電動車向けSiCパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
半導体業界の求人一覧
1,074 件が見つかりました
求人一覧
パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】SiC準備室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス...
電動車向けパワー半導体素子の企画/拡販戦略立案
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
愛知県
年収500万～700万円
電動車向けインバータ用パワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET)のデバイス設計やデバイスのプロセス...
電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けSiパワー半導体素子の開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
自動車用半導体（ASIC）製品のウエハプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】・自動車の進化を支える製品を提供し、お客様に価値を感じていただけること。・自動...
電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュート...
車載用アナログ半導体製品の企画／設計
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】・自動車の進化を支える製品を提供し、お客様に価値を感じていただけること。・自動...
車載用半導体の素子-システム一貫シミュレーションモデル開発
愛知県
年収500万～700万円
【】車載用半導体(SiC、GaN)における素子の設計技術開発(TCAD,SPICE)、及びパワエレ設計環境開発具体的...
電動車向けインバータ用パワー半導体の分析、解析、信頼性評価技術
愛知県
年収500万～700万円
電動車向けインバータ用パワー半導体及びパワーモジュールの分析、解析、信頼性評価業務及び技術開発 ・...
半導体関連の【アプリケーションエンジニア】年間休日126日
福岡県、兵庫県、神奈川県
年収1000万円以上
仕事内容
【最先端技術に...
パワー半導体関連の【プロセスエンジニア】年休126日★土日祝休
石川県
年収1000万円以上
仕事内容
ディスクリート...
【SBT】パッケージ基板開発 エンジニア
栃木県、茨城県
年収500万～700万円
会社概要
TSMCジャパン3DIC研究開発センター (以下「JRDC」)は、専業ファウンドリビジネス...
【府中市】研究開発（パワーエレクトロニクス製品）～業界トップ級の技術力を持つ重電メーカー＃101
東京都
その他
【府中市】研究開発（パワーエレクトロニクス製品）～業界トップ級の技術力を持つ重電メーカー＃101
【みなとみらい】パワーエレクトロニクス要素技術の研究開発◆次世代xEV向け／グローバルなキャリア機会
神奈川県
年収1000万円以上
【みなとみらい】パワーエレクトロニクス要素技術の研究開発◆次世代xEV向け／グローバルなキャリア機会<...
【横浜市】大容量電源の回路設計 ※カーボンニュートラルに貢献！半導体業界向け、排ガス処理装置メーカー
神奈川県
その他
【横浜市】大容量電源の回路設計 ※カーボンニュートラルに貢献！半導体業界向け、排ガス処理装置メーカ...
※未経験歓迎※北海道◆半導体（プロセス開発・デバイス開発）／大手メーカーを中心に約500社と取引有
北海道
その他
※未経験歓迎※北海道◆半導体（プロセス開発・デバイス開発）／大手メーカーを中心に約500社と取引有
【京都】パワーエレクトロニクス技術開発 ◆パワエレの研究開発拠点立ち上げメンバー募集
京都府
その他
【京都】パワーエレクトロニクス技術開発 ◆パワエレの研究開発拠点立ち上げメンバー募集
■...
【京都】パワーエレクトロニクス技術開発（リーダー）◆パワエレの研究開発拠点立ち上げメンバー募集
京都府
年収1000万円以上
【京都】パワーエレクトロニクス技術開発（リーダー）◆パワエレの研究開発拠点立ち上げメンバー募集
【福井】パワーデバイス製品テスト工程の生産技術◆土日祝休み／半導体製造の「後工程」に特化した企業
福井県
その他
【福井】パワーデバイス製品テスト工程の生産技術◆土日祝休み／半導体製造の「後工程」に特化した企業
【関東／面接1回】電気電子設計開発／40代活躍中／希望の勤務地考慮／メーカー開発の上流工程に携わる
神奈川県、東京都、千葉県ほか
その他
【関東／面接1回】電気電子設計開発／40代活躍中／希望の勤務地考慮／メーカー開発の上流工程に携わる
【栃木/小山】パワー電源の回路設計～自社開発あり/幅広い業界案件を担当
栃木県
その他
【栃木/小山】パワー電源の回路設計～自社開発あり/幅広い業界案件を担当
～スキルに合わ...
【東京都／府中市】研究開発（パワエレ製品）～東芝と三菱電機のDNA/トップシェア製品多数＃101
東京都
その他
【東京都／府中市】研究開発（パワエレ製品）～東芝と三菱電機のDNA/トップシェア製品多数＃101
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【前橋市】車載機器ソフトウェア設計（モーター制御、各種ECU）※勤務地・案件最大考慮※残業月20H
群馬県
年収1000万円以上
【前橋市】車載機器ソフトウェア設計（モーター制御、各種ECU）※勤務地・案件最大考慮※残業月20H
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【栃木県】電気自動車用のインバータ電気設計業務／充実の研修制度◇東証プライム上場G
栃木県
年収700万～1000万円
【栃木県】電気自動車用のインバータ電気設計業務／充実の研修制度◇東証プライム上場G
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建物・設備管理（滋賀工場）
滋賀県
その他
産業用機械や太陽光発電設備のインバーター、工場設備用の電源などの開発、電気回路設計
品質保証・品質管理（滋賀工場）
滋賀県
その他
産業用機械や太陽光発電設備のインバーター、工場設備用の電源などの開発、電気回路設計
構造設計(滋賀工場)
滋賀県
その他
産業用機械や太陽光発電設備のインバーター、工場設備用の電源などの開発、電気回路設計
電動車向けインバータ及び電源機器用パワー半導体モジュールの研究開発
愛知県
年収700万～1000万円
電気自動車やハイブリッド車などに不可欠な次世代パワーエレクトロニクス製品におけるパワー半導体モジ...
パワー半導体開発エンジニア(本社)
その他
その他
産業用機械や太陽光発電設備のインバーター、工場設備用の電源などの開発、電気回路設計
構造設計(本社)
その他
その他
産業用機械や太陽光発電設備のインバーター、工場設備用の電源などの開発、電気回路設計
組込ソフト開発(本社)
その他
その他
産業用機械や太陽光発電設備のインバーター、工場設備用の電源などの開発、電気回路設計
【埼玉】電子部品／ユニット機器の生産技術職（工程設計）◇グローバルに事業を展開／東証プライム上場
埼玉県
その他
【埼玉】電子部品／ユニット機器の生産技術職（工程設計）◇グローバルに事業を展開／東証プライム上場
D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）
神奈川県
年収700万～1000万円
弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究...
D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
福岡県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
D1【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス...
P1【第二新卒/石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
兵庫県
年収700万～1000万円
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引す...
D1-4【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア
福岡県
年収700万～1000万円
当部門では車載向け小型MOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通して...
P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
パワー半導体向けのSiCウエハ生産技術開発
愛知県
年収500万～700万円
【組織ミッション】SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体SiCに関わる生...
Q1【神奈川】半導体製品の品質・信頼性エンジニア（リーダー候補）
神奈川県
年収700万～1000万円
カーボンニュートラルな未来に向けて、パワーデバイス製品の需要拡大が見込まれるなか、市場要求品質を...
D2【兵庫】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）
兵庫県
年収700万～1000万円
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・パワーモジュール パッケージ開発
・試作・性...
D1【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア
兵庫県
年収700万～1000万円
当部門では産業、車載向けMOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通し...
P1【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
石川県
年収700万～1000万円
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回...
電動車向けインバータ及び電源機器用パワー半導体を使った回路・制御研究
愛知県
年収700万～1000万円
パワーエレクトロニクス回路、及び制御技術の研究開発・インバータ、コンバータ回路開発・SiC、GaNデバ...
パワーエレクトロニクス
奈良県
その他
パワーデバイスを主軸とする低損失スイッチング回路の開発と、その回路特性を活かす制御技術の開発。
【エレクトロニクス】車載電源機器の開発・設計
愛知県
その他
自動車の電動化が急速に拡大する中、電動車に搭載される電源機器（DC-DCコンバータ・車載充電器・ACイン...