P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア

Smart Overview

当社は、パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニアを募集しています。加賀東芝を拠点に200mmウエハー対応の製造ラインを拡充し、さらに300mmウエハー対応の製造ラインを新設することで、低耐圧MOSFETやIGBTの生産能力を大幅に向上させます。最先端のクリーンルームで働くことができ、半導体分野での技術革新に貢献できるチャンスです。このポジションでは、業界の進化を直接体感しながら、スキルを磨くことができます。

【おすすめポイント】
・200mmから300mmウエハーへの拡張に関与し、先端技術に触れられる
・クリーンルームでの実務経験が積め、専門スキルを身につけられる
・パワー半導体分野の成長に貢献し、将来のキャリアアップが期待できる

募集職種

パワーデバイス

前工程プロセス開発

後工程プロセス開発

仕事内容

当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。

求めている人材

MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発を進めていただきます。
各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。
各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。

勤務地

923-1293  石川県能美市岩内町１－１ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　加賀分室

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：１５～１７：００（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ