【東京/日野市】研究開発◇次世代半導体/SiC, GaNの研究開発／東証プライム上場のグローバルメーカー

Smart Overview

次世代半導体材料SiCやGaNの研究開発に携わるチャンスです。先端技術を駆使したプロジェクトに参加し、物性解析やプロセス開発、デバイス設計など多岐にわたる業務を担当します。研究チームの一員として、実践的な経験を積みながら、業界の最前線で活躍することができます。将来的にはリーダーとしてのキャリアパスも用意されており、成長を実感できる環境が整っています。

【おすすめポイント】
・SiC、GaNを用いた先端技術の研究開発に参加
・多様な業務を通じて実践的なスキルを習得
・キャリアアップの機会が豊富で成長を実感できる環境

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

材料開発エンジニア

仕事内容

車載向けや産業用向け等で世界的に需要が高まると見込まれている、注目のパワー半導体事業の研究開発（基礎研究）ポジションです。 先端技術研究所 次世代半導体研究センターにて、SiC、GaN等の次世代半導体材料を用いたパワーデバイスの開発業務、物性解析、プロセス開発、デバイス設計・試作・評価等の研究開発をお任せします。入社後は、以下の業務内容からご経験に応じた業務を担当していただきます。まずは研究テーマの一部に従事し、理解度に応じて複数のテーマに取り組んでいただきます。将来的にはリーダーとしてメンバーをまとめるキャリアパスを描いていただく予定です。

勤務地

東京工場（東京都日野市富士町1番地）

給与

年収 600万円 〜 950万円 月給30万円～月給50万円
(注)経験・能力などを考慮の上、決定いたします。
［賃金改定]年1回 6月改定
［賞与]年2回 6月、12月支給

勤務時間

国内：実働7時間45分（時間帯は事業所により異なります）

休日休暇

【休日】
年間休日126日（2026年度）
完全週休2日制、祝日、5月連休、夏季、年末年始 など
【休暇】
年次有給休暇（初年度22日、次年度以降24日）、結婚休暇、配偶者出産休暇、勤続休暇、積立休暇、看護休暇、介護休暇 など

福利厚生

・独身寮・社宅（各事業所に完備）、賃貸住宅家賃補助制度、通勤費補助
・財形貯蓄、社員持株会、共済会（加入必須（個人負担あり）
・保養所、各種体育施設、各事業所内診療所診療所　など
・自己啓発・リフレッシュ支援制度
・休職制度（育児、介護）、就業時間短縮制度（育児、介護）、Location Flexible勤務制度（サテライト勤務、在宅勤務）

会社概要

富士電機株式会社