D1【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
- テスト開発エンジニアデバイス開発エンジニアパワーデバイス
- 石川県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2025年12月01日
求人AIによる要約
ディスクリート半導体の製品開発エンジニアとして、最新テクノロジーを駆使したデバイス設計や性能評価に挑むチャンスです。IGBT、パワーモジュール、小信号デバイスなど、幅広い製品に携わり、試作から量産立上げまでのプロセスをリードします。技術革新を支える重要な役割を果たし、あなたのスキルを最大限に発揮できる環境が整っています。魅力あるプロジェクトに携わり、次世代の半導体を共に創出しましょう。
【おすすめポイント】
・多様なディスクリートデバイスでの設計・評価経験
・製品の量産立上げプロセスへの深い関与
・成長を促すダイナミックな職場環境
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OUTLINE
テスト開発エンジニア
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
対象デバイスは次のとおり
①IGBT、ダイオード、パワーモジュール（兵庫県揖保郡太子町／石川県能美市）
②アイソレーションデバイス・半導体リレー（福岡県豊前市）
③パワーMOSFET（石川県能美市）
④小信号デバイス。特にMOSFET（兵庫県揖保郡太子町）
⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC（神奈川県川崎市） ※（）内は想定勤務地
【尚可】
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。
923-1293 石川県能美市岩内町１－１ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 加賀分室
年収 450万円 〜 1200万円
８：１５～１７：００（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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