D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）

Smart Overview

半導体業界において、化合物半導体のプロセス開発エンジニアを募集しています。特にGaNパワーデバイス事業では、製品・プロセス・材料の開発をリードする意欲的な人材を求めています。また、次世代SiCデバイスのデバイス設計やプロセスインテグレーション、エピタキシャル成長を活用した大口径ウェーハ製造に関わるチャンスも。これまでの経験を活かしながら、最先端技術に貢献できる貴重な機会です。

【おすすめポイント】
・次世代半導体技術に関わる実務経験を得られる。
・プロセス開発におけるリーダーシップを発揮できる環境。
・多様な半導体デバイスに対する深い知識を身につけることができる。

募集職種

パワーデバイス

前工程プロセス開発

材料開発エンジニア

仕事内容

その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。

求めている人材

【必須】
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方

勤務地

671-1595  兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　姫路半導体工場

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ