株式会社デンソー