ポテンシャル採用！パワー半導体デバイスの【設計開発】年休124
- ASIC/SoC設計デバイス開発エンジニアパワーデバイス
- 京都府
- 年収300万～500万円年収500万～700万円その他
- 提供元：マイナビ転職
- 掲載日：2026年05月07日
求人AIによる要約
半導体業界における革新的な役割を担う「パワー半導体デバイス設計開発」職の募集です。SiCやGaNを用いたデバイスの設計・開発を通じて、最先端の技術に携わることができます。具体的には、電気特性評価やTCADを活用した製品設計などを行い、効率的かつ高性能な製品の開発に貢献します。また、入社後は充実したサポート体制が整っており、新しいスキルの習得や業務経験を通じて成長できる環境が魅力です。チームワークを重視しながら、業界をリードするプロジェクトに挑戦できるチャンスです。
【おすすめポイント】
・最先端のSiC/GaN技術に携わることができる
・充実した教育・サポート体制でスキルアップ可能
・チームワークを重視した環境での業務経験が得られる
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OUTLINE
ASIC/SoC設計
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
仕事内容
化合物半導体（SiC・GaN等）を用いたパワーデバイスの構造設計やシミュレーション、特性評価などをお任せします。
具体的には
主に、化合物半導体パワーデバイスの設計から開発まで、一連の業務をご担当いただきます。▼具体的には以下の業務を行いますデバイスの構造設計やシミュレーション 試作品の電気的および熱的な特性評価顧客要求仕様に基づく製品スペックの設計TCADを活かしたデバイス性能の最適化量産移管フェーズでのプロセス部門との連携や最適化サポート※入社後は経験やご希望などに応じて、他ポジション（開発工程など）へ挑戦いただくことも可能です。【雇い入れ直後】上記業務【変更の範囲】会社の定める業務
グローバルで刺激的な開発環境
台湾拠点や海外工場との連携が発生するため語学力を活かせる環境です。英語に自信がない方も、入社後に学びながら手厚いフォローを受けられるためご安心ください。業界の熟練者が多数在籍しており、常に高いスキルに触れながら新しい技術の探求に取り組めます！
高専及び大卒以上 （理系学部出身）
パワー半導体デバイス特性・電気特性の知識
【歓迎要件】
SiC/GaN、またはシリコンパワーデバイス（MOSFET、SBDなど）の開発経験（1年以上）
TCAD（Synopsys、Silvaco等）の使用経験
現在、開発が進み、量産移管に向けた体制強化のため、人員を増員募集しております。
マイナビ転職の勤務地区分では…
京都府
初年度の年収
初年度年収は、入社後向こう一年間に支給される予定の金額で、基本給に諸手当と前年度の標準的な査定ベースの賞与額を加えたものです。
諸手当には、採用対象者に一律支給される予定の固定手当、平均残業時間を基準とした想定される時間外勤務手当を含みます。歩合給やインセンティブは含みません。
初年度年収は、入社される方のスキルや経験によって必ずしも一定ではありませんので、検索した年収額と実際に入社した際の金額は異なる場合があります。
500万円～700万円
COMPANY
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