【山梨】高周波増幅器設計エンジニア◆ドハティ回路設計×グローバル案件◆東証プライム上場住友電工G

RF（高周波）IC設計

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

【山梨】高周波増幅器設計エンジニア◆ドハティ回路設計×グローバル案件◆東証プライム上場住友電工G

～高周波回路設計、RFアンプ、電磁界シミュレーション、GHz帯測定いずれかの実務経験をお持ちの方歓迎／東証プライム上場住友電工グループ／土日祝休～

■業務概要
携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担うエンジニアを募集します。国内外の主要基地局ベンダーからの顧客要求仕様を受け、ドハティ増幅器等の回路設計から試作、評価、製品化まで、顧客と並走しながら開発をリードしていただきます。

■業務詳細
・顧客要求仕様を起点とした回路トポロジ検討（ドハティ増幅器、非対称ドハティ、3-way、4-way等）
・高周波シミュレータ（ADS、MWO／AWR）による回路設計、電磁界解析
・試作品の高周波特性、信頼性評価（GHzオーダーRF測定）
・デバイス設計部門、パッケージ設計部門との協働、プロセス技術者との課題解決
・顧客との技術コミュニケーション（コンカレントエンジニアリング）

■扱う技術領域について
・RFパワーアンプ：ドハティ増幅器、広帯域電力増幅器、DPD対応、効率化
・デバイス：GaN HEMT
・応用：ポスト5G基地局向け高出力増幅器

■期待する役割・ミッション
入社後は、教育体系および現場OJTを通じて、GaN HEMT増幅器の回路設計、高周波シミュレーション、顧客折衝のスキルを習得していただきます。数年後には顧客向けプロダクト開発を担うエンジニアとして活躍いただくことを期待しています。

■キャリアパス
当社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の実績が豊富であり、その知見を活かしてキャリア入社者の育成にも力を入れています。入社後は、住友電工グループ全体の教育プログラム、部内技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のもと、数年かけて一人前のエンジニアへ成長していただきます。適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスもあります。

■組織構成
顧客向け製品開発、GaN HEMTのデバイス技術開発、高周波パッケージ開発などの機能を有し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは顧客向け製品開発を担う領域への配属を想定しています。主な拠点は山梨事業所です。
30代、40代前半のメンバーも多数在籍しており、世代を超えたコミュニケーションが活発な職場です。



変更の範囲：会社の定める業務