P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア

Smart Overview

当社では、パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニアを募集中です。これまでの成果を基に、既存の200mmウエハー対応製造ラインに300mmウエハー対応ラインを導入し、低耐圧MOSFETおよびIGBTの生産能力を向上させます。このプロジェクトに参加することで、最新技術に触れ、業界の最前線で活躍する機会を得られます。半導体業界に貢献し、成長の一翼を担うエキサイティングなポジションです。

【おすすめポイント】
・300mmウエハー対応の最新生産ラインへの参加
・業界最前線での先進技術に触れる機会
・パワー半導体分野での成長・キャリアアップの可能性

募集職種

パワーデバイス

前工程プロセス開発

生産技術エンジニア

仕事内容

当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。

求めている人材

MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発を進めていただきます。
各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。
各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。

勤務地

923-1293  石川県能美市岩内町１－１ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　加賀分室

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：１５～１７：００（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ