D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）

Smart Overview

半導体業界におけるキャリアアップのチャンス！化合物半導体分野のプロセス開発エンジニアを募集しています。GaNパワーデバイス事業の拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発をリードするポジションです。また、次世代SiCデバイスに関するデバイス設計やプロセスインテグレーション、エピタキシャル成長プロセスの開発にも取り組むことができ、技術力を高めながらキャリアを築く絶好の機会です。最先端の技術に関わり、自らの成長を実感しませんか？

【おすすめポイント】
・GaN/SiC技術におけるプロフェッショナルとしてのスキルを磨けます。
・次世代デバイス開発に直接関与し、業界に貢献するチャンスがあります。
・成長著しい企業で、早期立ち上げプロジェクトに参加することができます。

募集職種

パワーデバイス

前工程プロセス開発

材料開発エンジニア

仕事内容

その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。

求めている人材

【必須】
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方

勤務地

671-1595  兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　姫路半導体工場

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ