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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年8月17日

株式会社デンソー

電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発

デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
想定年収 年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地 愛知県

Smart Overview

電動車向けSiCパワー半導体のプロセス開発に携わるチャンスです。このポジションでは、SiC-MOSFETの製品企画や技術ニーズ調査、プロセス改善、評価試験を通じて、高性能な製品の開発に貢献します。新規技術の探求や設計導入も行い、最新の製品規格に適合するための評価・分析を行います。業界の最先端でスキルを磨き、未来のモビリティを形作るプロフェッショナルとして成長できる環境が整っています。

【おすすめポイント】
・電動車市場の急成長に携わり、次世代技術の開発に貢献できる。
・高性能SiC-MOSFETの企画から評価まで幅広く関与できる。
・最新の技術動向に触れ、キャリアアップのチャンスが豊富。

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

仕事内容

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/設計/プロセス開発業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用SiC-MOSFETの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標プロセス仕様調整および量産加工コスト目標決定◆車載用SiC-MOSFETプロセス開発 ・プロセスシミュレーション ・プロセスフロー検討およびプロセス条件出し ・新規プロセス探索、新加工設備の検討、設備導入 ・素子試作評価、分析解析、良品率改善 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック

求めている人材

<MUST要件>半導体素子プロセスの開発経験または知識をお持ちの方 ※パワー半導体の経験有無は問いません<WANT要件>以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 ・半導体素子プロセス、設備の開発経験(目安:3年以上)をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 >広瀬製作所(愛知県豊田市)

会社概要

株式会社デンソー