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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年3月16日

株式会社デンソー

電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発

パワーデバイスプロセス技術研究者前工程プロセス開発
想定年収 年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地 愛知県

Smart Overview

半導体業界のリーディングカンパニーで、電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発に挑戦しませんか?私たちのパワーデバイス技術部は、カーボンニュートラル社会の実現を目指し、高品質なパワー半導体の研究と開発に取り組んでいます。フラットな組織文化の中で、最新のユニットプロセスの開発やトータルプロセスフローの構築を行い、地球温暖化の軽減に寄与する製品を創出することで、やりがいを感じる環境をご提供します。具体的なモノづくりに関わりながら、技術的スキルを高めるチャンスがあります。

【おすすめポイント】
・フラットでオープンな社風
・地球温暖化の課題解決に貢献
・スキルアップとモノづくりの実践機会

募集職種

パワーデバイス

プロセス技術研究者

前工程プロセス開発

仕事内容

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー、GaN半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。【】電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子(GaNーHEMT)のプロセス開発業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。・車載用GaN-HEMTデバイス構造を実現するために必要なユニットプロセスの開発・上記ユニットプロセスを組み合わせてトータルプロセスフローの構築・デバイス性能向上やコスト改善するプロセスの開発【業務のやりがい・魅力】・パワー半導体プロセス開発に関するスキルアップができます。特に、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。【関連リンク】半導体|特集記事|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソー次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソークルマの「電動化」を支える、次世代SiCパワー半導体チップの開発|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソーパワー半導体で未来を創る──その挑戦を支える「自分らしさ」を尊重したキャリアと働き方|DRIVEN BASE(ドリブンベース)- デンソー

求めている人材

<MUST要件>半導体材料またはそのプロセス技術の研究・開発経験をお持ちの方 ※パワー半導体の経験有無は問いません<WANT要件>以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方・半導体プロセスインテグレーションの知識をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 >広瀬製作所(愛知県豊田市)

会社概要

株式会社デンソー