P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア

Smart Overview

当社は、パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニアを募集しています。200mmウエハー対応の製造ラインの強化に加え、初めて300mmウエハー対応の新ラインをクリーンルームに導入します。このプロジェクトは、低耐圧MOSFETやIGBTの生産能力を向上させ、半導体技術の最前線で活躍するチャンスです。最先端の開発現場で専門性を高めることができ、業界の進化を体感しながらキャリアを築いていきましょう。

【おすすめポイント】
・最先端の300mmウエハー対応製造ラインに関与できるチャンス
・低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力向上に貢献
・成長著しい半導体業界でのキャリアアップが可能

募集職種

パワーデバイス

前工程プロセス開発

生産技術エンジニア

仕事内容

当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。

求めている人材

MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発を進めていただきます。
各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。
各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。

勤務地

923-1293  石川県能美市岩内町１－１ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　加賀分室

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：１５～１７：００（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ