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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年5月12日

株式会社デンソー

電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発

ASIC/SoC設計デバイス開発エンジニアパワーデバイス
想定年収 年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地 愛知県

Smart Overview

SiCパワーモジュールの開発部門では、高品質な半導体デバイスを提供するためのエキスパートを募集しています。電動車両向けの高性能SiC-MOSFETを介した製品開発に関与し、最新技術を駆使して市場のニーズに応えることが求められます。特に、設計や実装能力、チームワークに優れた方を歓迎します。また、業界内でのキャリアアップや技術研鑽の機会も多く、成長を志向する方にはピッタリな環境です。

【おすすめポイント】
・最新技術を活用したSiC-MOSFETの開発に携われる
・業界内でのキャリアアップのチャンスが豊富
・チームワークを重視する職場環境で成長できる

募集職種

ASIC/SoC設計

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

仕事内容

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。【】電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用SiC-MOSFETの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計◆車載用SiC-MOSFETデバイス開発・設計 ・デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・素子試作評価、分析解析、良品率改善 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック【業務のやりがい・魅力】・SiCパワー半導体デバイス開発に関するスキルアップができます。特に、最先端の研究機関との連携や、試作ラインを用いて、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。・素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ開発部署と密接に連携しながら開発を進めるため、様々な専門知識を持つ方たちと一気通貫で多岐にわたる業務を経験できます。・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。

求めている人材

<MUST要件>半導体素子の設計および開発経験または知識をお持ちの方 ※パワー半導体の経験有無は問いません<WANT要件>以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 ・半導体素子の設計および開発経験(目安:3年以上)をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 >広瀬製作所(愛知県豊田市)

会社概要

株式会社デンソー