掲載中
応募受付中
掲載日:
2026年5月12日
株式会社デンソー
電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
想定年収
年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地
愛知県
Smart Overview
【おすすめポイント】
・GaN半導体を用いた先進的なプロジェクトに携われる
・業界最高品質の製品を提供する信頼のチーム
・クリーンエネルギーへの貢献を実感できる職場環境
募集職種
その他
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
仕事内容
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー、GaN半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。【】電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子(GaNーHEMT)のプロセス開発業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。・車載用GaN-HEMTデバイス構造を実現するために必要なユニットプロセスの開発・上記ユニットプロセスを組み合わせてトータルプロセスフローの構築・デバイス性能向上やコスト改善するプロセスの開発【業務のやりがい・魅力】・パワー半導体プロセス開発に関するスキルアップができます。特に、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。