SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発

Smart Overview

半導体業界での革新を牽引する、SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発のポジションです。あなたは、SiC-MOSFETやGaN-MOSFETの設計からプロセス開発、試作品の評価まで、幅広い業務を担当します。最新のエピ成長技術やウェハ技術に関わりながら、パワーデバイスの性能向上を実現するチャンスがあります。技術動向の調査やプロセスシミュレーションを通じて、次世代のパワーデバイスを一緒に創り上げませんか？

【おすすめポイント】
・SiCおよびGaN技術の最前線での研究開発に携われます。
・パワーデバイスの設計から評価まで、一貫したプロセスに関与。
・業界の技術動向を把握し、先端技術に触れることができます。

募集職種

パワーデバイス

プロセス技術研究者

前工程プロセス開発

仕事内容

SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のデバイスおよびプロセスに関する研究開発。SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発。・パワーデバイスの企画、技術動向調査・パワーデバイスのデバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計・パワーデバイスのプロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発・パワーデバイスのプロセスインテグレーション、工程設計・パワーデバイス試作品のテスト、分析、評価解析・パワーデバイス用ウェハ（GaN基板、SiCエピ成長）の技術開発・パワーデバイス用加工装置の導入および改造

求めている人材

・半導体に関する知識を有すること　・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（研究開発、量産経験は問いません）・パワー半導体に関する知識を有すること　・半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上）・半導体加工設備の導入および改造経験・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者

勤務地

愛知 ＞株式会社ミライズテクノロジーズ（愛知県豊田市）

会社概要

株式会社デンソー