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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年8月17日

株式会社デンソー

電動車向けSiパワー半導体素子の開発

デバイス開発エンジニアパワーデバイス組み込みソフトウェアエンジニア
想定年収 年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地 その他

Smart Overview

高電力Si-IGBTの開発に携わり、最先端の技術を駆使して自動車向け製品の設計を行うチャンスです。エンジニアとして、Si-IGBTの効率向上や性能検証、新製品の設計など多岐にわたるプロジェクトに参加します。また、最新技術の調査や問題解決に取り組むことで、スキルを高めることができます。技術的な知識と創造力を活かして、業界の未来を支える一員として成長できる環境が整っています。

【おすすめポイント】
・最先端の自動車向けSi-IGBT製品の開発に関与
・幅広いプロジェクトに参加し、技術力向上の機会を提供
・創造的な問題解決を通じて業界への貢献が可能

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

組み込みソフトウェアエンジニア

仕事内容

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(Si-IGBT)の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用Si-IGBTの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計◆車載用Si-IGBT素子開発・設計 ・プロセス/デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・プロセスインテグレーション、プロセス加工技術 ・素子試作評価、分析解析 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック

求めている人材

<MUST要件>半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方 ※パワー半導体の経験有無は問いません<WANT要件>以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 ・半導体素子の設計および開発経験(目安:3年以上)をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 >広瀬製作所(愛知県豊田市)

会社概要

株式会社デンソー