【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト◆東証プライム上場住友電工G◆残業月平均20h程度

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト◆東証プライム上場住友電工G◆残業月平均20h程度

～GaN HEMT、GaAs HEMT等の化合物半導体高周波デバイスの設計・開発経験を活かせる／東証プライム上場住友電工グループ／土日祝休～

■業務概要
携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募集します。試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生産技術者と協議しながら、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化まで伴走いただきます。

■業務詳細
・試作デバイスの特性評価（高周波特性、DC特性、信頼性）とフィードバック
・デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議
・量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化
・顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化

■扱う技術領域
・化合物半導体：GaN、AlGaN、AlN、GaN on SiC 等
・デバイス構造：HEMT構造、フィールドプレート、ゲート絶縁膜 等
・応用：ポスト5G基地局向けパワートランジスタ

■開発フロー（目安）
顧客／社内からの要求仕様 → デバイス評価 → プロセス技術連携 → 試作 → 評価 → 製品化・量産展開

■期待する役割・ミッション
GaN HEMTまたは類似の化合物半導体高周波デバイス領域で長年培われた専門性を活かし、スペシャリストとして手を動かしながら、若手エンジニアを指導していただくことを期待しています。

■キャリアパス
入社後は部のテクニカル・エキスパートとして、GaN HEMTデバイスの製品開発・量産展開に深く関わっていただきます。電機メーカーやデバイスメーカーでの知見を継続してスペシャリストとして生かしたい方、UIターンで山梨での落ち着いた開発環境をお求めの方に適したキャリア形成が可能です。

■組織構成
GaN HEMTのデバイス技術開発、顧客向け製品開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、GaN HEMTのデバイス技術開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。
30代・40代前半のメンバーも多数在籍しており、世代を超えたコミュニケーションが活発な職場です。

変更の範囲：会社の定める業務