ポテンシャル採用！パワー半導体デバイスの【設計開発】年休124 | 半導体業界の求人情報

Smart Overview

半導体業界における革新的な役割を担う「パワー半導体デバイス設計開発」職の募集です。SiCやGaNを用いたデバイスの設計・開発を通じて、最先端の技術に携わることができます。具体的には、電気特性評価やTCADを活用した製品設計などを行い、効率的かつ高性能な製品の開発に貢献します。また、入社後は充実したサポート体制が整っており、新しいスキルの習得や業務経験を通じて成長できる環境が魅力です。チームワークを重視しながら、業界をリードするプロジェクトに挑戦できるチャンスです。

【おすすめポイント】
・最先端のSiC/GaN技術に携わることができる
・充実した教育・サポート体制でスキルアップ可能
・チームワークを重視した環境での業務経験が得られる

募集職種

ASIC/SoC設計

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

仕事内容

仕事内容

化合物半導体（SiC・GaN等）を用いたパワーデバイスの構造設計やシミュレーション、特性評価などをお任せします。
具体的には

主に、化合物半導体パワーデバイスの設計から開発まで、一連の業務をご担当いただきます。▼具体的には以下の業務を行いますデバイスの構造設計やシミュレーション試作品の電気的および熱的な特性評価顧客要求仕様に基づく製品スペックの設計TCADを活かしたデバイス性能の最適化量産移管フェーズでのプロセス部門との連携や最適化サポート※入社後は経験やご希望などに応じて、他ポジション（開発工程など）へ挑戦いただくことも可能です。【雇い入れ直後】上記業務【変更の範囲】会社の定める業務

グローバルで刺激的な開発環境
台湾拠点や海外工場との連携が発生するため語学力を活かせる環境です。英語に自信がない方も、入社後に学びながら手厚いフォローを受けられるためご安心ください。業界の熟練者が多数在籍しており、常に高いスキルに触れながら新しい技術の探求に取り組めます！

求めている人材

【必須】
高専及び大卒以上　（理系学部出身）
パワー半導体デバイス特性・電気特性の知識

【歓迎要件】
SiC/GaN、またはシリコンパワーデバイス（MOSFET、SBDなど）の開発経験（1年以上）
TCAD（Synopsys、Silvaco等）の使用経験

現在、開発が進み、量産移管に向けた体制強化のため、人員を増員募集しております。

勤務地

本社勤務京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館 2103号室・2203号室・2208号室※転勤はありません。【雇い入れ直後】上記事業所【変更の範囲】変更なし

マイナビ転職の勤務地区分では…
京都府

給与

【年俸制500万円～700万円】月額 416,666円～ + 諸手当※年俸を1/12した額を毎月支給※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、　当社規定により優遇いたします※試用期間3ヶ月あり（待遇に変動はありません）※退職金制度はありません

初年度の年収

初年度年収は、入社後向こう一年間に支給される予定の金額で、基本給に諸手当と前年度の標準的な査定ベースの賞与額を加えたものです。
諸手当には、採用対象者に一律支給される予定の固定手当、平均残業時間を基準とした想定される時間外勤務手当を含みます。歩合給やインセンティブは含みません。
初年度年収は、入社される方のスキルや経験によって必ずしも一定ではありませんので、検索した年収額と実際に入社した際の金額は異なる場合があります。

500万円～700万円

勤務時間

専門業務型裁量労働制＜標準勤務時間帯＞9:00～18:00／1日8時間のみなし労働休憩時間：60分

休日休暇

年間休日124日完全週休2日制（土日祝休み）年間有給休暇：10日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）

福利厚生

各種社会保険完備服装自由（全従業員利用可）ストックオプション（全従業員利用可）従業員専用駐車場あり（全従業員利用可）受動喫煙対策：敷地内禁煙（屋外喫煙可能場所あり）

会社概要

Anjet Research Lab株式会社