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東芝デバイス&ストレージ

D2【兵庫】化合物半導体の製品開発エンジニア(SiC)

東芝デバイス&ストレージ
  • デバイス開発エンジニアパワーデバイス後工程プロセス開発
  • 兵庫県
  • 年収300万~500万円年収500万~700万円年収700万~1000万円
  • 提供元:東芝デバイス&ストレージ
  • 掲載日:2025年12月01日

求人AIによる要約

半導体業界でのキャリアを考えている方に最適なポジションです。化合物半導体(SiC)の製品開発エンジニアとして、最先端のデバイス設計やシミュレーション(TCAD)を駆使し、パワーモジュールのパッケージ開発に携わります。試作・性能評価・解析を行い、量産立ち上げ業務にも関与することで、実践的なスキルが磨かれる環境が整っています。革新を生み出す現場で、自身の専門性を高め、業界の最前線で活躍できるチャンスです。

【おすすめポイント】
・最先端の化合物半導体技術に関与
・デバイス設計から量産化まで幅広い経験
・革新を追求するダイナミックな職場環境

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OUTLINE

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

後工程プロセス開発

・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・パワーモジュール パッケージ開発
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務

【必須】
下記いずれかのご経験をお持ちの方
半導体デバイス設計/プロセス技術/パッケージ技術/材料開発

671-1595  兵庫県揖保郡太子町鵤300 東芝デバイス&ストレージ株式会社 姫路半導体工場

年収 450万円 〜 1200万円

8:00~16:45(休憩1時間、所定労働時間7時間45分)
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

年間休日127日(2023年度)、週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、特別休日

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

COMPANY

会社名:東芝デバイス&ストレージ
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