【東京／栃木／宮城】フォトニクス／化合物デバイス設計エンジニア◇東証プライム上場／機能性材料メーカー
沖縄県、鹿児島県、宮崎県ほか
年収700万～1000万円
【東京／栃木／宮城】フォトニクス／化合物デバイス設計エンジニア◇東証プライム上場／機能性材料メーカ...
半導体業界の求人一覧
4,593 件が見つかりました
求人一覧
【大阪】半導体デバイス営業／第二新卒歓迎／業界未経験歓迎／賞与7.2か月／年間休日128日
その他
年収700万～1000万円
【大阪】半導体デバイス営業／第二新卒歓迎／業界未経験歓迎／賞与7.2か月／年間休日128日
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【神奈川県】モバイル用CMOSイメージセンサーのロジック開発における量産化業務（メンバー）
神奈川県
その他
【神奈川県】モバイル用CMOSイメージセンサーのロジック開発における量産化業務（メンバー）
Thermal Sensor/DLVR Design Engineer
神奈川県
年収500万～700万円
Responsibilities:
Designs, tape-out, and characterization of Thermal ...
大船｜組込ソフトの品質保証・プロセス改善｜面接1回｜在宅勤務可｜大手半導体メーカー
神奈川県
年収1000万円以上
大船｜組込ソフトの品質保証・プロセス改善｜面接1回｜在宅勤務可｜大手半導体メーカー
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半導体プロセス／デバイスエンジニア
熊本県、長崎県
年収300万～500万円
【職務内容】熊本県・長崎県内の半導体工場で業務いただきます。
半導体製品の新規開発...
HPC DDR Controller Design Engineer / Leader
その他
年収500万～700万円
Job Description
【募集背景】
自動車の電動化・知能化により...
【福岡】電気配線設計エンジニア＜半導体検査装置メーカー＞創業以来連続黒字◇シニア・定年後の転職歓迎！
福岡県
その他
【福岡】電気配線設計エンジニア＜半導体検査装置メーカー＞創業以来連続黒字◇シニア・定年後の転職歓迎...
【兵庫/伊丹】高周波デバイスの開発設計・製品化 ◆残業月平均20h程度／リモート・フレックス制度有
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫/伊丹】高周波デバイスの開発設計・製品化 ◆残業月平均20h程度／リモート・フレックス制度有
【大船】NANDコントローラLSI(SoC)におけるデジタル回路の上流設計および検証
神奈川県
年収1000万円以上
【大船】NANDコントローラLSI(SoC)におけるデジタル回路の上流設計および検証
【組織のミ...
【大船】NANDコントローラLSI(SoC)の高速デジタル回路設計・検証◆在宅勤務可◆
神奈川県
年収1000万円以上
【大船】NANDコントローラLSI(SoC)の高速デジタル回路設計・検証◆在宅勤務可◆
【組織のミ...
【大船】次世代BiCS Flash Memoryチップ設計開発エンジニア（高速I/O・データパス）
神奈川県
年収1000万円以上
【大船】次世代BiCS Flash Memoryチップ設計開発エンジニア（高速I/O・データパス）
【お...
大船駅◆信頼性評価・解析エンジニア（次世代メモリ及びエンタープライズSSD搭載DRAM）
神奈川県
年収1000万円以上
大船駅◆信頼性評価・解析エンジニア（次世代メモリ及びエンタープライズSSD搭載DRAM）
～...
四日市◆前工程(フラッシュメモリの試作)立ち上げの最適化※業界不問※世界で活躍する国内半導体メーカー
鹿児島県、宮崎県、大分県ほか
年収1000万円以上
四日市◆前工程(フラッシュメモリの試作)立ち上げの最適化※業界不問※世界で活躍する国内半導体メーカー
【大船】UFSファームウェア・システム評価リードエンジニア◆在宅勤務可◆大手半導体メーカー
神奈川県
年収1000万円以上
【大船】UFSファームウェア・システム評価リードエンジニア◆在宅勤務可◆大手半導体メーカー
【京都／長岡京】MOSFET製品の検査技術開発（デバイス・プロセス経験者歓迎）◆フレックスタイム制
兵庫県、大阪府、京都府ほか
年収1000万円以上
【京都／長岡京】MOSFET製品の検査技術開発（デバイス・プロセス経験者歓迎）◆フレックスタイム制
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超高速光通信デバイス開発◆プライム上場／従業員数連結5万名以上／業界最先端の技術開発力
新潟県、神奈川県、東京都ほか
その他
超高速光通信デバイス開発◆プライム上場／従業員数連結5万名以上／業界最先端の技術開発力
...
【イメージセンサー研究開発】画素開発エンジニア（大阪） ＃DS_A0109
その他
年収700万～1000万円
【イメージセンサー研究開発】画素開発エンジニア（大阪） ＃DS_A0109
■業務内容：
...
光通信・フォトニクス領域のグローバルビジネス推進（営業）／東京勤務【S505】NEW
神奈川県、東京都
その他
■業務内容
フォトニクス事業領域（光通信・データセンター・LiDAR・光センサー分野）における商事...
【山形／山形事業所】SiC増産に伴う製造技術開発者（エピ工程）_26047DS
長野県、福井県、新潟県ほか
年収700万～1000万円
＜組織のビジョン・ミッション／活動方針＞
「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素...
Linux, OSS, and Security Software Engineer for Industrial high-end processors
長野県
年収500万～700万円
Job Description
【Backgroud】
The application scope of in...
Sr Staff Timing Design Engineer
福島県
年収500万～700万円
求人内容
【募集背景】
EP（Embedded Processing Product Group）は...
Principal Timing Design Engineer
その他
年収500万～700万円
求人内容
【募集背景】
EP（Embedded Processing Product Group）は...
【兵庫/伊丹】高周波デバイスの開発・プロジェクトマネジメント ◆成長分野／リモート・フレックス
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫/伊丹】高周波デバイスの開発・プロジェクトマネジメント ◆成長分野／リモート・フレックス
...
HPC DDR Controller Design Engineer / Leader
埼玉県
年収500万～700万円
Job Description
【募集背景】
自動車の電動化・知能化により...
Senior Field Applications Engineer (FAE)
その他
年収500万～700万円
Job Description
As a Senior Field Applications Engineer (FAE) you will...
【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET／中電圧トレンチ／次世代技術の設計開発
東京都、群馬県
その他
【高崎】パワー半導体デバイス設計エンジニア◆MOSFET／中電圧トレンチ／次世代技術の設計開発
【横浜市】製造技術（化合物半導体の薄膜結晶工程）◆東証プライム上場G／世界TOPレベルの技術力
神奈川県
その他
【横浜市】製造技術（化合物半導体の薄膜結晶工程）◆東証プライム上場G／世界TOPレベルの技術力
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【静岡／浜松※ハイクラス】HWエンジニア(SSD製品）年休124日／プライム上場エレコムG
静岡県
その他
【静岡／浜松※ハイクラス】HWエンジニア(SSD製品）年休124日／プライム上場エレコムG
～駅...
【静岡／浜松※ハイクラス】評価エンジニア(SSD製品)エンジニアのスペシャリストへ／マイカー通勤可
静岡県
その他
【静岡／浜松※ハイクラス】評価エンジニア(SSD製品)エンジニアのスペシャリストへ／マイカー通勤可
光電融合関連の研究開発（光接続/光配線）◆プライム上場/グローバルメーカー/最先端技術【市原市】
新潟県、神奈川県、東京都ほか
その他
光電融合関連の研究開発（光接続/光配線）◆プライム上場/グローバルメーカー/最先端技術【市原市】
【SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発】◆在宅勤務可◆三菱電機G＃熊本
北海道
年収700万～1000万円
【SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発】◆在宅勤務可◆三菱電機G＃熊本
【SiCパワーデバ...
【長野/諏訪市】光センサーの制御や駆動回路設計など◆光半導体部品メーカー/年間休日120日/土日祝◆
愛知県、岐阜県、長野県
その他
【長野/諏訪市】光センサーの制御や駆動回路設計など◆光半導体部品メーカー/年間休日120日/土日祝◆
AT-D1【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア
兵庫県
年収700万～1000万円
当部門では産業、車載向けMOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通し...
AT-P1【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
BT-Y5【神奈川】機構設計エンジニア_HDD（要素技術／設計～量産）
神奈川県
年収700万～1000万円
HDD（磁気ディスク装置）の機構設計を中心とした要素技術開発を担当いただきます。製品の高性能化・高信...
AT-D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
福岡県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
AT-D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
兵庫県
年収700万～1000万円
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引す...
AT-P1【第二新卒/石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-P2【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア（パワーデバイスのユニットプロセス）
兵庫県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
AT-D1【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
AT-D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）
神奈川県
年収700万～1000万円
弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究...
Product Development Engineer for Discrete Power
その他
年収700万～1000万円
Job Description
AIデータセンタの需要拡大に伴い、タイムリーに製品リリー...
【相模原市】回路設計(レイアウト設計)◇世界的半導体メモリメーカー＃JR97852
神奈川県
年収700万～1000万円
【相模原市】回路設計(レイアウト設計)◇世界的半導体メモリメーカー＃JR97852
～グローバ...
【京都／転勤無】パワー半導体の設計開発 ＜量産化の成長フェーズ＞国内外のスペシャリストと協業
京都府
その他
【京都／転勤無】パワー半導体の設計開発 ＜量産化の成長フェーズ＞国内外のスペシャリストと協業
...
MCUシステムアーキテクト
福島県
年収500万～700万円
求人内容
【募集背景】
産業・民生・車載市場におけるマイコンへの要...
Senior Staff Field Applications Engineer (FAE)
その他
年収700万～1000万円
Job Description
As a System Staff / Senior System Staff Field Applicat...
【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日
■募集背景：
カ...
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
兵庫県
年収700万～1000万円
【兵庫／揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）※就業環境◎年休127日
【脱炭素...