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半導体業界の求人一覧


4,999 件が見つかりました

求人一覧

ルネサス エレクトロニクス株式会社
24日前

【小平市】CPUサブシステム設計マネージャー◆車載マイコン世界シェアトップクラス#11015286

  • ASIC/SoC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
東京都 年収700万~1000万円

【小平市】CPUサブシステム設計マネージャー◆車載マイコン世界シェアトップクラス#11015286

大熊ダイヤモンドデバイス株式会社
24日前

【つくば】ダイヤモンド半導体のプロセス開発/国家プロジェクトにも採択◆世界初の技術◆土日祝休

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
その他 年収1000万円以上

【つくば】ダイヤモンド半導体のプロセス開発/国家プロジェクトにも採択◆世界初の技術◆土日祝休
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ローム株式会社
24日前

【横浜市】商品開発<パワーデバイスを適用したシステム設計>◆年休130日/パワエレの開発経験歓迎

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
神奈川県 年収700万~1000万円

【横浜市】商品開発<パワーデバイスを適用したシステム設計>◆年休130日/パワエレの開発経験歓迎
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Astemo株式会社
24日前

【栃木】パワーモジュール設計◆インバータ開発/SiC・電気熱構造解析/最先端×裁量大/フルフレックス

  • CAD/EDAエンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他、北海道 年収1000万円以上

【栃木】パワーモジュール設計◆インバータ開発/SiC・電気熱構造解析/最先端×裁量大/フルフレックス

株式会社テクノプロ
24日前

【茨城県/デザイン社】ITER計測装置の光学設計◇詳細設計

  • CAD/EDAエンジニア
  • 光電子デバイス
  • 計測・解析エンジニア
その他 その他

【茨城県/デザイン社】ITER計測装置の光学設計◇詳細設計

【上流工程比率73.9%「テク...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
24日前

【高崎】 ディスクリートパワーデバイスのテスト開発担当者

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
東京都、福島県 年収500万~700万円

求人内容



・ディスクリートパワーデバイス(MOSFET)の新製品テスト開発

マイクロンメモリ ジャパン株式会社
24日前

【広島】工場ファシリティ~施工管理経験者歓迎!/世界的半導体メモリメーカー/売上高5.6兆円~

  • デバイス開発エンジニア
  • メモリデバイス
  • 設計エンジニア
広島県 その他

【広島】工場ファシリティ~施工管理経験者歓迎!/世界的半導体メモリメーカー/売上高5.6兆円~
...

住友電工デバイス・イノベーション株式会社
24日前

【山梨】高周波パッケージ開発エンジニア(GaN HEMT×5G領域)◆東証プライム上場住友電工G

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
山梨県 年収700万~1000万円

【山梨】高周波パッケージ開発エンジニア(GaN HEMT×5G領域)◆東証プライム上場住友電工G

...

住友電工デバイス・イノベーション株式会社
24日前

【山梨】高周波増幅器設計エンジニア◆ドハティ回路設計×グローバル案件◆東証プライム上場住友電工G

  • RF(高周波)IC設計
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
山梨県 年収700万~1000万円

【山梨】高周波増幅器設計エンジニア◆ドハティ回路設計×グローバル案件◆東証プライム上場住友電工G

住友電工デバイス・イノベーション株式会社
24日前

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア(中核候補)◆住友電工グループ◆残業月平均20h程度

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
山形県 年収700万~1000万円

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア(中核候補)◆住友電工グループ◆残業月平均20h程度

住友電工デバイス・イノベーション株式会社
24日前

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト◆東証プライム上場住友電工G◆残業月平均20h程度

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
山形県 年収700万~1000万円

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト◆東証プライム上場住友電工G◆残業月平均20h程度

ルネサス エレクトロニクス株式会社
25日前

Automotive MCU/SoC Test Development & Evaluation Automation Engineer

  • ASIC/SoC設計
  • デジタルIC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
埼玉県 年収500万~700万円

Job Description



【募集背景】

車載MCU/SoC製品は、車両の安...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
25日前

Sr Staff Engineer, Test Jig Core Technology Development

  • ASIC/SoC設計
  • デジタルIC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
その他 年収500万~700万円

Job Description



【募集背景】

車載分野におけるNPI(New Pro...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
25日前

UX Staff Validation Engineer

  • デバイス開発エンジニア
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
福島県 年収500万~700万円

Job Description



当社のチームに加わっていただける、経験豊富なバリデーシ...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
25日前

Mid-end and backend process technology (WET/Integration/Metal deposition/Lithography engineer)

  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
  • 後工程プロセス開発
茨城県 年収500万~700万円

Job Description



SPS (Smart Power Stage) products are expected to see s...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
25日前

【Takasaki/Toyosu】Principle Package Engineer

  • パワーデバイス
  • 封止・パッケージ材料
  • 計測・解析エンジニア
群馬県、栃木県、茨城県ほか 年収500万~700万円

Job Description



1. Package Development & NPI Support
  - Support...

ローム株式会社
25日前

【京都/新横浜】GaNを活用したシステム設計

  • ASIC/SoC設計
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
兵庫県、大阪府、京都府 年収500万~700万円

≪ローム公式HPへようこそ!≫
弊社求人にご興味をお持ちいただきありがとうございます。
シ...

株式会社メック
27日前

【海老名】機械設計※光学表面検査装置メーカー(国内トップ級)/半導体業界と強い繋がり/転勤無

  • CAD/EDAエンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • 光電子デバイス
神奈川県 年収700万~1000万円

【海老名】機械設計※光学表面検査装置メーカー(国内トップ級)/半導体業界と強い繋がり/転勤無
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ルネサス エレクトロニクス株式会社
27日前

ミックスドシグナルデザインエンジニア

  • ASIC/SoC設計
  • CAD/EDAエンジニア
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
東京都 年収500万~700万円

Job Description



【募集背景】

ルネサスは、「To Make Our Li...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
27日前

GaN Device/Product Development Engineer

  • CAD/EDAエンジニア
  • 前工程プロセス開発
  • 半導体デバイス
その他 年収500万~700万円

Job Description



Position Overview

The GaN Layout Tape-Out...

株式会社メイテック
27日前

【1Day選考】【東京23区】半導体製造装置のCPU,GPUの高速化

  • デジタルIC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
東京都 その他

【1Day選考】【東京23区】半導体製造装置のCPU,GPUの高速化

~1日で選考完結!/業界トッ...

株式会社レゾナック
27日前

【山形/東根】プロセス開発(パワー半導体向けSiCエピウェハー)◇プライム◇注力事業に携わる

  • ウェハ材料
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
千葉県、山形県 その他

【山形/東根】プロセス開発(パワー半導体向けSiCエピウェハー)◇プライム◇注力事業に携わる

ルネサス エレクトロニクス株式会社
28日前

Senior Staff Device Engineer

  • テスト開発エンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収500万~700万円

Job Description



【Background】

This team support SPS FET ...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
28日前

シニア スタッフ デバイスエンジニア(パワーMOSFET)

  • CAD/EDAエンジニア
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
その他 年収500万~700万円

Job Description



【募集背景】

本チームは、PCP向けSPS(Smar...

株式会社デンソー
28日前

【2026/7/29(水) 19:00開催】パワー半導体事業説明会

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 技術営業・FAE
その他 年収700万~1000万円

◆車載用パワー半導体素子の製品企画/仕様検討(Si-IGBT、SiC-MOSFET、GaN-HEMT)・技術ニーズ調査・技...

I‐PEX Piezo Solutions株式会社
28日前

【福岡】半導体製造職 ※業界未経験・職種未経験歓迎/世界初技術保有のMEMS専門メーカー

  • センサーデバイス
  • デバイス開発エンジニア
  • 前工程プロセス開発
福岡県 その他

【福岡】半導体製造職 ※業界未経験・職種未経験歓迎/世界初技術保有のMEMS専門メーカー

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株式会社デンソー
31日前

【刈谷市】SDV向け先進安全・コックピット統合コンピュータの先端ハードウェアPL<モビエレ>

  • ASIC/SoC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
愛知県 年収1000万円以上

【刈谷市】SDV向け先進安全・コックピット統合コンピュータの先端ハードウェアPL<モビエレ>

サンディスク合同会社
31日前

【藤沢or品川】レイアウトデザインエンジニア※年休130日/就業環境◎/半導体メモリの企業

  • CAD/EDAエンジニア
  • テスト開発エンジニア
  • メモリデバイス
神奈川県、東京都 年収700万~1000万円

【藤沢or品川】レイアウトデザインエンジニア※年休130日/就業環境◎/半導体メモリの企業

...

AGC株式会社
31日前

【福島/本宮】最先端半導体デバイス生産用光学部材の製造における研磨/洗浄プロセスエンジニア

  • デバイス開発エンジニア
  • 光電子デバイス
  • 前工程プロセス開発
その他、福島県 年収1000万円以上

【福島/本宮】最先端半導体デバイス生産用光学部材の製造における研磨/洗浄プロセスエンジニア

ミラクシア エッジテクノロジー株式会社
31日前

【京都】車載ECU製品の組込みソフトウェア開発(BSP領域)★シニア/アーキテクトクラス

  • ASIC/SoC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
兵庫県、大阪府、京都府ほか その他

【京都】車載ECU製品の組込みソフトウェア開発(BSP領域)★シニア/アーキテクトクラス

【...

ミラクシア エッジテクノロジー株式会社
31日前

【京都】車載ECU製品の組込みソフトウェア開発(BSP領域)◆※グローバル半導体メーカーグループ

  • ASIC/SoC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
京都府 その他

【京都】車載ECU製品の組込みソフトウェア開発(BSP領域)◆※グローバル半導体メーカーグループ

株式会社日立ハイテク
31日前

画像処理システム開発(光学検査装置)/茨城勤務【N257】〇NEW

  • その他
  • 光電子デバイス
  • 計測・解析エンジニア
神奈川県、東京都 その他

【職務内容】
■評価システム製品本部 光学応用システム設計部にて光学検査装置の信号・画像処理シ...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
31日前

HPC Automotive MCU Test Engineer

  • ASIC/SoC設計
  • デジタルIC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
埼玉県 年収500万~700万円

Job Description



【募集背景】

ルネサスの車載MCU製品は超低...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
31日前

Automotive MCU Test Engineer

  • ASIC/SoC設計
  • デジタルIC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
その他 年収500万~700万円

Job Description



【募集背景】

ルネサスの車載MCU製品は超低...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
31日前

DDR Interface Evaluation Leader

  • ASIC/SoC設計
  • デジタルIC設計
  • メモリデバイス
埼玉県 年収500万~700万円

Job Description



【募集背景】

自動車の電動化・知能化が進む...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
32日前

Clock and Reset system or PAD design leader for automotive SoC design

  • ASIC/SoC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
その他 年収500万~700万円

求人内容



車載用SoC (R-Carシリーズ) のクロック/リセットまたはPADの仕様...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
32日前

Principal Engineer, Compiler

  • ASIC/SoC設計
  • その他
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
青森県 年収500万~700万円

求人内容



Renesas HPC チームの AI コンパイラエンジニアとして、次世代 3n...

ルネサス エレクトロニクス株式会社
32日前

HPC SoC IP Development Program Manager

  • ASIC/SoC設計
  • デジタルIC設計
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
福島県 年収500万~700万円

Job Description



【募集背景】

車載 SoC の高機能化・大規模...

株式会社デンソー
33日前

電動車両に搭載されるセンサーの企画・開発

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 技術営業・FAE
愛知県 年収500万~700万円

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOS,Si-IGBT,GaN)の企画/戦略立...

株式会社デンソー
33日前

半導体製品(ウエハ工程、パッケージ工程)の品質保証

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 技術営業・FAE
愛知県、岐阜県 年収500万~700万円

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOS,Si-IGBT,GaN)の企画/戦略立...

ミツミ電機株式会社
34日前

【滋賀】MEMSマイクロフォンの設計開発※東証プライムのミネベアミツミG/業績好調の半導体事業部◎

  • その他
  • センサーデバイス
  • デバイス開発エンジニア
その他 年収700万~1000万円

【滋賀】MEMSマイクロフォンの設計開発※東証プライムのミネベアミツミG/業績好調の半導体事業部◎
...

株式会社アイシン
34日前

【愛知/刈谷市】MRAMを活用した低消費電力システムおよび半導体の開発◇年間休日121日/I40

  • FPGA設計
  • デバイス開発エンジニア
  • メモリデバイス
愛知県、静岡県、岐阜県 年収1000万円以上

【愛知/刈谷市】MRAMを活用した低消費電力システムおよび半導体の開発◇年間休日121日/I40

YITOAマイクロテクノロジー株式会社
34日前

【山梨県甲府市】MEMS製品開発/次世代製品/年間休日125日

  • FPGA設計
  • センサーデバイス
  • デバイス開発エンジニア
山梨県 その他

【山梨県甲府市】MEMS製品開発/次世代製品/年間休日125日

~年間休日125日/転勤無/平均...

アヴネット株式会社
34日前

【大阪・心斎橋】(Micron社担当)半導体営業・営業企画/世界最大級商社での拡販戦略・提案活動

  • メモリデバイス
  • 技術営業・FAE
  • 生産技術エンジニア
その他 その他

【大阪・心斎橋】(Micron社担当)半導体営業・営業企画/世界最大級商社での拡販戦略・提案活動

株式会社デンソー
34日前

【日進】電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体材料・デバイス・プロセス研究<ミライズ>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
愛知県 年収1000万円以上

【日進】電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体材料・デバイス・プロセス研究<ミライ...

株式会社インターアクション
34日前

【横浜】光学設計 ※東証プライム上場/世界トップクラスシェア製品を保有する検査用光源装置メーカー

  • その他
  • センサーデバイス
  • 光電子デバイス
神奈川県 その他

【横浜】光学設計 ※東証プライム上場/世界トップクラスシェア製品を保有する検査用光源装置メーカー

Anjet Research Lab株式会社
34日前

【京都/転勤無】プロセスインテグレーション<パワー半導体>最先端技術の開発!新進気鋭のベンチャー企業

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
大阪府、京都府、東京都 その他

【京都/転勤無】プロセスインテグレーション<パワー半導体>最先端技術の開発!新進気鋭のベンチャー...

Anjet Research Lab株式会社
34日前

【京都/転勤無】パワー半導体デバイスの設計開発 <量産化フェーズ>世界中のスペシャリストと協業◎

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
京都府 年収500万~700万円

【京都/転勤無】パワー半導体デバイスの設計開発 <量産化フェーズ>世界中のスペシャリストと協業◎

株式会社村田製作所
34日前

【滋賀】薄膜プロセス技術開発<次世代MEMS・高周波デバイスを支える源流技術の開発> ◆プライム上場

  • センサーデバイス
  • デバイス開発エンジニア
  • 前工程プロセス開発
その他 年収700万~1000万円

【滋賀】薄膜プロセス技術開発<次世代MEMS・高周波デバイスを支える源流技術の開発> ◆プライム上場

コーセル株式会社
34日前

【富山市】設計開発◆東証プライム上場/標準電源の国内シェアトップクラス

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
高知県、愛媛県、香川県ほか その他

【富山市】設計開発◆東証プライム上場/標準電源の国内シェアトップクラス

【標準電源の国...