【福岡市】DRAM設計エンジニア◆年収800万円～◆世界トップ級シェアの半導体メーカー

デバイス開発エンジニア

プロセス技術研究者

メモリデバイス

【福岡市】DRAM設計エンジニア◆年収800万円～◆世界トップ級シェアの半導体メーカー

【プログラム格納用メモリ世界トップクラスシェア／海外市場上場のグローバル企業／2,000億円の売上／Specialty DRAM、Mobile DRAM、Graphics DRAMの開発を通じ、台湾本社R&Dと連携するグローバル設計】

■求人の特色：
◎台湾証券取引所上場のWinbond Electronicsグループ日本法人として、2001年に設立。安定した事業基盤のもと長期就業が可能です。
◎Specialty DRAM、Mobile DRAM、Graphics DRAMなど、車載・産業機器・通信機器・コンシューマー向けの高付加価値メモリ製品を展開しています。
◎台湾本社R&Dと直接連携し、日本にいながらグローバルなメモリ開発に携わることができます。

■業務内容：
DRAM製品のR&D業務をご担当いただきます。台湾本社R&D、国内顧客、FAE／品質／営業部門と連携しながら、製品仕様、設計、検証、評価、量産立ち上げ支援まで、経験に応じて幅広くお任せします。
・DRAMの回路設計、周辺回路設計、Product Design、Design Verification
・Memory Array、Sense Amplifier、I/O、Power、Timing、Peripheral Circuit等の設計・改善
・製品仕様検討、設計レビュー、シミュレーション、評価結果の解析
・テスト・評価・Characterization、歩留まり改善、Failure Analysisの支援
・台湾本社R&Dとの技術打ち合わせ、仕様確認、課題解決
・顧客要求に基づくカスタマイズ、技術問い合わせ対応、社内FAE／営業との連携

■歓迎条件：※別枠記載の必須条件に加え、下記歓迎
・DRAM Cell、Sense Amp、I/O、PLL/DLL、Power Management、Timing Control等の設計経験
・SPICE、Verilog/SystemVerilog、EDAツール、レイアウトレビュー、DFT/テストに関する知見
・Product Engineering、量産立ち上げ、歩留まり改善、Failure Analysis経験
・車載・産業機器向け半導体の開発経験
・台湾・海外との共同開発、英語会議経験
・PJリードまたは育成経験

変更の範囲：会社の定める業務