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掲載日：
2026年9月24日
リードライブジャパン株式会社
FAE（フィールドアプリケーションエンジニア）◆SiC・GaN半導体技術支援／フレックス
想定年収
年収1000万円以上、年収700万～1000万円、年収500万～700万円
勤務地
東京都
Smart Overview
【おすすめポイント】
・SiC、GaN技術に特化した専門知識の活用
・顧客との信頼関係構築を通じた技術的支援
・業界内での技術改善に貢献できるやりがいある環境
募集職種
パワーデバイス
フィールドアプリケーションエンジニア（FAE）
技術営業・FAE
仕事内容
FAE（フィールドアプリケーションエンジニア）◆SiC・GaN半導体技術支援／フレックス
■業務内容：
・パワー半導体（SiC／GaN／IGBT／MOSFET）を用いた顧客アプリケーションの技術サポート
・インバータ、OBC、DC-DC、モータドライブ、電源回路などの設計支援
・顧客の技術課題の解析、改善提案、最適なデバイス選定
・評価ボード・デモ機の設計、評価、技術資料作成
・量産立ち上げに向けた品質・信頼性・プロセス面での技術支援
・海外本社（中国）との技術連携、仕様調整、開発プロジェクト推進
・顧客向け技術セミナー・ワークショップの実施
■求められるスキル・経験：
・回路設計（アナログ／パワーエレ）に関する深い専門知識
・スイッチング損失、熱設計、EMI／EMC対策の実務経験
・評価機器（オシロ、パワアナ、LCR、熱カメラ等）の使用スキル
・SPICE等のシミュレーションツールの利用経験
・故障解析（FA）、信頼性評価の知識
・顧客の設計レビューに参加し、改善提案できる技術力
・製品仕様書・アプリケーションノートの作成能力
■歓迎条件：
・SiC／GaN／IGBT／MOSFET製品の立ち上げ、評価、アプリケーション設計経験
・大手メーカーとの共同開発・量産立ち上げ経験
・技術資料作成、顧客向けセミナー実施経験
・海外本社との技術プロジェクト推進経験
・中国語または英語での技術説明が可能なレベル
変更の範囲：会社の定める業務
求めている人材
＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
・パワー半導体、電源、EV、エネルギー関連業界での10年以上の技術職またはFAE経験
・パワー半導体応用回路（インバータ／OBC／DC-DC／モータドライブ等）の設計・評価経験
・IATF16949、PPAP、APQP、FMEAなど自動車品質プロセスの理解
・日本企業・中国企業との協業経験
・日本語での技術説明が可能なレベル
・顧客課題を技術的に深く理解し、解決策を導けるコミュニケーション能力
勤務地
本社
住所：東京都台東区台東4-13-21 D’sVARIE御徒町ビル2F
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所（リモートワーク含む）
＜勤務地補足＞
■アクセス：JR山手線「御徒町駅」
※リモートワーク：原則なし。業務内容に応じて前日までに上長承認を得た場合は可。
＜転勤＞
有
※原則ありませんが、業務上必要が生じた場合は転勤が発生します。
＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可
＜オンライン面接＞
可
給与
800万円～1,200万円
＜賃金形態＞
月給制
＜賃金内訳＞
月額（基本給）：440,000円～690,000円
固定残業手当/月：103,000円～162,000円（固定残業時間30時間0分/月）
超過した時間外労働の残業手当は追加支給
＜月給＞
543,000円～852,000円（一律手当を含む）
＜昇給有無＞
有
＜残業手当＞
有
賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。
勤務時間
フレックスタイム制
コアタイム：10:30～15:00
フレキシブルタイム：7:00～10:30、15:00～20:00
休憩時間：60分
時間外労働有無：有
＜標準的な勤務時間帯＞
10:00～19:00
休日休暇
年間有給休暇15日～20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）
年間休日日数126日
■年末年始（12/29～1/3）
福利厚生
＜社会保険＞
健康保険 有、厚生年金 有、雇用保険 有、労災保険 有
＜各手当・制度補足＞
通勤手当：補足事項なし
家族手当：無
住宅手当：無
寮社宅：無
厚生年金基金：補足事項なし
退職金制度：無
＜教育制度・資格補助補足＞
-
＜その他補足＞
無