D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）

Smart Overview

半導体業界でのキャリアアップを目指しませんか？当社では、GaNパワーデバイス事業の拡大に向け、製品・プロセス・材料の開発をリードするプロセス開発エンジニアを募集しています。また、次世代SiCデバイスの設計やプロセスインテグレーション、大口径ウェーハ製造プロセスの開発に携わるチャンスがもたらされます。最先端技術を駆使し、業界を牽引するプロフェッショナルとして成長できる環境が整っており、あなたのスキルと情熱が求められています。

【おすすめポイント】
・GaN/SiCデバイスに関する最先端の技術開発に関与
・プロセス開発やデバイス設計の専門知識を活かせる
・業界リーダーとしての成長を実現できる職場環境

募集職種

パワーデバイス

前工程プロセス開発

材料開発エンジニア

仕事内容

その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。

求めている人材

【必須】
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方

勤務地

671-1595  兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　姫路半導体工場

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ