半導体業界の求人一覧

株式会社デンソー

126日前

半導体製品（ウエハ工程、パッケージ工程）の品質保証

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• 技術営業・FAE

愛知県、岐阜県 年収500万～700万円

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS,Si-IGBT,GaN）の企画／戦略立...

ミツミ電機株式会社

126日前

【滋賀】MEMSマイクロフォンの設計開発※東証プライムのミネベアミツミG／業績好調の半導体事業部◎

• その他
• センサーデバイス
• デバイス開発エンジニア

その他 年収700万～1000万円

【滋賀】MEMSマイクロフォンの設計開発※東証プライムのミネベアミツミG／業績好調の半導体事業部◎
...

株式会社アイシン

126日前

【愛知／刈谷市】MRAMを活用した低消費電力システムおよび半導体の開発◇年間休日121日／I40

• FPGA設計
• デバイス開発エンジニア
• メモリデバイス

愛知県、静岡県、岐阜県 年収1000万円以上

【愛知／刈谷市】MRAMを活用した低消費電力システムおよび半導体の開発◇年間休日121日／I40

ＹＩＴＯＡマイクロテクノロジー株式会社

126日前

【山梨県甲府市】MEMS製品開発／次世代製品／年間休日125日

• FPGA設計
• センサーデバイス
• デバイス開発エンジニア

山梨県 その他

【山梨県甲府市】MEMS製品開発／次世代製品／年間休日125日

～年間休日125日/転勤無/平均...

アヴネット株式会社

126日前

【大阪・心斎橋】(Micron社担当)半導体営業・営業企画／世界最大級商社での拡販戦略・提案活動

• メモリデバイス
• 技術営業・FAE
• 生産技術エンジニア

その他 その他

【大阪・心斎橋】(Micron社担当)半導体営業・営業企画／世界最大級商社での拡販戦略・提案活動

株式会社デンソー

126日前

【日進】電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体材料・デバイス・プロセス研究＜ミライズ＞

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• 材料開発エンジニア

愛知県 年収1000万円以上

【日進】電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体材料・デバイス・プロセス研究＜ミライ...

株式会社インターアクション

126日前

【横浜】光学設計　※東証プライム上場/世界トップクラスシェア製品を保有する検査用光源装置メーカー

• その他
• センサーデバイス
• 光電子デバイス

神奈川県 その他

【横浜】光学設計　※東証プライム上場/世界トップクラスシェア製品を保有する検査用光源装置メーカー

Ａｎｊｅｔ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｌａｂ株式会社

126日前

【京都／転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞最先端技術の開発！新進気鋭のベンチャー企業

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• 前工程プロセス開発

大阪府、京都府、東京都 その他

【京都／転勤無】プロセスインテグレーション＜パワー半導体＞最先端技術の開発！新進気鋭のベンチャー...

Ａｎｊｅｔ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｌａｂ株式会社

126日前

【京都／転勤無】パワー半導体デバイスの設計開発 ＜量産化フェーズ＞世界中のスペシャリストと協業◎

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• 材料開発エンジニア

京都府 年収500万～700万円

【京都／転勤無】パワー半導体デバイスの設計開発 ＜量産化フェーズ＞世界中のスペシャリストと協業◎

株式会社村田製作所

126日前

【滋賀】薄膜プロセス技術開発＜次世代MEMS・高周波デバイスを支える源流技術の開発＞ ◆プライム上場

• センサーデバイス
• デバイス開発エンジニア
• 前工程プロセス開発

その他 年収700万～1000万円

【滋賀】薄膜プロセス技術開発＜次世代MEMS・高周波デバイスを支える源流技術の開発＞ ◆プライム上場

コーセル株式会社

126日前

【富山市】設計開発◆東証プライム上場／標準電源の国内シェアトップクラス

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• 前工程プロセス開発

高知県、愛媛県、香川県ほか その他

【富山市】設計開発◆東証プライム上場／標準電源の国内シェアトップクラス

【標準電源の国...

株式会社ワタナベ光機(ミュートロングループ)

126日前

光学レンズ設計（光学・機構・電気ソフト）／月給25万円以上

• FPGA設計
• デバイス開発エンジニア
• 光電子デバイス

新潟県、神奈川県、東京都ほか 年収500万～700万円

【産業の“眼”をつくる技術】監視・医療・工場向けレンズの「光学・機構・電気ソフト」設計職

ルネサス エレクトロニクス株式会社

127日前

DDR Interface Evaluation Leader

• ASIC/SoC設計
• テスト開発エンジニア
• メモリデバイス

その他 年収500万～700万円

Job Description



【Background of the Recruitment】

As auto...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

127日前

ARM CPU Subsystem Design Engineer

• ASIC/SoC設計
• デジタルIC設計
• プロセッサ・マイクロコントローラ

その他 年収500万～700万円

Job Description



【Background of the Recruitment】

With th...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

127日前

ARM CPU Subsystem Design Engineer

• ASIC/SoC設計
• プロセッサ・マイクロコントローラ
• 組み込みソフトウェアエンジニア

福島県 年収500万～700万円

Job Description



【募集背景】

自動車の電動化・知能化により...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

127日前

Video IP / Subsystem Design Leader

• ASIC/SoC設計
• その他
• メモリデバイス

福島県 年収500万～700万円

Job Description



【Background of the Recruitment】

As vehi...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

127日前

Principal System Engineer

• その他
• パワーデバイス
• ミックスドシグナルIC設計

福島県 年収500万～700万円

Job Description



Systems (80% - 90% is the range of the job responsibil...

株式会社テクノプロ

130日前

【大阪】デジタル複合機の開発◇大手企業でスキルアップ／キャリア支援◎#11

• ASIC/SoC設計
• プロセッサ・マイクロコントローラ
• 組み込みソフトウェアエンジニア

その他 その他

【大阪】デジタル複合機の開発◇大手企業でスキルアップ／キャリア支援◎#11

【同社メンバー...

株式会社レゾナック

130日前

【山形（千葉）】＼UIターン支援あり／半導体材料（SiC）のプロセス開発／新拠点でプロセス設計へ挑戦

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• 材料開発エンジニア

新潟県、千葉県、山形県 年収1000万円以上

【山形（千葉）】＼UIターン支援あり／半導体材料（SiC）のプロセス開発／新拠点でプロセス設計へ挑戦

株式会社テクノプロ

130日前

【神奈川県】CMOSイメージセンサ（CIS）製品化・検証サポートエンジニア◇待機時給与変動なし#19

• センサーデバイス
• 前工程プロセス開発
• 後工程プロセス開発

神奈川県 その他

【神奈川県】CMOSイメージセンサ（CIS）製品化・検証サポートエンジニア◇待機時給与変動なし#19
<...

株式会社テクノプロ

130日前

【神奈川県横浜市】NAND型SSDを最適に制御するデバイスドライバおよびファームウェアの開発◆

• デバイス開発エンジニア
• メモリデバイス
• 生産技術エンジニア

神奈川県 その他

【神奈川県横浜市】NAND型SSDを最適に制御するデバイスドライバおよびファームウェアの開発◆

株式会社テクノプロ

130日前

【神奈川】DRAMメモリにおけるアナログ部分のレイアウト設計◆年間休日122日◆研修制度充実

• ASIC/SoC設計
• CAD/EDAエンジニア
• メモリデバイス

神奈川県 その他

【神奈川】DRAMメモリにおけるアナログ部分のレイアウト設計◆年間休日122日◆研修制度充実

...

アヴネット株式会社

130日前

【東京・恵比寿】(Micron社担当)半導体営業・営業企画／世界最大級商社での拡販戦略・提案活動

• メモリデバイス
• 技術営業・FAE
• 生産技術エンジニア

東京都 その他

【東京・恵比寿】(Micron社担当)半導体営業・営業企画／世界最大級商社での拡販戦略・提案活動

アヴネット株式会社

130日前

【東京・恵比寿】（Micron社担当）半導体商社の営業企画・プロダクトマーケティング　担当課長クラス

• メモリデバイス
• 技術営業・FAE
• 生産技術エンジニア

東京都 年収500万～700万円

【東京・恵比寿】（Micron社担当）半導体商社の営業企画・プロダクトマーケティング　担当課長クラス

キオクシア株式会社 （旧東芝メモリ）

130日前

【横浜】次世代DRAM (2D-OCTRAM）回路設計エンジニア◆在宅勤務可◆年間休日125日◆

• CAD/EDAエンジニア
• EDAツール開発者
• メモリデバイス

神奈川県 年収1000万円以上

【横浜】次世代DRAM (2D-OCTRAM）回路設計エンジニア◆在宅勤務可◆年間休日125日◆

【業務内...

株式会社BREXA Technology

130日前

【茨城・日立市エリア】パワー半導体/製品開発業務【機電】【ご経験を活かせる！】

• テスト開発エンジニア
• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス

その他 年収700万～1000万円

【茨城・日立市エリア】パワー半導体/製品開発業務【機電】【ご経験を活かせる！】

~ご経...

ＹＩＴＯＡマイクロテクノロジー株式会社

130日前

【山梨県甲府市】MEMS製品開発エンジニア／仕様検討～評価まで一貫開発

• センサーデバイス
• デバイス開発エンジニア
• 計測・解析エンジニア

山梨県 その他

【山梨県甲府市】MEMS製品開発エンジニア／仕様検討～評価まで一貫開発

～年間休日125日/...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

132日前

Principal System Engineer

• その他
• パワーデバイス
• ミックスドシグナルIC設計

その他 年収500万～700万円

Job Description



Systems (80% - 90%):
- Leverage strong technical...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

132日前

UX Validation Sr, Validation Engineer

• プロセッサ・マイクロコントローラ
• 組み込みソフトウェアエンジニア
• 製品評価エンジニア

福島県 年収500万～700万円

Job Description



We are looking for an experienced validation engineer ...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

132日前

Principal Analog Engineer

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• 前工程プロセス開発

福島県 年収500万～700万円

Job Description



[Hiring Background]
Reneas has set a goal of ach...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

133日前

Principal Analog Engineer

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• プロセス技術研究者

埼玉県 年収500万～700万円

Job Description



[Hiring Background]
Reneas has set a goal of ach...

株式会社デンソー

133日前

AD/ADAS向けSoCのソフトウェア設計基盤開発

• ASIC/SoC設計
• プロセッサ・マイクロコントローラ
• 組み込みソフトウェアエンジニア

東京都 年収500万～700万円

下記いずれかに従事・SoCソフトウェアアーキテクチャ設計　- SDV対応SoCのソフトウェアアーキを定義・So...

株式会社デンソー

134日前

車載SoCのニーズ・シーズ分析、参考仕様策定

• ASIC/SoC設計
• デジタルIC設計
• プロセッサ・マイクロコントローラ

東京都 年収500万～700万円

世界トップレベルの安全性と利便性を備えた自動運転システム・車載コネクテッドサービスに対応する①車載...

株式会社デンソー

134日前

車載SoCの先行開発（ASRA連携等）

• ASIC/SoC設計
• デジタルIC設計
• プロセッサ・マイクロコントローラ

神奈川県、東京都 年収500万～700万円

世界トップレベルの安全性と利便性を備えた自動運転システム・車載コネクテッドサービスに対応するSoCの...

株式会社デンソー

134日前

車載SoCのニーズ・シーズ分析、参考仕様策定(若手向け)

• ASIC/SoC設計
• プロセッサ・マイクロコントローラ
• メモリデバイス

東京都 年収500万～700万円

世界トップレベルの安全性と利便性を備えた自動運転システム・車載コネクテッドサービスに対応する①車載...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

134日前

【インターンシップ】パワーデバイス(MOSFET)のテスト設計と評価実習

• テスト開発エンジニア
• パワーデバイス
• 製品評価エンジニア

その他 年収500万～700万円

Job Description



AIの急速な普及に伴い、データセンターおよびAIサーバーの...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

134日前

【インターンシップ】 低/中電圧 MOSFET素子開発

• ASIC/SoC設計
• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス

長野県、新潟県、神奈川県ほか 年収500万～700万円

Job Description



AIの急速な普及に伴い、データセンターおよびAIサーバーの...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

134日前

【インターンシップ】パワーデバイス（PowerMOSFET）の電気的特性評価と応用検証

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• 技術営業・FAE

福島県 年収700万～1000万円

Job Description



AIの急速な普及に伴い、データセンターおよびAIサーバーの...

株式会社デンソー

134日前

電動車向けインバータ及び電源機器用パワー半導体を使った回路・制御研究

• ASIC/SoC設計
• FPGA設計
• パワーデバイス

愛知県 年収500万～700万円

パワーエレクトロニクス回路、及び制御技術の研究開発・インバータ、コンバータ、半導体リレー等の回路...

株式会社デンソー

134日前

SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• 材料開発エンジニア

愛知県 年収500万～700万円

SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のデバイスおよびプロセスに関する研...

株式会社デンソー

134日前

電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究

• その他
• パワーデバイス
• 材料開発エンジニア

愛知県 年収500万～700万円

パワーデバイス材料研究、デバイス開発・ウェハガス成長法の研究開発・横型GaN-HEMTのデバイス開発・α酸...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

137日前

Product Marketing Specialist (from 4yoe+)

• フィールドアプリケーションエンジニア（FAE）
• プロセッサ・マイクロコントローラ
• 組み込みソフトウェアエンジニア

その他 年収500万～700万円

Job Description



As a Staff Application Engineer in our Technical Marke...

株式会社デンソー

137日前

【愛知/豊田】＜半導体の研究機関＞研究開発(デバイス・プロセス/パワー半導体）／在宅可＜ミライズ＞

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• 計測・解析エンジニア

愛知県 その他

【愛知/豊田】＜半導体の研究機関＞研究開発(デバイス・プロセス/パワー半導体）／在宅可＜ミライズ＞

ルネサス エレクトロニクス株式会社

138日前

Principal Analog Engineer

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• 前工程プロセス開発

福島県 年収500万～700万円

Job Description



[Hiring Background]
Reneas has set a goal of ach...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

138日前

Principal Product Marketing Specialist

• フィールドアプリケーションエンジニア（FAE）
• プロセッサ・マイクロコントローラ
• 技術営業・FAE

その他 年収500万～700万円

Job Description



We are looking for a highly skilled and motivated Auto...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

140日前

Sr Principal Engineer

• デバイス開発エンジニア
• パワーデバイス
• プロセス技術研究者

福島県 年収500万～700万円

Job Description



We are seeking a highly motivated GaN Technology Devel...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

140日前

HPC Principal, Marketing - Business Development (Technical Marketing)

• フィールドアプリケーションエンジニア（FAE）
• プロセッサ・マイクロコントローラ
• 技術営業・FAE

その他 年収500万～700万円

Job Description



We are looking for a highly skilled and motivated Auto...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

140日前

HPC Video IP / Subsystem Design Leader

• ASIC/SoC設計
• プロセッサ・マイクロコントローラ
• 組み込みソフトウェアエンジニア

福島県 年収500万～700万円

Job Description



【募集背景】

自動車の電動化・知能化が進む...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

140日前

HPC Quality Leader for Automotive SoC (R‑Car) Design Team

• ASIC/SoC設計
• デジタルIC設計
• プロセッサ・マイクロコントローラ

埼玉県 年収500万～700万円

Job Description



【募集背景】

車載SoCの高機能化・大規模化...

ルネサス エレクトロニクス株式会社

140日前

HPC Automotive MCU CPU system engineer

• ASIC/SoC設計
• デジタルIC設計
• プロセッサ・マイクロコントローラ

千葉県 年収500万～700万円

Job Description



【背景】
当部門では、今後の製品競争力を左右するC...