【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア（中核候補）◆住友電工グループ◆残業月平均20h程度

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

組み込みソフトウェアエンジニア

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア（中核候補）◆住友電工グループ◆残業月平均20h程度

～大学または大学院での物理・物性／電気工学／電子工学／応用物理等の知識を活かせる／東証プライム上場住友電工グループ／土日祝休～

■業務概要
携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募集します。試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生産技術者と協議しながら、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化まで伴走いただきます。

■業務詳細
・試作デバイスの特性評価（高周波特性、DC特性、信頼性）とフィードバック
・デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議
・量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化
・顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化

■扱う技術領域
・化合物半導体：GaN、AlGaN、AlN、GaN on SiC 等
・デバイス構造：HEMT構造、フィールドプレート、ゲート絶縁膜 等
・応用：ポスト5G基地局向けパワートランジスタ

■開発フロー（目安）
顧客／社内からの要求仕様 → デバイス評価 → プロセス技術連携 → 試作 → 評価 → 製品化・量産展開

■期待する役割・ミッション
入社後、教育体系と現場OJTを通じてGaN HEMTのデバイス設計・プロセス連携のスキルをキャッチアップしていただき、数年後には部の中核エンジニアとしてご活躍いただくことを期待しています。基礎学問の素養をお持ちであれば、当社事業領域(化合物半導体・高周波デバイス)が未経験であっても問題ございません。

■キャリアパス
当社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験が豊富で、その知見を活かしてキャリア入社のポテンシャル層の育成にも自信があります。入社後は、住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のなかで、数年かけて一人前のエンジニアへと成長していただきます。適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれています。

変更の範囲：会社の定める業務