D3【第二新卒/兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）

Smart Overview

化合物半導体のプロセス開発エンジニアを募集！特にGaNパワーデバイス事業において、製品・プロセス・材料の開発をリードし、次世代SiCデバイスの設計やプロセスインテグレーションにも携わります。トレンチMOSFETやSJ-MOSなどの革新的なデバイスを手掛け、高性能なウェーハ製造技術を進化させるチャンスが待っています。新しい技術に挑戦し、業界を牽引する充実した職務です。あなたの技術が未来を変えるその一歩を踏み出しませんか？

【おすすめポイント】
・GaN/SiCデバイスの開発で業界最前線に立つチャンス
・トレンチMOSFETやSJ-MOS等の次世代技術に関与
・革新的な製品開発に携わり、キャリアを進化させる可能性

募集職種

パワーデバイス

前工程プロセス開発

材料開発エンジニア

仕事内容

その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。

求めている人材

【必須】
・学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学などものづくりに取り組まれた方

勤務地

671-1595  兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　姫路半導体工場

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ