AT-A1-3【神奈川】パワー半導体アプリケーションエンジニア（SiC・GaN・MOSFET・IGBT領域）

Smart Overview

半導体業界の最前線で活躍するチャンス！当社では、Si MOSFET、IGBT、SiC、GaNなどの先進的な半導体デバイスを用いたプロジェクトに携わることができます。AI技術や生産設備の最適化を通じて、再生可能エネルギーや電力インフラの発展に寄与する役割を担います。製品提案から市場分析まで幅広い業務を経験し、業界のリーダーとして成長できる環境が整っています。あなたの技術力を活かし、未来のエネルギーを共に創造しましょう。

【おすすめポイント】
・最先端の半導体デバイスに関わるプロジェクト
・AI技術や生産設備の最適化に挑戦
・幅広い業務経験を通じて成長できる環境

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

技術営業・FAE

仕事内容

当ポジションでは、Si MOSFET、IGBT、SiC、GaNなどのパワー半導体を活用し、AIデータセンター、産業機器、再生可能エネルギー、電力インフラ市場のお客様に対して技術提案を行います。
単なる製品提案ではなく、お客様の回路やシステム全体を理解しながら、製品評価、技術マーケティング、商品企画まで幅広く携わり、市場拡大と新たな価値創出を推進いただきます。

求めている人材

【必須】
以下いずれかのご経験・知見を有する方
・パワー半導体の技術マーケティングまたはFAE経験
・パワー半導体を使用したアプリケーションの回路設計、部品選定の経験

勤務地

212-8583  神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：３０～１７：１５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ