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半導体業界の求人一覧


1,002 件が見つかりました

求人一覧

Anjet Research Lab株式会社
234日前

【京都】オープンポジション/電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会社

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • プロジェクトマネージャー
京都府 年収1000万円以上

【京都】オープンポジション/電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会...

株式会社シバソク
234日前

【所沢】電源システム/DC-DCコンバータの設計・開発・評価◆開発費に企業規模以上の投資◆年126休

  • その他
  • パワーデバイス
  • 計測・解析エンジニア
埼玉県 その他

【所沢】電源システム/DC-DCコンバータの設計・開発・評価◆開発費に企業規模以上の投資◆年126休
...

株式会社デンソー
234日前

パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計

  • パワーデバイス
  • プロセス技術研究者
  • 生産技術エンジニア
愛知県 年収500万~700万円

【組織ミッション】SiC準備室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス...

株式会社デンソー
234日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<先デバ>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • プロセス技術研究者
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<先デバ>

■業務...

株式会社デンソー
234日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発(SiC)<先デバ>

  • パワーデバイス
  • プロセス技術研究者
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発(SiC)<先デバ>

株式会社デンソー
234日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(SiC)<先デバ>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(SiC)<先デバ>

株式会社デンソー
234日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発(GaN)<先デバ>

  • パワーデバイス
  • プロセス技術研究者
  • 前工程プロセス開発
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のプロセス開発(GaN)<先デバ>

株式会社デンソー
234日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(GaN)<先デバ>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(GaN)<先デバ>

株式会社デンソー
234日前

<UIターン歓迎>【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<先デバ>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
三重県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<先デバ>

■業務...

株式会社デンソー
234日前

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発<先デバ>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 製品評価エンジニア
愛知県 年収1000万円以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の検査技術開発<先デバ>

■業...

ミネベアパワーデバイス
234日前

設計職(IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計)

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
東京都 年収500万~700万円

設計職(IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計)

パワーMO...

テクノヒューマンパワー株式会社
234日前

化合物半導体の製品開発

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
神奈川県 年収500万~700万円

<ご担当いただく業務>シリコン半導体に代わる窒化ガリウムパワー半導体の研究・開発業務となります。

東芝デバイス&ストレージ株式会社
234日前

【福岡/豊前】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(半導体リレー、小信号デバイス)

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 製品評価エンジニア
福岡県 その他

【福岡/豊前】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(半導体リレー、小信号デバイス)

東芝デバイス&ストレージ株式会社
234日前

【兵庫/揖保郡】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア(SiC)※就業環境◎年休127日

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
兵庫県 年収1000万円以上

【兵庫/揖保郡】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア(SiC)※就業環境◎年休127日

株式会社安川電機
234日前

【北九州】産業用ロボットの電源回路設計 ※産業用ロボット世界的企業/福利厚生充実

  • CAD/EDAエンジニア
  • その他
  • パワーデバイス
福岡県 その他

【北九州】産業用ロボットの電源回路設計 ※産業用ロボット世界的企業/福利厚生充実

◆◇産...

ローム株式会社
234日前

【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア(年休130日/事業拡大に伴う組織強化)

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
宮崎県、福岡県、京都府 その他

【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア(年休130日/事業拡大に伴う組織強化)

■仕事内容...

株式会社ニューフレアテクノロジー
234日前

【横浜】プロセス開発エンジニア(成膜)◆マネジメント候補/在宅勤務可◆業界注目のパワー半導体製造

  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
  • 成膜装置
神奈川県 年収1000万円以上

【横浜】プロセス開発エンジニア(成膜)◆マネジメント候補/在宅勤務可◆業界注目のパワー半導体製造

ローム株式会社
233日前

【ポテンシャル歓迎】エンジニアポジションサーチ求人※ご経験を鑑みてポジションを提案いたします。

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • フィールドアプリケーションエンジニア(FAE)
福岡県、京都府 その他

【ポテンシャル歓迎】エンジニアポジションサーチ求人※ご経験を鑑みてポジションを提案いたします。

東芝デバイス&ストレージ株式会社
233日前

【石川】半導体の製品開発エンジニア(パワーデバイス)就業環境◎年休127日

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 製品評価エンジニア
福井県、石川県 その他

【石川】半導体の製品開発エンジニア(パワーデバイス)就業環境◎年休127日

【カーボンニ...

株式会社リョーサン
233日前

完全週休2日(土日祝休み)★半導体製品の【FAE】

  • その他
  • パワーデバイス
  • 技術営業・FAE
東京都 その他

仕事内容


エレクトロニク...

株式会社リョーサン
233日前

完全週休2日(土日祝休み)★半導体アナログ製品の【FAE】

  • その他
  • パワーデバイス
  • 技術営業・FAE
東京都 年収700万~1000万円

仕事内容


エレクトロニク...

株式会社デンソー
232日前

電動車用主機バッテリーの高電圧リレーの開発設計

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 設備エンジニア
愛知県 年収1000万円以上

電動車両向け(HEV/PHEV/BEV/FCV)、またはSORAモビリティの大電流・高電圧の接続技術であるリレー・遮...

株式会社デンソー
232日前

電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究

  • ウェハ材料
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
愛知県 年収1000万円以上

パワーデバイス材料研究、デバイス開発・SiCウェハガス成長法の研究開発・SiCエピタキシャル成長の研究...

株式会社デンソー
232日前

モータースポーツ向けパワーエレクトロニクス(インバータ)の革新技術開発

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 組み込みソフトウェアエンジニア
愛知県 年収1000万円以上

インバータAssyの開発牽引リーダーとして、低電圧、高電圧、冷却構造、制御まで一気通貫で関わっていた...

富士電機株式会社
231日前

【東京】研究開発(次世代半導体/SiC・GaN)◆積極投資中の注力事業/プライム上場/業績堅調に推移

  • パワーデバイス
  • プロセス技術研究者
  • 材料開発エンジニア
東京都 その他

【東京】研究開発(次世代半導体/SiC・GaN)◆積極投資中の注力事業/プライム上場/業績堅調に推移

住友電工デバイス・イノベーション株式会社
231日前

【山梨・昭和町】設備管理・保全◇東証プライム上場G◇世界TOPレベルの化合物半導体メーカー

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 設備エンジニア
山梨県 その他

【山梨・昭和町】設備管理・保全◇東証プライム上場G◇世界TOPレベルの化合物半導体メーカー

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株式会社メイテック
231日前

【愛知/安城】高効率インバーターの先行開発/電気電子設計◆超上流開発でスキルアップ◆ <619>

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 歩留まり改善エンジニア
愛知県 年収700万~1000万円

【愛知/安城】高効率インバーターの先行開発/電気電子設計◆超上流開発でスキルアップ◆ <619>
...

株式会社メイテックフィルダーズ
231日前

【三重】スイッチング電源、高電圧電源などの回路設計、基板設計~品質評価、実験評価<584>

  • その他
  • パワーデバイス
  • 製品評価エンジニア
福岡県、和歌山県、奈良県ほか 年収700万~1000万円

【三重】スイッチング電源、高電圧電源などの回路設計、基板設計~品質評価、実験評価<584>

Astemo株式会社
231日前

【佐和】パワーデバイス設計・開発(車載インバータ組込みパワーモジュール)/web面接1回#1271

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 材料開発エンジニア
茨城県 年収700万~1000万円

【佐和】パワーデバイス設計・開発(車載インバータ組込みパワーモジュール)/web面接1回#1271
<...

株式会社メイテックフィルダーズ
231日前

【東京】電気デバイス系RRP製品、回路設計などをお任せ◆研修体制充実/東証プライム上場G

  • その他
  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
神奈川県、東京都 年収500万~700万円

【東京】電気デバイス系RRP製品、回路設計などをお任せ◆研修体制充実/東証プライム上場G

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東芝デバイス&ストレージ株式会社
231日前

【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア◆高い技術力で社会貢献/フレックス有

  • パワーデバイス
  • プロセス技術研究者
  • 前工程プロセス開発
兵庫県 年収700万~1000万円

【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア◆高い技術力で社会貢献/フレックス有

株式会社デンソー
228日前

電動車向けインバータ用パワー半導体の分析、解析、信頼性評価技術

  • パワーデバイス
  • 製品評価エンジニア
  • 計測・解析エンジニア
愛知県 年収500万~700万円

電動車向けインバータ用パワー半導体及びパワーモジュールの分析、解析、信頼性評価業務及び技術開発 ・...

株式会社デンソー
228日前

電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • プロセス技術研究者
愛知県 年収500万~700万円

電動車向けインバータ用パワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET)のデバイス設計やデバイスのプロセス...

アットフィールズテクノロジー株式会社
227日前

【愛知/豊田・日進】半導体プロセス・要素技術開発※リモート可/フレックス制度/土日祝休

  • パワーデバイス
  • 前工程プロセス開発
  • 後工程プロセス開発
愛知県 年収500万~700万円

【愛知/豊田・日進】半導体プロセス・要素技術開発※リモート可/フレックス制度/土日祝休

◆...

日本テキサス・インスツルメンツ合同会社
227日前

【大分・日出町】半導体パッケージエンジニア(高電圧パッケージ)※アナログ半導体の世界シェアトップ

  • パワーデバイス
  • 封止・パッケージ材料
  • 後工程プロセス開発
大分県 年収1000万円以上

【大分・日出町】半導体パッケージエンジニア(高電圧パッケージ)※アナログ半導体の世界シェアトップ

富士電機株式会社
227日前

【愛知/知立】法人営業(パワエレ・エネルギー製品)◆工場自動化・DX化を支援/プライム上場メーカー

  • パワーデバイス
  • 技術営業・FAE
  • 生産技術エンジニア
愛知県 その他

【愛知/知立】法人営業(パワエレ・エネルギー製品)◆工場自動化・DX化を支援/プライム上場メーカー

富士電機株式会社
227日前

【東京/大崎】プラント営業(化学・セメント会社向け)◇年休125日以上/プライム上場◇

  • パワーデバイス
  • プロジェクトマネージャー
  • 技術営業・FAE
神奈川県、東京都 その他

【東京/大崎】プラント営業(化学・セメント会社向け)◇年休125日以上/プライム上場◇

【...

株式会社TMEIC
227日前

【神戸】電気系ポジションサーチ(電気・回路設計)※パワエレ業界トップ級/国内シェアトップ級商品多数

  • ASIC/SoC設計
  • パワーデバイス
  • 設備エンジニア
兵庫県 年収700万~1000万円

【神戸】電気系ポジションサーチ(電気・回路設計)※パワエレ業界トップ級/国内シェアトップ級商品多数...

株式会社GSユアサ
227日前

【埼玉/川越】パワエレ領域の製品開発(産業用電源装置)◆プライム上場/人々の生活の根幹を支える製品

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 製品評価エンジニア
埼玉県 その他

【埼玉/川越】パワエレ領域の製品開発(産業用電源装置)◆プライム上場/人々の生活の根幹を支える製品<...

インテグラン株式会社
227日前

【業界未経験歓迎】法人営業※既存中心◇防衛関係の特殊用途カスタム電源/月残業20時間程度

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 技術営業・FAE
東京都 年収300万~500万円

【業界未経験歓迎】法人営業※既存中心◇防衛関係の特殊用途カスタム電源/月残業20時間程度

...

株式会社BREXA Technology
227日前

【青森県】回路・電気設計(戦略開発・システム統合…等)◆※UIターン歓迎※/通勤可能エリアでの配属◆

  • CAD/EDAエンジニア
  • FPGA設計
  • パワーデバイス
青森県 その他

【青森県】回路・電気設計(戦略開発・システム統合…等)◆※UIターン歓迎※/通勤可能エリアでの配属◆

株式会社Wave Technology
227日前

【長崎】電源回路の開発設計◇年休125日/残業月20h/通信機器やEV用電源など

  • その他
  • デジタルIC設計
  • パワーデバイス
長崎県、兵庫県 年収700万~1000万円

【長崎】電源回路の開発設計◇年休125日/残業月20h/通信機器やEV用電源など

<選ばれる理由...

株式会社メイテック
227日前

【愛知・安城】転職回数多めの方も歓迎!次世代電気自動車用パワー半導体開発業務(機械設計)<623>

  • その他
  • パワーデバイス
愛知県 その他

【愛知・安城】転職回数多めの方も歓迎!次世代電気自動車用パワー半導体開発業務(機械設計)<623>

株式会社BREXA Technology
227日前

【山形県】回路・電気設計(戦略開発・システム統合…等)◆※UIターン歓迎※/通勤可能エリアでの配属◆

  • CAD/EDAエンジニア
  • FPGA設計
  • パワーデバイス
山形県 その他

【山形県】回路・電気設計(戦略開発・システム統合…等)◆※UIターン歓迎※/通勤可能エリアでの配属◆

株式会社メイテック
227日前

【府中市】インフラ向けパワーエレクトロニクス変換装置の要素技術開発※充実の福利厚生・研修制度

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 技術営業・FAE
東京都 年収700万~1000万円

【府中市】インフラ向けパワーエレクトロニクス変換装置の要素技術開発※充実の福利厚生・研修制度
...

株式会社メイテック
227日前

【府中市】インフラ向けパワーエレクトロニクス変換装置の基板回路設計※充実の福利厚生・研修制度

  • CAD/EDAエンジニア
  • パワーデバイス
  • 計測・解析エンジニア
岐阜県、長野県、山梨県ほか その他

【府中市】インフラ向けパワーエレクトロニクス変換装置の基板回路設計※充実の福利厚生・研修制度
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富士電機株式会社
224日前

【東京】研究開発(パワーエレクトロニクス)◆プライム上場の大手総合電機メーカー/年間休日126日

  • デバイス開発エンジニア
  • パワーデバイス
  • 計測・解析エンジニア
東京都 年収700万~1000万円

【東京】研究開発(パワーエレクトロニクス)◆プライム上場の大手総合電機メーカー/年間休日126日

第一実業株式会社
224日前

【名古屋】営業職(自動車業界向け設備機械)※独立系総合機械商社/プライム上場

  • パワーデバイス
  • 技術営業・FAE
  • 設備エンジニア
愛知県 その他

【名古屋】営業職(自動車業界向け設備機械)※独立系総合機械商社/プライム上場

【連結売...

株式会社メイテック
224日前

【府中市/在宅可】インフラ向けパワーエレクトロニクス変換装置の基板回路設計/東証プライム上場G

  • CAD/EDAエンジニア
  • パワーデバイス
  • 設備エンジニア
岐阜県、長野県、神奈川県ほか 年収700万~1000万円

【府中市/在宅可】インフラ向けパワーエレクトロニクス変換装置の基板回路設計/東証プライム上場G

東京エレクトロンデバイス株式会社
224日前

【大阪】法人営業(半導体製品/自動車業界向け)~業界未経験歓迎・東証プライム上場~

  • パワーデバイス
  • プロセッサ・マイクロコントローラ
  • 技術営業・FAE
大阪府 その他

【大阪】法人営業(半導体製品/自動車業界向け)~業界未経験歓迎・東証プライム上場~

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